[发明专利]研磨液及使用该研磨液的基板的研磨方法有效
申请号: | 201180048658.4 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103155112B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 太田宗宏;田中孝明;泷泽寿夫;吉川茂;松本贵彬;吉川贵浩;筱田隆 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种研磨液,其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水,其中,有机酸A具有从‑COOM基、‑Ph‑OM基、‑SO3M基以及‑PO3M2基所组成的组中选择的至少一种基团,有机酸A的pKa小于9,有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001~1质量%,高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01~0.50质量%,所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。 | ||
搜索关键词: | 研磨 使用 方法 | ||
【主权项】:
一种研磨液,其是包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水的CMP用研磨液,所述有机酸A为对甲苯磺酸,所述有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001~1质量%,所述高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01~0.50质量%,所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。
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- 2017-08-25 - 2018-04-10 - H01L21/3105
- 本发明实施例涉及一种为改善层间介电层经化学机械研磨的碟状效应的悬浮格状冠型多晶硅,具体涉及一种集成电路IC及一种用于制造所述集成电路的方法。多晶硅层形成于衬底的第一区域上方且具有相对于彼此堆积以界定第一堆积密度的多个多晶硅结构。虚拟层形成于所述衬底的第二区域上方且具有相对于彼此堆积以界定第二堆积密度的多个虚拟结构,其中所述第一堆积密度及第二堆积密度基本上是类似的。层间介电层形成于所述衬底的所述第一区域及第二区域上方。在形成所述层间介电层之后,通常由所述第一堆积密度及第二堆积密度抑制与化学机械研磨并发的所述衬底的至少第二区域的碟状效应。
- 绝缘层形成方法-201310129648.4
- 邓浩;严琰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2013-04-15 - 2018-03-30 - H01L21/3105
- 本发明提供了一种绝缘层形成方法,所述绝缘层形成方法包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成PETEOS层,并对所述PETEOS层执行CMP工艺;对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理,所述等离子体处理所使用的离子为氧离子;在经过等离子体处理的PETEOS层上形成无定形碳层。通过对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理,去除了PETEOS层表面的碳残留,从而避免了无定形碳层上形成凸起,提高了无定形碳层的质量。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造