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[实用新型]非制冷红外探测器-CN202320148099.4有效
发明人：李胜利;徐云霞;汪新学 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非制冷红外探测器，包括：基底、反射镜、导电吸气剂锚柱、微桥及热敏电阻；基底内设置有读出电路，所述导电吸气剂锚柱与读出电路电连接，所述微桥架设于导电吸气剂锚柱上，所述热敏电阻位于微桥背离导电吸气剂锚柱的表面，所述反射镜位于微桥、基底和导电吸气剂锚柱围成的谐振腔内。本申请经改善的结构设计，将导电吸气剂锚柱设置于探测器内，使其成为探测器结构的一部分，能够在不额外增加探测器尺寸的情况下，充分发挥吸气剂功能，有助于探测器的小型化。同时，导电吸气剂锚柱不仅能支撑微桥，由此使微桥悬空形成光学谐振腔，而且能起到连接热敏电阻和读出电路的导电作用，有助于提高探测器性能。
制冷红外探测器

[发明专利]一种半导体器件集成结构及方法-CN201911397206.1有效
发明人： 汪新学;王敬平;吴月含;孙超;李洪波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件集成结构及方法，其中集成方法包括：提供第一结构，第一结构从上至下包括：第一介质层、第一有机膜层、基板，基板中嵌设有多个第二电子器件，定义通孔及通孔外周设定范围的区域为第一区域，去除第一区域的第一介质层；在第一区域形成第二有机膜层，第二有机膜层与第一有机膜层的热膨胀系数之差的绝对值小于第一介质层与第一有机膜层热膨胀系数之差的绝对值，第二有机膜层的柔性大于第一介质层的柔性；形成通孔，贯穿第二有机膜层和第一有机膜层，通孔的底部暴露出第二电子器件；在通孔中形成导电插塞，导电插塞连接第二电子器件。
一种半导体器件集成结构方法

[发明专利]一种封装方法及封装结构-CN201911370878.3有效
发明人：王敬平;汪新学 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种封装方法及封装结构，包括：提供透光基板、芯片和器件基板，所述芯片的正面包括感光区域和环绕所述感光区域的外围区域，所述外围区域设有导电焊盘，所述器件基板的正面包括用于电连接所述导电焊盘的芯片连接电路；在所述透光基板上形成支撑框架，所述支撑框架包括支撑区、焊盘引出区和窗口区；在所述支撑框架上形成从所述支撑区延伸至所述焊盘引出区的焊盘连接结构；将所述芯片正面倒置在所述支撑框架的支撑区上，并使所述导电焊盘与所述支撑区的焊盘连接结构对应相连，将所述支撑框架的焊盘引出区固定至所述器件基板的正面，并使焊盘连接结构与所述芯片连接电路对应相连，提升了工艺稳定性，进而提高了器件的良率。
一种封装方法结构

[发明专利]半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法-CN202011191913.8在审
发明人：黄河;汪新学;徐海瑛;王敬平 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法，其中，半导体基板从下至上包括：叠置的衬底层、绝缘层和半导体层；所述绝缘层和所述半导体层在所述衬底层表面方向上的投影位于所述衬底层的边界内；静电环，环绕于所述绝缘层和所述半导体层的外周，且所述静电环的内侧壁与所述半导体层的外侧壁相接，所述静电环的底部延伸至所述衬底层；所述半导体基板包括器件区和非器件区，所述静电环设置于所述非器件区。本发明通过在半导体基板的绝缘层和半导体层的外周形成连接衬底层和半导体层的静电环，在后续刻蚀工艺中在半导体层中产生的静电荷可以通过静电环进入衬底层，防止尖端放电。
半导体及其制造方法半导体器件结构

[发明专利]半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法-CN202011195900.8在审
发明人：黄河;汪新学;徐海瑛;王敬平 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法，其中，半导体基板从下至上包括：叠置的衬底层、绝缘层和半导体层；静电体，贯穿所述半导体层和所述绝缘层，所述静电体的底部延伸至所述衬底层，所述半导体基板包括器件区和非器件区，所述静电体设置于所述非器件区。本发明的半导体基板通过在非器件区形成静电体，在后续刻蚀工艺中在半导体层中产生的静电荷可以通过静电体进入衬底层，防止尖端放电。
半导体及其制造方法半导体器件结构

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN201710556820.2有效
发明人：张建华;汪新学;王明军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有栅极介电层，在所述栅极介电层上形成有隔离层；在所述隔离层的侧壁上形成间隙壁并覆盖部分所述栅极介电层；在所述隔离层和所述栅极介电层上形成栅极结构。所述方法可以避免形成残留难以去除的问题，可以进一步提高半导体器件的性能和良率。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]器件封装方法及器件封装结构-CN201911382883.6在审
发明人： 汪新学;向阳辉;马云苗;王敬平 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：器件封装方法及器件封装结构，所述方法包括：提供衬底，并在所述衬底的同一表面固定条形伪芯片和器件芯片，固定有所述条形伪芯片和器件芯片的表面为所述衬底的正面，所述条形伪芯片将所述衬底的正面分割成至少两个区域，所述条形伪芯片高于所述器件芯片；对所述衬底进行封塑工艺，形成覆盖所述器件芯片和所述条形伪芯片的封塑层；对所述封塑层进行研磨，露出所述条形伪芯片。采用上述方案，可以减小封装结构的翘曲度，提高封装工艺的良率。
器件封装方法结构

