专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN202110274782.8有效
  • 李兆松;肖莉红;刘沙沙;卢峰;王恩博;邵明;王浩;杨号号;张勇 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-01-31 - 2023-05-12 - H10B43/50
  • 本发明涉及一种3D NAND存储器及其形成方法。所述3D NAND存储器的所述形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有第一堆叠结构,所述第一堆叠结构中具有第一沟道孔,所述第一沟道孔底部的半导体衬底中具有凹槽;在所述凹槽中形成半导体外延层;在所述半导体外延层表面形成金属硅化物层;在所述第一沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层;刻蚀所述第一沟道孔底部上的电荷存储层以及部分金属硅化物层,形成暴露出半导体外延层表面的开口;在所述开口中形成第二沟道层,所述第二沟道层与所述半导体外延层相接触。本发明保证第一沟道孔的特征尺寸保持不变或变化很小,从而保证工艺的稳定性。
  • nand存储器及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法-CN202211099471.3在审
  • 杨号号 - 仲联半导体(上海)有限公司;至讯创新科技(无锡)有限公司
  • 2022-09-08 - 2023-05-05 - H10B41/00
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法,该方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上形成绝缘层;绝缘层上形成多个栅极结构;在相邻的栅极结构的侧壁,以及被暴露的绝缘层上形成刻蚀阻挡层;对相邻的栅极结构之间空隙处的绝缘层以及半导体衬底进行干法刻蚀,形成多个沟槽;对沟槽的表面进行湿法刻蚀,在沟槽的侧壁和底部形成氧化层;形成向下延伸至半导体衬底中的浅沟槽隔离结构;对栅极结构上的栅介质层以及栅极结构中的部分硬掩膜层进行化学机械研磨,以露出栅极结构;回蚀刻去除浅沟槽隔离结构中的部分栅介质层,以露出栅极结构的部分侧壁。该方法可以改善现有二维存储器制造过程造成的栅极结构的侧壁损伤问题。
  • 半导体器件制造方法以及存储器
  • [发明专利]半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法-CN202211040208.7在审
  • 杨号号 - 仲联半导体(上海)有限公司;至讯创新科技(无锡)有限公司
  • 2022-08-29 - 2022-11-25 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法以及存储器的制造方法,该方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上形成绝缘层;绝缘层上形成多个栅极结构;在相邻的栅极结构的侧壁,以及被暴露的绝缘层上形成刻蚀阻挡层;对相邻的栅极结构之间空隙处的绝缘层以及半导体衬底进行干法刻蚀,形成多个沟槽;对沟槽的表面进行第一湿法刻蚀;移除第一氧化层;对多个栅极结构的侧壁和沟槽的侧壁进行第二湿法刻蚀;在多个栅极结构的上表面和侧壁,以及沟槽的侧壁和底部形成氧化层;在氧化层上形成栅介质层,栅介质层覆盖相邻的栅极结构之间空隙。该方法可以改善现有二维存储器制造过程造成的栅极结构的侧壁损伤问题,有利于提升存储器的器件特性。
  • 半导体器件制造方法以及存储器
  • [发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN201910318434.9有效
  • 徐前兵;杨号号;王恩博;卢峰;张若芳;张富山;刘沙沙 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-04-19 - 2022-04-01 - H01L27/11556
  • 公开了一种3D存储器件及其制造方法,包括:在衬底上形成第一叠层结构;形成贯穿第一叠层结构的第一柱体;在第一叠层结构上形成第二叠层结构;形成贯穿第二叠层结构的第二柱体;去除第一柱体和第二柱体的一部分,形成沟道孔;以及在沟道孔内形成沟道柱,其中,第一柱体至少包括线性氧化层和多晶硅层,第二柱体至少包括线性氧化层;第一柱体和第二柱体的线性氧化层在第一叠层结构和第二叠层结构的边界处断开,且在断开处沟道柱连续延伸。本发明实施例在第一叠层结构内形成线性氧化层和多晶硅层,在第二叠层结构内形成线性氧化层,在刻蚀多晶硅层时两层叠层结构内的线性氧化层可以避免连接处叠层结构受损,从而提高3D存储器件的良率和可靠性。
  • 存储器件及其制造方法
  • [发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202110214761.7在审
  • 张若芳;王恩博;杨号号;徐前兵;胡禺石;张富山 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-07-12 - 2021-06-25 - H01L27/1157
  • 本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。其中,三维存储器包括:栅极叠层结构,包括若干层间隔排列的栅极;穿过所述栅极叠层结构的沟道结构,所述沟道结构包括沿所述栅极的堆叠方向依次设置的下沟道柱、导电连接层、上沟道柱;所述上沟道柱包括:上沟道层,下端延伸至所述导电连接层内并与所述导电连接层接触;上存储器层,环绕部分所述上沟道层,且位于所述导电连接层的顶面之上;所述下沟道柱包括:下沟道层,上端延伸至所述导电连接层并与所述导电连接层接触;下存储器层,环绕部分所述下沟道层,且位于所述导电连接层的底面之下;其中,所述导电连接层、所述上沟道层以及所述下沟道层的材料相同。
  • 三维存储器及其制造方法

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