“盛博文”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果54个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]线程的处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211285790.3在审
发明人： 盛博文;程宝平;雷珺 -专利权人：中移（杭州）信息技术有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本申请的技术方案提供了一种线程的处理方法、装置电子设备及存储介质，线程的处理方法包括：根据预设参数创建线程池；根据任务队列中任务的数量调整所述线程池中线程的数量；其中，所述任务队列用于存储提交至所述线程池中的任务。根据任务队列中任务的数量来调整线程池中线程的数量，实现了根据任务队列中任务的数量动态调整线程池中线程的数量，线程池中线程的数量与任务队列中任务的数量相匹配，减少了在任务队列满了之后再创建线程导致的对任务队列中的任务处理效率较低的问题，提高了线程处理任务的效率。
线程处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片-CN202311069998.6在审
发明人：王新强;陈兆营;刘放;盛博文;袁泽兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片，包括：至少一个芯片单元；所述芯片单元包括：依次排布的第一N型导电层、红光II型超晶格层、第一P型导电层、绿光II型超晶格层、第二N型导电层、蓝光II型超晶格层和第二P型导电层，所述第一N型导电层在最底层，所述二P型导电层在最上层；所述红光II型超晶格层、绿光II型超晶格层和蓝光II型超晶格层由第一半导体材料和第二半导体材料周期排列构成。本发明解决了II型异质结作为发光二极管有源区时电子空穴复合效率较低的问题，扩充了全彩微型发光二极管显示芯片的材料选择范围。
一种 ii 晶格全彩微型发光二极管显示芯片

[发明专利]一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法-CN202310835363.6有效
发明人：王新强;王睿;王平;叶昊天;盛博文 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法。本发明各层结构在同一设备的同一腔体中全外延实现，有利于提升界面质量，并提升器件的可靠性；利用多层复合式铁电层功能层，有利于增强器件的多态特性，通过精确控制超晶格中各层氮化物铁电层的掺杂元素组分，实现组分梯度变化，氮化物铁电层中掺杂元素组分浓度对矫顽场的调制作用，实现各层氮化物铁电层具有不同的矫顽电压，氮化物铁电神经形态器件的阈值电压呈离散值，从而实现低重叠、高鲁棒和抗噪声的多态数据存储能力，还能够更高效地模仿生物神经系统中突触的能力；本发明实现光读取能力，赋予了器件更多的操作维度，能够广泛应用于神经形态计算系统或新型存算一体系统中。
一种电写光读氮化物神经形态器件及其制备方法

[发明专利]一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法-CN202310781440.4有效
发明人：王新强;叶昊天;王平;王睿;王涛;王锦林;盛博文;刘放 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
一种调控铁电畴尺寸氮化物半导体制备方法

[发明专利]基于分布式网关的全链路灰度发布方法、装置、电子设备及计算机介质-CN202310303038.5在审
发明人： 盛博文;翟刚;李泽斌;柴临园;徐金娜 -专利权人：度小满科技（北京）有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本公开公开了一种基于分布式网关的全链路灰度发布方法、装置、电子设备及计算机介质，包括：对线上机房进行物理环境隔离，以将线上机房划分为至少三个机房，其中，机房中至少包括一个灰度机房和两个正常机房；检测到新版本系统上线后，将新版本系统部署至灰度机房；获取目标灰度规则，并根据目标灰度规则对新版本系统进行验证；确认新版本系统通过验证，则继续将新版本系统部署至所有的正常机房。本公开实施例通过提供一种基于分布式网关的全链路灰度发布方法，通过对线上机房进行物理环境隔离，执行灰度认证，无问题后部署到线上其他机房，同时实现平滑升级，规避了二次上线，尽可能减少因上线导致的线上问题，保证服务稳定性。
基于分布式网关全链路灰度发布方法装置电子设备计算机介质

[发明专利]垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法-CN202310140721.1有效
发明人：王新强;陈兆营;刘放;盛博文;李铎 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法。本发明采用光场垂直作用于层状反应剂气流上，光场与反应剂气流的作用路径短，减小了所需激光功率，降低了光辅助MOCVD装置的设计难度、提高了安全性；同时减少了光场在MOCVD气场中的传播过程，提高了光场功率的利用效率；通过生长衬底随衬底托盘的自转和公转，使生长腔内的生长衬底之间和每片生长衬底内均匀地获得光场产生的活性反应剂，实现大尺寸IE高均匀性的光辅助MOCVD外延生长；本发明中光生反应剂的产生过程和光生反应剂的化学气相沉积过程空间上分离，简化了光辅助金属有机物化学气相沉积装置中的光场‑流场‑温场耦合设计。
垂直辅助金属有机物化学沉积装置及其方法