[发明专利]封装方法-CN201911370902.3在审
发明人： 汪新学;龚罗炜;王敬平;陶智昆 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种封装方法，包括：提供载体晶圆；提供半导体芯片，包括待键合面，待键合面上形成有粘胶层；对粘胶层进行第一加热处理，使粘胶层处于第一温度；对载体晶圆进行第二加热处理，使载体晶圆处于第二温度，第二温度小于第一温度；通过粘胶层将半导体芯片键合在载体晶圆上。本发明实施例对载体晶圆进行第二加热处理，载体晶圆处于第二温度，第二温度小于第一温度，使得载体晶圆的温度与粘胶层的温度差不至于过大，从而将处于第一温度的粘胶层键合在处于第二温度的载体晶圆上的过程中，粘胶层的收缩量较小，粘胶层底部的边缘区域不易卷曲，因此粘胶层底部的边缘不易与载体晶圆贴合，使得后续过程中更易去除气泡，有利于提高封装方法的封装性能。
封装方法

[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法-CN201710867168.6有效
发明人：王明军;汪新学;闾新明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种MEMS麦克风及其形成方法，所述MEMS麦克风包括：基板，基板包括功能区和包围功能区的支撑区，所述功能区基板中具有背腔，所述背腔贯穿所述基板；位于所述功能区基板上的第一电极膜，所述第一电极膜横跨所述背腔；位于所述支撑区基板上的支撑件，所述支撑件包括拐角区，所述拐角区包括第一拐角面和第二拐角面，所述第一拐角面与第二拐角面相交形成拐角；位于所述功能区第一电极膜上的第二电极膜，所述第二电极膜与所述支撑件接触，所述第二电极膜与所述第一电极膜之间具有间隙；位于所述支撑件拐角区表面的保护层。其中，在所述第二电极膜振动的过程中，所述保护层能够保护所述拐角，防止所述拐角开裂，从而能够延长MEMS麦克风的寿命。
mems 麦克风及其形成方法

[发明专利]麦克风的制造方法-CN201710511741.X有效
发明人：王明军;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底；形成从所述衬底的表面延伸到所述衬底中的环形开口；在所述环形开口中形成隔离材料，以形成环形隔离部；在形成所述环形隔离部后的衬底之上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成前侧器件；以及以所述环形隔离部和所述绝缘层作为蚀刻停止层对所述衬底的底面进行刻蚀，从而形成背孔。
麦克风制造方法

[发明专利]粘合力检测方法以及检测系统-CN201911259665.3在审
发明人： 汪新学;王敬平;陶智昆 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：一种粘合力检测方法以及检测系统，检测方法包括：提供基底，所述基底包括承载晶圆；在所述承载晶圆上形成塑封层；形成所述塑封层后，对所述塑封层和基底进行切割处理，将切割出的所述基底作为待检测结构；在所述切割处理后，检测所述待检测结构上的塑封层与相对应的所述待检测结构之间的粘合力。本发明在形成塑封层的步骤中，所述塑封层形成在承载晶圆上，且在切割处理之后再检测粘合力，因此，所述检测方法能够模拟实际生产中，塑封制程本身以及塑封制程前后各个工序的工艺条件，并获得在所述工艺条件影响下的粘合力，从而提高了检测结果的可靠性。
粘合检测方法以及系统

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201310743202.0有效
发明人：黄河;李海艇;金兴成;汪新学;赵洪波;陈福成;向阳辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，可以通过深绝缘沟槽以及介电盖帽层对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件，具有深绝缘沟槽以及介电盖帽层，可以对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201610331037.1有效
发明人：王明军;汪新学;邢超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成有多个光电二极管，在半导体衬底的正面形成有介电层和图案化的硬掩膜层；依次刻蚀介电层和部分半导体衬底，以在光电二极管之间形成多个通孔开口；在通孔开口中填充金属层以形成多个通孔；对半导体衬底的背面进行减薄处理停止于通孔中；从半导体衬底的背面开始刻蚀半导体衬底，停止于介电层上，以形成多个位于光电二极管和通孔之间的隔离沟槽，其中每个隔离沟槽的俯视形状为环形，每一隔离沟槽包围一光电二极管。本发明的制造方法减少了氧化硅的使用量，降低了制造工艺的成本，提高了器件的可靠性和性能。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[实用新型]一种承载晶圆的升降装置-CN201922421190.5有效
发明人： 汪新学;陶智昆 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种承载晶圆的升降装置，包括：升降台，用于承载晶圆，可上下移动，升降台上设有贯穿升降台的至少一第一通孔和至少一第二通孔，至少一第一通孔围成环形，环形内部能够容纳水平放置的晶圆，至少一第二通孔位于环形内部；第一晶圆支撑件，位于升降台的上表面、环形内部；第二晶圆支撑件，通过第二通孔贯穿升降台，且升降台能够沿第二晶圆支撑件上下移动；当升降台降落时，晶圆由第二晶圆支撑件支撑；当升降台升起时，晶圆由第一晶圆支撑件支撑；限位结构，通过第一通孔贯穿升降台，且限位结构的上表面高于第二晶圆支撑件的上表面，升降台能够沿限位结构上下移动，限位结构环绕于晶圆的外周，用于限制晶圆的水平移动。
一种承载升降装置

[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法-CN201710595887.7有效
发明人：张建华;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS麦克风及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括相对的第一面和第二面，基底包括功能区和包围功能区的支撑区；在功能区基底第一面上形成背极膜，背极膜包括位于表面的第一背极膜，背极膜中具有背极孔，背极孔贯穿所述背极膜，背极孔中具有孔塞；在支撑区基底第一面上形成背极载膜，背极载膜与所述背极膜连接；在第一背极膜表面和所述孔塞上形成停止层，停止层的材料与所述第一背极膜的材料不相同；在停止层上形成阻挡层；对阻挡层进行第一图形化处理，形成阻挡件，阻挡件暴露出所述孔塞。停止层能够对所述第一图形化处理过程进行控制，减小第一背极膜的损耗，从而能够精确控制第一背极膜的厚度。
mems 麦克风及其形成方法

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