[发明专利]被加工物的加工方法和加工装置在审

申请号：	201811590774.9	申请日：	2018-12-25
公开（公告）号：	CN110034020A	公开（公告）日：	2019-07-19
发明（设计）人：	渡边真也;山端一郎;铃木克彦	申请（专利权）人：	株式会社迪思科
主分类号：	H01L21/3105	分类号：	H01L21/3105;H01L21/02;B24B7/10;B24B41/00;B24B49/02;B24B53/007
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司 11127	代理人：	乔婉;于靖帅
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供被加工物的加工方法和加工装置，不使磨削的工序数增加便能够高效地对被加工物进行加工。被加工物的加工方法包含如下的步骤：树脂包覆步骤，在被加工物(W)的正面(Wa)上包覆树脂(100)；树脂硬化步骤，对所包覆的树脂(100)照射紫外线而使该树脂(100)硬化；树脂磨削步骤，利用磨削磨具(46)对已硬化的树脂(100a)进行磨削而使该树脂(100a)平坦化；被加工物磨削步骤，将平坦化后的被加工物(W)的树脂(100a)侧保持在卡盘工作台(8)上，利用磨削磨具(46)对被加工物(W)的背面(Wb)进行磨削。在树脂磨削步骤中，一边对磨削磨具(46)上附着的树脂(100a)进行清洗一边实施磨削，因此能够在同一装置内对包覆于被加工物(W)的正面(Wa)的树脂(100a)和被加工物(W)的背面(Wb)进行磨削。
搜索关键词：	被加工物树脂磨削磨削磨具加工装置平坦化加工背面硬化树脂硬化步骤卡盘工作台包覆树脂同一装置包覆的树脂包紫外线包覆附着清洗照射
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【主权项】：

1.一种被加工物的加工方法，对包覆在被加工物的正面上的树脂进行磨削以及对被加工物的背面进行磨削，该被加工物在该正面上的由呈格子状形成的多条分割预定线划分的各区域中形成有器件，其中，该被加工物的加工方法具有如下的步骤：树脂包覆步骤，在被加工物的该正面上包覆该树脂；树脂硬化步骤，对所包覆的该树脂照射紫外线而使该树脂硬化；树脂磨削步骤，利用磨削磨具对已硬化的该树脂进行磨削而使该树脂平坦化；以及被加工物磨削步骤，将平坦化后的被加工物的该树脂侧保持在卡盘工作台上，利用磨削磨具对被加工物的该背面进行磨削，在该树脂磨削步骤中，一边对该磨削磨具上附着的该树脂进行清洗一边实施磨削。

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摘要：提供被加工物的加工方法和加工装置，不使磨削的工序数增加便能够高效地对被加工物进行加工。被加工物的加工方法包含如下的步骤：树脂包覆步骤，在被加工物(W)的正面(Wa)上包覆树脂(100)；树脂硬化步骤，对所包覆的树脂(100)照射紫外线而使该树脂(100)硬化；树脂磨削步骤，利用磨削磨具(46)对已硬化的树脂(100a)进行磨削而使该树脂(100a)平坦化；被加工物磨削步骤，将平坦化后的被加工物(W)的树脂(100a)侧保持在卡盘工作台(8)上，利用磨削磨具(46)对被加工物(W)的背面(Wb)进行磨削。在树脂磨削步骤中，一边对磨削磨具(46)上附着的树脂(100a)进行清洗一边实施磨削，因此能够在同一装置内对包覆于被加工物(W)的正面(Wa)的树脂(100a)和被加工物(W)的背面(Wb)进行磨削。

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摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成阻挡层；去除部分阻挡层，在阻挡层内形成露出衬底的第一开口；在第一开口内填充牺牲层材料；去除剩余阻挡层，形成牺牲层；去除牺牲层露出的部分衬底，在衬底内形成第二开口；在第二开口底部以及牺牲层上表面形成金属层；去除所述牺牲层。本发明在形成牺牲层之前，在所述衬底上形成阻挡层，在阻挡层内形成第一开口，在所述第一开口内填充牺牲层材料，以形成牺牲层，使位于边缘的牺牲层具有足够的厚度，避免了由于形成第二开口时所述牺牲层的损耗而露出所述衬底，减少了去除牺牲层后牺牲层边缘的膜层残余，提高了器件制造的良品率，降低了器件制造的成本。

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摘要：本发明总体上涉及用于新兴存储装置的电介质修复。提供了包括提供包含多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠的系统和方法。该多个层包括电介质层和金属层。NVRAM堆叠的金属层被图案化。所述图案化对电介质层的横向侧部造成损害。所述电介质层的横向部分是通过沉积电介质材料在所述电介质层的横向侧部来修复的。

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摘要：本发明公开了一种多层结构的顶部膜层的去除方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成由多层结构形成的图形结构；步骤二、在多层结构的间隔区域中形成刻蚀速率小于顶部膜层的有机保护层，有机保护层保证将顶部膜层的表面露出以及将中间被保护膜层的侧面覆盖；步骤三、采用第一次湿法刻蚀工艺去除顶部膜层；步骤四、去除有机保护层。本发明能在去除顶部膜层过程中对底部的膜层进行保护，防止多层结构的底切或倒掉。

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申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明公开了一种半导体器件有源区结构的制造方法及用该方法制造的产品。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，氧化硅层以及衬底，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内壁沉积张应力氧化物层，所述张应力氧化物层的厚度小于隔离沟槽的深度；对所述张应力氧化物层进行紫外线辐射处理，以形成张应力增强的氧化物层。

