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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]堆叠式存储器装置及字线驱动器-CN202210398125.9在审
  • 叶腾豪;彭武钦;林志铭;吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-24 - G11C16/08
  • 本公开提供一种堆叠式存储器装置及其字线驱动器。字线驱动器包括第一字线信号产生电路、第二字线信号产生电路、第一电压产生器以及第二电压产生器。第一字线信号产生电路根据控制信号以选择第一电压以及第二电压的其中之一来产生第一字线信号。第二字线信号产生电路根据控制信号以选择第三电压以及第四电压的其中之一来产生第二字线信号。第一电压产生器提供第二电压。第二电压产生器提供第四电压。其中第一电压产生器与第二电压产生器相互独立。
  • 堆叠存储器装置驱动器
  • [发明专利]类神经网络系统-CN201811380260.0有效
  • 吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2018-11-20 - 2023-08-29 - G06N3/063
  • 一种类神经网络系统，执行积项和操作，包括存储器元件及控制器，存储器元件包括：立体存储单元阵列，具有多个存储单元具有多个可写入电导；栅极驱动器耦接至栅极线，施加多个控制栅极电压结合可写入电导，对应多个乘积项的多个权重；输入驱动器对存储单元施加多个电压，以对应多个输入变量；多条输入线将存储单元本体线连接至输入驱动器；感测电路连接至存储单元本体线，以感测通过每一条存储单元本体线的电流，对应其中一个乘积项；和缓冲电路，耦接至感测电路，以储存对应的乘积项。控制器耦接至存储器元件，用来控制存储器元件，将乘积项加总以计算积项和。
  • 神经网络系统
  • [发明专利]存储器结构-CN202210596307.7在审
  • 樊圣亭;陈威臣;吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-05-27 - 2023-08-08 - H10B12/00
  • 本发明提供一种存储器结构，包括基板、第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构、通道本体、介电膜以及第一侧插塞。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构设置于基板上，沿着第一方向彼此分开且分别沿着第二方向与第三方向延伸。通道本体彼此分开且沿着第一方向穿过第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构。介电膜设置于第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构与通道本体之间。第一侧插塞电性连接于基板及通道本体。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构环绕各个介电膜与各个通道本体，且介电膜不包括电荷存储结构。
  • 存储器结构
  • [发明专利]三维AND快闪存储器元件及其制造方法-CN202210103603.9在审
  • 吕函庭;邱家荣;叶腾豪;李冠儒 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-01-27 - 2023-07-25 - H10B43/27
  • 本公开提供了一种三维AND快闪存储器元件，包括栅极叠层结构、电荷储存结构、第一导体柱与第二导体柱、绝缘柱以及通道柱。所述栅极叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层。第一导体柱与第二导体柱，延伸穿过所述栅极叠层结构，且以绝缘柱分隔。通道柱延伸穿过所述栅极叠层结构。电荷储存结构，位于所述栅极叠层结构与所述通道柱之间。所述通道柱包括彼此相连接的第一部分以及第二部分。所述第一部分位于所述电荷储存结构与所述绝缘柱之间。所述第二部分包括与所述第一导体柱电性连接的第一区以及与所述第二导体柱电性连接的第二区。所述第一部分的曲率小于所述第二部分的曲率。
  • 三维and闪存元件及其制造方法
  • [发明专利]三维存储器装置-CN202210063035.4在审
  • 叶腾豪;吕函庭;徐子轩 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-01-19 - 2023-07-11 - G11C16/16
  • 本发明提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器(3D AND Flash memory)装置，包括第一页缓冲器、第二页缓冲器、感测放大器、第一路径选择器以及第二路径选择器。第一页缓冲器以及第二页缓冲器分别用以暂存第一写入数据以及第二写入数据。第一路径选择器依据第一控制信号以使感测放大器或第一页缓冲器耦接至第一共用位线。第二路径选择器依据第二控制信号以使感测放大器或第二页缓冲器耦接至第二共用位线。
  • 三维存储器装置
  • [发明专利]立体存储器元件及其制作方法-CN201910207378.1有效
  • 吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2019-03-18 - 2023-05-19 - H10B41/35
