[发明专利]一种利用MRAM保护NAND的方法及存储结构在审
| 申请号： | 201510142189.2 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105630696A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06;G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用MRAM保护NAND的方法，包括以下步骤：(1)收到写NAND页指令，在MRAM中的写缓存表中查找MRAM中的写缓存中是否存在NAND页对应的MRAM页，如果不存在，执行步骤(2)；如果存在，执行步骤(3)；(2)在写缓存中查找空闲的MRAM页，作为NAND页对应的MRAM页；(3)将写NAND页指令中的数据写入NAND页对应的MRAM页，在清理写缓存时，将数据写入NAND页。本发明还提供一种利用MRAM保护NAND的存储结构。本发明将写入NAND的数据缓存在MRAM中，在清理写缓存时才将数据写入NAND，减少擦写NAND的次数，延长NAND的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 mram 保护 nand 方法 存储 结构 | ||
【主权项】：
一种利用MRAM保护NAND的方法，包括以下步骤：(1)收到写NAND页指令，在MRAM中的所述写缓存表中查找所述MRAM的写缓存中是否存在所述NAND页对应的MRAM页，如果不存在，执行步骤(2)；如果存在，执行步骤(3)；(2)在所述写缓存中查找空闲的MRAM页，作为所述NAND页对应的MRAM页；(3)将所述写NAND页指令中的数据写入所述NAND页对应的MRAM页，在清理写缓存时，将NAND页对应的MRAM页的数据写入NAND页。
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