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[发明专利]一种氮化镓双向开关器件-CN201611095490.3有效
发明人：陈万军;施宜军;刘杰;崔兴涛;胡官昊;刘超;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种氮化镓双向开关器件。本发明提供了一种不存在欧姆接触的栅控遂穿双向开关器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响(如电流崩塌，与传统CMOS工艺不兼容)。通过每个肖特基接触附近的绝缘栅结构控制肖特基接触的能带结构来改变器件的工作状态，实现双向开关的双向导通和双向阻断能力。由于本发明中不存在欧姆接触，不需要利用重金属，该器件可以与传统的CMOS工艺兼容。
一种氮化双向开关器件

[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201610490201.3有效
发明人：陈万军;娄伦飞;刘超;唐雪峰;胡官昊;陈楚雄;陶虹;刘亚伟;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电压降大于0.7V时，N型重掺杂层向漂移区和下P‑base区注入电子，发生强烈的电导调制，使得器件具有极低的导通压降，从而大大降低了器件导通损耗；在阻断态下，由于在沟槽边缘处没有向CSTBT一样的高浓度CS层且阻断电压主要由漂移区承受，因此器件的耐压不会受到N型重掺杂层的影响；在关断期间，漂移区内存储的空穴经过N型重掺杂层的开口区域被发射极抽出，表现出和传统器件一直的关断特性。
一种绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种集成SBD的增强型HEMT-CN201510483325.4有效
发明人：陈万军;王泽恒;刘丽;胡官昊;李建;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的电流输运能力并且减低栅介质之下宽禁带半导体形成反型层所要求的栅极电压，并且提高稳定性，同时降低实现难度，另外当源极电压为正，漏极电压为负时器件构成一个SBD，具有整流能力，当器件在感性负载电路中应用时，在关断瞬间使感性负载中反向电流从集成的SBD通路得到泄放，保护了器件和整个电路安全，提高了器件和电路稳定性。
一种集成 sbd 增强 hemt

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201710024792.X在审
发明人：陈万军;陈楚雄;娄伦飞;唐血锋;陶宏;胡官昊;王泽恒;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而提高了阳极短路电阻以抑制Snapback效应。在加反向电压的时候，元胞区和结终端区的N型阳极区域共同充当PIN二极管的阴极，相当于将结终端区的面积利用起来进行反向导通，这样就在不影响器件反向导通能力的同时抑制了正向导通时候的Snapback效应。在实际应用中可以根据器件正反向导通能力的需要，灵活地调整元胞区的N型阳极区长度来满足要求。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管-CN201611065159.7在审
发明人：陈万军;施宜军;崔兴涛;刘超;刘杰;胡官昊;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明主要是针对高效功率开关器件的主要性能指标(导通电阻、漏极开启电压、反向耐压、功耗)，提出了具有混合漏极的氮化镓新器件结构。本发明所提出的增强型AlGaN/GaN HEMT器件具有高反向阻断能力、低漏极开启电压、低导通电阻和低功耗等优点，尤其适用于双向开关中。
一种逆阻型氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]一种横向恒流二极管-CN201610928600.3在审
发明人：陈万军;张安邦;信亚杰;施宜军;胡官昊;刘杰;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时，能够实现很宽的恒流区及很高的耐压，而且通过调节相关器件结构参数，使恒定电流大小在较大范围内变化。此外，该CRD响应速度快，动态性能好。同时，本发明的CRD能够与GaN基LED器件单片集成，大大降低系统体积。
一种横向二极管

[发明专利]一种HEMT器件-CN201610650111.6在审
发明人：陈万军;王泽恒;信亚杰;施宜军;胡官昊;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种HEMT器件。与常规器件不同的是，本发明中自嵌位结构为在栅极的漏极一侧与AlGaN势垒层形成的凹槽型肖特基接触金属，并与源极之间进行电气连接。在器件工作时，是由肖特基接触金属部分和AlGaN势垒层共同形成的自嵌位结构来承受器件阻断电压，令栅下沟道处电势不随漏极电压的增加而改变，从而使栅极能够进一步减小、输出频率能进一步提高且输出功率进一步增强。与此同时，本发明所公布的制备工艺完全兼容传统工艺，不仅能应用于一般电路中，还有较强的频率性能，从而为GaN器件应用于毫米波电路领域奠定了坚实基础。
一种 hemt 器件

[发明专利]一种功率器件封装结构-CN201610712108.2在审
发明人：陈万军;娄伦飞;刘亚伟;唐血峰;刘超;胡官昊;陈楚雄;陶虹;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件封装结构。本发明功率器件封装结构具有4个外接引脚，新增加的一个外接引脚作为栅驱动源极，旁通了主电源源极导线和引脚的寄生电感，从而主电源的源极电感对栅驱动电路的影响将被消除，源电感引起的压降不再影响栅源电压，从而降低了器件的栅驱动损耗；另一方面，由于新增加的外接引脚上没有大电流流过，在其导线和引脚上几乎没有压降，从而很好地将芯片箝位在0V，这使得器件的工作电压大大降低，从而降低了器件导通损耗；另外发本发明还通过增加第一管脚，第二管脚的宽度，以及第一，二管脚之间的距离，达到降低高压功率器件管脚之间电磁干扰的目的，从而满足高压大功率器件的封装要求。
一种功率器件封装结构

[发明专利]一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法-CN201511026317.3在审
发明人：周琦;胡官昊;靳旸;陈博文;王泽恒;刘丽;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体的说是涉及一种调制Ⅲ族氮化物半导体增强型器件阈值电压的方法。本发明的方法，主要步骤为：在Ⅲ族氮化物半导体材料上淀积栅氧化层介质后，进行有机清洗；将清洗后的Ⅲ族氮化物半导体材料置于快速退火炉中进行退火，用以降低栅氧化层和Ⅲ族氮化物半导体材料界面的正电荷。相较于不进行退火处理的器件，Ⅲ族氮化物半导体材料与栅氧化层的界面正电荷浓度显著降低80％,器件的阈值电压从0.8V提高到了7.5V，显著增强了器件的栅对器件的控制；另外器件在开启后栅压再提高4V后的导通电流从220mA/mm提高到了300mA/mm。
一种调制氮化物半导体增强器件阈值电压方法

[发明专利]一种增强型HEMT器件-CN201510713864.2在审
发明人：陈万军;施宜军;王泽恒;胡官昊;刘丽;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种增强型HEMT器件。本发明提供的栅控增强型HMET器件，与常规的凹槽栅-增强型AlGaN/GaN HEMT器件不同的是，本发明中源极金属与半导体之间的接触是肖特基接触而不是常规结构中的欧姆接触，而且源极位于栅极和漏极之间；栅极是侧壁绝缘栅电极，在源极边缘通过刻蚀AlGaN和GaN形成的侧壁上。本发明的有益效果为，实现了常关型沟道，使得器件更加利于控制；同时克服了短沟道效应，使得特征频率显著提高，可以应用于高频电路中；并且可以改善器件的回滞电压和电流崩塌现象；还可以与传统工艺兼容。
一种增强 hemt 器件

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