[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510556147.3 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105957889A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 大麻浩平;高田贤治;吉冈启;矶部康裕;洪洪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够减少电流崩塌，并且能够减少漏电流的半导体装置。半导体装置(1)具备：化合物半导体层(13)，设置在衬底(10)上；化合物半导体层(14)，设置在化合物半导体层(13)上，且带隙比化合物半导体层(13)大；以及栅极电极(17)，设置在化合物半导体层(14)上。栅极电极(17)的栅极长度比化合物半导体层(13)的厚度的2倍大，且为化合物半导体层(13)的厚度的5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：第一化合物半导体层，设置在衬底上；第二化合物半导体层，设置在所述第一化合物半导体层上，且带隙比所述第一化合物半导体层大；以及栅极电极，设置在所述第二化合物半导体层上；且所述栅极电极的栅极长度比所述第一化合物半导体层的厚度的2倍大，且为所述第一化合物半导体层的厚度的5倍以下。
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- 一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管-201610190368.8
- 王向展;曹建强;马阳昊;李竞春 - 电子科技大学
- 2016-03-29 - 2018-07-27 - H01L29/772
- 该发明公开了一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域。利用N型漏区或者P型源区与N型外延层之间的短接，共享高电位，从而使得N型埋层与N型源区或者P型漏区、本征区、P型衬底形成的PN结均为反偏，结果是降低原先器件源区下部由漏极电压控制的隧穿，此时的泄漏电流主要为N型外延层与N型源区或者P型漏区的反偏PN结电流，从而有效降低了小尺寸情况下隧穿场效应晶体管关态电流，此外，埋层可换成宽禁带材料，且避免该材料与硅接触引入二维电子气或极化电荷，则将会进一步降低反偏PN结电流。从而对漏极控制源区向本征区上隧穿进行抑制，以降低TFET的关态电流。
- 电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法-201210215829.4
- 李政烨;鲜于文旭;文彰烈;朴用永;梁佑荣;黄仁俊 - 三星电子株式会社
- 2012-06-27 - 2018-07-20 - H01L29/772
- 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
- 光子增强的场效应晶体管和集成电路-201611130380.6
- 王敬;陈文捷;梁仁荣 - 清华大学
- 2016-12-09 - 2018-06-29 - H01L29/772
- 本发明公开了一种光子增强的场效应晶体管和集成电路，其中该光子增强的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，源区设置在半导体层之中或半导体层之上，漏区设置在半导体层之中或半导体层之上；形成在半导体层之上的栅结构；形成在半导体层下表面的隔离层；形成在隔离层之下的发光结构，其中，发光结构用于产生光子以激发半导体层中的电子‑空穴对。本发明的光子增强的场效应晶体管和集成电路，将发光结构通过隔离层设置在半导体层的下表面，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
- 一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其制备方法-201610257069.1
- 张春伟;曾勇;宦海祥;张红蕾 - 盐城工学院
- 2016-04-22 - 2018-06-29 - H01L29/772
- 本发明涉及晶体管散热领域，特别涉及一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其制备方法。一种AlGaN/GaN基场效应晶体管，包括依次排布的SiC基底层、AlN层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上依次设置有热沉、漏极和源极，漏极与源极之间填充有二氧化硅层，漏极与源极之间的二氧化硅层上设置有栅极；热沉与漏极之间填充有二氧化硅层，热沉、漏极以及两者之间的二氧化硅层由二氧化钒层覆盖。本发明在晶体管的漏极和热沉之间设置二氧化钒层，二氧化钒层与漏极界面热传导通过电子‑电子之间的耦合开启电子输运通道，达到迅速降低场效应管温度目的，从而可以大大提高场效应晶体管的性能和寿命。
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