  • 本发明公开了一种立体存储器元件，包含一衬底、多个导电层、多个绝缘层、一存储器层叠结构、一绝缘部、一第二孔洞以及一介电填充柱。这些导电层以及绝缘层彼此交错堆叠位于衬底上以形成一多层堆叠结构。多层堆叠结构具有多个第一孔洞沿第一方向排列，每一第一孔洞穿过这些导电层及绝缘层。存储器层叠结构具有一第一串列部、一第二串列部以及一底串列部，底串列部连接在第一串列部以及第二串列部之间。绝缘部位于存储器层叠结构的第一串列部、第二串列部以及底串列部之间。介电填充柱位于绝缘部上，且具有多个侧凸出件分别接触这些导电层。
  • 立体存储器元件及其制作方法
  • [发明专利]3D快闪存储器及其操作方法-CN202111173472.3在审
  • 吕函庭;陈威臣 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-08 - 2023-03-31 - G11C16/04
  • 本公开提供一种3D快闪存储器，包括栅极叠层结构、环型通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱及电荷储存结构。栅极叠层结构设置于电介质基板上，包括相互电性隔离的多个栅极层。环型通道柱设置在该电介质基板上并穿过该栅极叠层结构。第一源极/漏极柱及第二源极/漏极柱设置在该电介质基板上，位于该环型通道柱内，穿过该栅极叠层结构，该第一源极/漏极柱及该第二源极/漏极柱各自耦接至该环型通道柱，相互分隔。电荷储存结构设置于各该栅极层与该环型通道柱之间。该第一源极/漏极柱及该第二源极/漏极柱的材料为P型掺杂半导体，该第一源极/漏极柱、该第二源极/漏极柱、该电荷储存结构、该环型通道柱型及这些栅极层形成多个存储单元。
  • 闪存及其操作方法
  • [发明专利]三维存储器装置-CN202111148805.7在审
  • 林永丰;罗思觉;叶腾豪;吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-09-29 - 2023-03-21 - G11C16/04
  • 本公开提供一种三维存储器装置，如三维与门快闪存储器装置。三维存储器装置包括多个存储单元阵列、多个位线开关以及多个源极线开关。存储单元阵列具有多个存储单元行分别耦接至多条源极线以及多条位线。位线开关、源极线开关分别由多个第一晶体管、第二晶体管所构成。第一晶体管耦接至一共同位线以及位线。第二晶体管耦接至共同源极线以及源极线。其中，第一晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管，第二晶体管为P型晶体管或具有三阱区基底的N型晶体管。
  • 三维存储器装置
  • [发明专利]三维AND快闪存储器元件及其制造方法-CN202111156151.2在审
  • 胡志玮;叶腾豪;吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-09-29 - 2023-03-21 - H10B41/35
  • 本公开提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：叠层结构，位于介电基底上，其中所述叠层结构包括彼此交替叠层的多个栅极层与多个绝缘层；多个分隔物，将所述叠层结构分隔成多个子区块，所述多个分隔物包括：多个叠层墙，包括彼此交替叠层的多个分隔层与所述多个绝缘层，其中所述多个分隔层埋在所述多个栅极层中；多个分隔狭缝，与所述多个叠层墙彼此交替，其中每一分隔狭缝延伸穿过所述叠层结构；多个通道柱，延伸穿过每一子区块的所述叠层结构；多个源极柱与多个漏极柱，位于所述多个通道柱内；以及多个电荷储存结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。
  • 三维and闪存元件及其制造方法
  • [发明专利]三维半导体装置与存储装置-CN202210649313.4在审
  • 吕函庭;陈威臣;叶腾豪 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2022-06-08 - 2023-03-10 - H01L23/538
  • 本公开提供了一种三维半导体装置和存储装置。该半导体装置包含：半导体基板、垂直地堆叠于半导体基板上的多个导电层、以及多个晶体管。多个导电层包含依序堆叠在一起的第一导电层、第二导电层与第三导电层。多个晶体管包含在第一导电层中的第一晶体管与第二晶体管、及在第三导电层中的第三晶体管。每一晶体管包含第一端点、第二端点与栅极端。第一晶体管的第一端点、第二晶体管的第一端点与第三晶体管的第一端点导电地耦接至第二导电层中的第一导电节点。
  • 三维半导体装置存储
  • [发明专利]存储器-CN202111173669.7在审
  • 叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-08 - 2023-01-10 - G11C16/04
  • 本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
  • 存储器
  • [发明专利]存储器-CN202111173526.6在审
  • 叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-08 - 2023-01-10 - G11C16/34
  • 本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
  • 存储器
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