[发明专利]一种光辅助金属有机化合物化学气相沉积装置及实现方法-CN202211421166.1有效
发明人：王新强;陈兆营;刘放;盛博文 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光辅助金属有机化合物化学气相沉积装置及实现方法。本发明采用光束传输光路，对光束聚焦、分束、扩束准直和位置调节的操作，并对MOCVD系统加设入光窗口、出光窗口和惰性气体传输管道，使得光束通过入光窗口进入至反应腔中，光束产生与一种或多种反应剂分子振动模式能量相匹配的光场，引起反应剂分子对光场能量的共振吸收，产生的活性反应源输运到位于加热盘的衬底表面，实现材料的外延生长；并通过选择惰性气体的传输方向为平行方向或垂直流向衬底表面，使得携带反应剂分子的载气平行或垂直流向衬底表面，控制流畅和温场的耦合区域，实现四种不同的耦合方式，从四种耦合方式中选择一种耦合方式满足外延生长需求。
一种辅助金属有机化合物化学沉积装置实现方法

[发明专利]一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法-CN202211331536.2有效
发明人：王新强;刘放;陈兆营;盛博文;郭昱成;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法。本发明采用图形化掩模板，图形化掩模板具有多个互相平行且均平行于掩膜基体晶向的带状的通孔，通过图形化掩模板依次沉积BON、BN和AlN，化学刻蚀得到复合平片结构后，沉积AlN平层，再高温退火热处理，重结晶形成单晶的具有图形化的h‑BN和h‑BON，构成二维晶体过渡层；采用的材料体系的外延工艺兼容，能够采用通用设备制造，工艺简单，设备需求低；通过高温退火和高温诱导重结晶等方案制备高质量AlN复合衬底，通过图形化的h‑BN和h‑BN有效弛豫外延衬底和上层AlN的界面失配问题，能够实现对上层AlN薄膜和AlN平层应力状态与晶体质量的有效调控，适于大规模产业化生产。
一种基于二维晶体过渡氮化复合衬底制备方法

[发明专利]一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法-CN202210925338.2有效
发明人：王新强;刘放;王涛;陈兆营;盛博文;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法。本发明在高指数晶面衬底上形成单晶AlN模板层构成高指数晶面衬底，在单晶AlN模板层上形成氧富集的AlxOy薄层；在AlxOy薄层上形成BmNn薄膜，得到复合结构；将具有AlN薄膜的低指数晶面衬底与复合结构物理压合，高温重构形成h‑BkNl薄膜；破坏氧富集的AlxOy薄层，得到具有h‑BkNl薄膜的低指数晶面AlN模板；h‑BkNl薄膜具有与高指数晶面衬底相同的晶面取向，能够具有指定晶面取向，打破现有制备技术瓶颈；高指数晶面衬底能够重复利用；采用沉积和高温重构的方式制备h‑BN薄膜能够降低工艺难度，避免采用昂贵的高温设备，提高产率并降低成本。
一种指数晶面六方氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种航天器目标检测方法、系统、存储介质和电子设备-CN202211598379.1在审
发明人：丁北乘;刘丹;盛博文;陈成增 -专利权人：平湖空间感知实验室科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06V20/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种航天器目标检测方法、系统、存储介质和电子设备，包括：获取待测三维模型在任一俯仰角度下所对应的目标电磁散射数据；对所述目标电磁散射数据进行成像处理，得到待测图像；将所述待测图像输入至目标检测模型中，确定所述待测图像中是否包含航天器的主体结构。本发明利用训练好的深度学习目标检测模型对经过成像处理的电磁散射数据进行检测，实现了对航天器的主体结构的目标检测。
一种航天器目标检测方法系统存储介质电子设备