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摘要：可以用臭氧气体或用去离子水和臭氧气体处理基板上的聚合物层，以提高在化学机械抛光(CMP)工艺中所述聚合物层的去除速率。所述臭氧气体可以直接地扩散到所述聚合物层中或穿过所述聚合物层的表面上的去离子水薄层扩散到所述聚合物层中。还可以在所述工艺期间加热所述去离子水，以进一步增强所述臭氧气体向所述聚合物层中的所述扩散。

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申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法。该晶圆加工方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。

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摘要：本文的技术提供了基于蚀刻的平面化技术。在基底上沉积初始膜。由于下层结构的区域密度不同(例如，开放区域与紧密间隔的沟槽相比)，该初始膜的沉积导致非平坦膜。执行蚀刻工艺，其使用反向滞后RIE工艺来平坦化初始膜，然后可以沉积膜材料的另一涂层，从而产生平坦表面。这样的技术可以在不使用化学机械抛光(CMP)的情况下平坦化基底。

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申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：一种用于形成半导体器件的方法实施例包括提供具有损坏的表面的介电层以及修复介电层的损坏的表面。修复损坏的表面包括：将介电层的损坏的表面暴露于前体化学物质，使用光能活化前体化学物质，以及当活化前体化学物质时，过滤掉光能的光谱。本发明还涉及用于光辅助工艺中的损坏减小的系统和方法。

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申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/3105
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摘要：本发明提供了一种平坦化方法，由第二填充层替代传统的反向工艺中的光刻胶覆盖于第一填充层表面，通过第一次化学机械研磨去除第一填充层中第二凹陷以外的第二填充层，并以第二凹陷内的第二填充层为掩膜，利用第一次刻蚀去除大部分的第一填充层，在去除第二凹陷内的第二填充层后，通过第二次化学机械研磨去除剩余的第一填充层，由此在避免化学机械研磨工艺产生的严重的负载效应的同时，降低了工艺成本。

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发明人：刘庆;王福喜;昂开渠;任昱;吕煜坤;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：将待处理晶圆设置在卡盘上，所述待处理晶圆完成干法刻蚀；在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在所述待处理晶圆的正面通过氩气；通过顶针将所述待处理晶圆顶起；进行湿法刻蚀工艺。本发明提供的晶圆处理方法中，在待处理晶圆完成干法刻蚀后，在所述待处理晶圆的背面通入氦气，在冷却晶圆的同时作为传递静电荷的载体清除待处理晶圆上的静电荷，在所述待处理晶圆的正面通入氩气带走晶圆表面的静电荷，然后通过顶针将所述待处理晶圆顶起，可改善动态对准偏移，防止动态对准偏移过大带来破片的风险，有效避免在湿法刻蚀中形成的球状缺陷，从而提高了产品良率。

化学机械研磨方法-201711240744.0
发明人：吴建荣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明涉及一种化学机械方法，包括：提供晶圆，所述晶圆表面的均一性超出标准值；在所述晶圆表面形成一覆盖层，所述覆盖层与所述晶圆顶层膜的材质相同；判断所述晶圆表面膜厚分布，对所述晶圆表面进行研磨，且所述晶圆表面膜厚大的区域的研磨速率大于膜厚小的区域的研磨速率，从而提高晶圆表面的均匀性。

绝缘填充层的表面平坦化方法-201711139310.1
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明提供了一种绝缘填充层的表面平坦化的方法。通过在绝缘填充层的顶部形成一暂时性表面保护层，并利用暂时性表面保护层修饰绝缘填充层的顶表面部分的形貌，以进一步优化从绝缘填充层顶表面凸出的突起的轮廓，使暂时性表面保护层中覆盖在突起侧壁上的保护侧壁和与之连接的保护表层之间的夹角具备较大的角度，有效降低了修饰后的突起的内应力，从而在研磨压力的作用下执行化学机械研磨工艺时，可使突起仍能够从其顶部至底部逐渐消耗，避免了突起发生断裂并在绝缘填充层的内部产生裂纹的问题。

为改善层间介电层经化学机械研磨的碟状效应的悬浮格状冠型多晶硅-201710741291.3
发明人：陈昭雄;范富杰;陈奕寰;郑光茗;霍克孝;刘思贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明实施例涉及一种为改善层间介电层经化学机械研磨的碟状效应的悬浮格状冠型多晶硅，具体涉及一种集成电路IC及一种用于制造所述集成电路的方法。多晶硅层形成于衬底的第一区域上方且具有相对于彼此堆积以界定第一堆积密度的多个多晶硅结构。虚拟层形成于所述衬底的第二区域上方且具有相对于彼此堆积以界定第二堆积密度的多个虚拟结构，其中所述第一堆积密度及第二堆积密度基本上是类似的。层间介电层形成于所述衬底的所述第一区域及第二区域上方。在形成所述层间介电层之后，通常由所述第一堆积密度及第二堆积密度抑制与化学机械研磨并发的所述衬底的至少第二区域的碟状效应。

绝缘层形成方法-201310129648.4
发明人：邓浩;严琰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/3105
摘要：本发明提供了一种绝缘层形成方法，所述绝缘层形成方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成PETEOS层，并对所述PETEOS层执行CMP工艺；对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，所述等离子体处理所使用的离子为氧离子；在经过等离子体处理的PETEOS层上形成无定形碳层。通过对经过CMP工艺的PETEOS层执行等离子体处理，去除了PETEOS层表面的碳残留，从而避免了无定形碳层上形成凸起，提高了无定形碳层的质量。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]被加工物的加工方法和加工装置在审

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