[发明专利]一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法-CN202310082708.5在审
发明人：王新强;陈兆营;刘放;盛博文;李铎 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示芯片单元包含红光、绿光和蓝光微型发光二极管显示像素，极大地简化三基色微型发光二极管向显示面板的转移工艺，提高了显示面板的成品率；三基色微型发光二极管显示像素集中分布在同一芯片单元上，便于缩小三基色像素之间的间距，增强混光效果；同时单片集成芯片提高了发光区域的面积占比，有利于提高微型发光二极管显示器的分辨率；三基色微型发光二极管由相同材料构成，并在同一衬底上外延制备获得，三基色微型发光二极管独立可控，有利于提高芯片间的发光一致性和显色性能；与现有的发光二极管的芯片工艺流程兼容，易于将本发明直接应用到大规模的工业生产。
一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合结构的制备方法-CN202211354352.8有效
发明人：王新强;刘放;陈兆营;盛博文;郭昱成;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合结构的制备方法。本发明通过在外延衬底的第一周期性沟槽上转移二维晶体过渡层，二维晶体过渡层上在形成与第一周期性沟槽错开的第二周期性沟槽，然后沉积支撑保护层，再沉积实现所需的AlN基材料的功能层，采用热氧化法除去二维晶体过渡层，获得半悬空的AlN复合结构；本发明工艺难度低，适于大规模产业化生产；周期性沟槽和AlN功能层的设计窗口大，能够满足不同用途深紫外光源器件和射频电子器件的材料需求，应用范围广。
一种基于二维晶体过渡氮化复合结构制备方法

[发明专利]一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法-CN202211443885.3在审
发明人：王新强;王睿;杨流云;叶昊天;盛博文;刘放 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法。本发明利用外延技术实现高质量的铁电介质层和沟道；通过插入层、阻挡层和高阻缓冲层的引入，大大降低了铁电存储器的漏电问题，使得该器件具有更好的稳定性和耐受性，提升器件的寿命，降低器件的产热和功耗；利用ScAlN铁电介质层作为铁电功能层的同时，与GaN形成异质结，以异质结的界面作为沟道，相比于传统铁电存储器沟道和铁电介质层分离的结构，简化了工艺步骤；并且由于异质结沟道中载流子浓度和载流子迁移率远大于传统铁电存储器中的半导体沟道，使得本发明中的三端铁电存储器具有更高的功率密度和更好的高频特性，能够被用于射频和大功率电路等领域。
一种基于外延技术三端铁电存储器及其制备方法

[发明专利]一种具有三维结构的氮化物发光二极管及其制备方法-CN202310169249.4在审
发明人：王新强;陈兆营;盛博文;刘放;李铎;袁泽兴;刘上锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维结构的氮化物发光二极管及其制备方法。本发明包括：生长衬底、平面结构的N型氮化物层、N型氮化物三维结构、氮化物多量子阱层、P型氮化物层、P型电极金属层和N型电极金属层；本发明的氮化物三维结构的多个不同晶面指数的表面上形成的氮化物多量子阱层的厚度和合金组分不同，对应的多量子阱中子带的能量也不同，形成了垂直多量子阱生长方向的能量梯度，促进了空穴和电子在多量子阱中的横向迁移，弥补了沿多量子阱生长方向载流子注入效率的不足；另一方面，垂直氮化物多量子阱生长方向的能量梯度构成了载流子的能量势阱，增强了多量子阱中电子和空穴的空间局域效应，提高了电子和空穴的复合效率。
一种具有三维结构氮化物发光二极管及其制备方法

[发明专利]生成日志记录组件的方法及装置、日志记录方法、介质-CN202210317818.0有效
发明人：张胜;徐斌;刘洋;盛博文 -专利权人：机科发展科技股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G06F16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种生成日志记录组件的方法及装置、日志记录方法、介质，通过创建日志信息在线可视化显示模块，配置为日志显示属性集和实时日志显示模块；日志显示属性集用于配置日志显示组件的属性，关联并控制前端的日志显示模块，以可视化方式显示日志信息；创建后台自动记录日志信息模块，配置为后台日志文件配置属性集和后台实时记录日志模块；后台日志文件配置属性集用于配置日志文件的保存目录路径和文件名称格式，关联并控制后台实时记录日志模块，根据保存目录路径和文件名称格式后台自动记录日志信息。该方法实现的可视化组件，可灵活配置日志显示方式和日志记录方式，其模块化、标准化设计可应用到不同软件产品中。
生成日志记录组件方法装置介质

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 54 条