专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种感应芯片超薄封装结构及其封装方法-CN202311069443.1在审
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-08-24 - 2023-10-27 - H01L23/31
  • 本发明申请公开了一种感应芯片超薄结构及其封装方法,包括封装层,所述封装层包封有裸片和裸片的引出端,所述封装层内还包封有:从下往上依次连接的连接柱A、连接柱B和连接柱C,所述连接柱A底面与封装层底面共面并暴露,所述连接柱C的顶面与封装层顶面共面并暴露,所述连接柱A、连接柱B和连接柱C的侧面与封装层侧面共面并暴露,保证封装层的垂直贴装;布线层,所述布线层电性连接裸片的引出端和连接柱B,达到超薄的封装要求,而且可以将产品竖直贴片,不需要更改设备,工艺成本可控,前部流程可分别进行,工艺节拍加快,工作效率增加,可防止出现断层,结构稳定性增加,保证爬锡效果检测,保证焊接质量。
  • 一种感应芯片超薄封装结构及其方法
  • [发明专利]一种面板级封装可焊性镀层的制作方法-CN202310733335.3在审
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-10-17 - H01L21/48
  • 本发明申请公开了一种面板级封装可焊性镀层的制作方法,包括以下步骤:涂胶步骤:在封装面板暴露焊盘的一面涂覆粘接胶;蚀刻步骤:在涂粘接胶的一面蚀刻出缺口,以完全暴露出焊盘;焊接步骤:在缺口处涂上焊料,缺口处焊料与焊盘焊接为一体,形成焊柱;研磨步骤:将焊柱和粘接胶研磨,研磨面为一平面;去胶步骤,本申请通过粘接胶涂覆、蚀刻、填焊料、焊接和去胶,形成凸出的焊层,所用的设备都是产线现有的设备,不需要额外采购其他特别的设备,不需要采用昂贵的化学药水,相对于电镀锡和化锡工艺,成本降低,工艺简单,可以根据实际生产的需要制作焊层的厚度,没有焊层的损失风险,产品设计的自由度好。
  • 一种面板封装可焊性镀层制作方法
  • [发明专利]一种芯片堆叠结构及其封装工艺-CN202311105832.5在审
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-08-30 - 2023-10-13 - H01L23/58
  • 本发明申请公开了一种芯片堆叠结构及其封装工艺,包括封装层,所述封装层内包封有裸片,所述裸片上设有电性引出端,所述封装层中还包封有:保护件,所述保护件上下两面连接有金属块,所述保护件上方的金属块与裸片电性连接,所述保护件下方的金属块底面与封装层齐平并暴露,保护件减小裸片电性浪涌;焊盘,所述焊盘与保护件下方的金属块共面并暴露于封装层;布线层,所述布线层电性连接裸片的电性引出端至焊盘,本申请有效降低浪涌,保护后级电路,保护件与裸片堆叠后整体封装,代替传统电阻和裸片分别封装,占用贴装空间大幅度减小,而且工艺简单,减少布线量,工艺和后续维护成本降低,结构稳定,散热面积大。
  • 一种芯片堆叠结构及其封装工艺
  • [发明专利]芯片贴装设备及贴装芯片的方法-CN201611141417.5有效
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2016-12-12 - 2023-09-26 - H01L21/67
  • 本发明提供一种芯片贴装设备及贴装芯片的方法,所述芯片贴装设备包括芯片取放装置、第一点胶装置及第二点胶装置,所述芯片取放装置用于吸取芯片并将所述芯片放置在基板上,所述第一点胶装置及第二点胶装置用于向基板的贴片位置注入粘结剂,所述第一点胶装置及第二点胶装置分设在所述芯片取放装置的两侧。本发明的优点在于,在芯片取放装置两侧均设置点胶装置,贴片与点胶同时进行,极大地提高了生产效率。
  • 芯片装设方法
  • [发明专利]封装结构及封装方法-CN201910165399.1有效
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2015-06-16 - 2023-09-26 - H01L23/31
  • 公开了一种封装结构,包括:基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;管芯,所述管芯具有相对的有源面和背面,所述管芯设置于所述基板的第一表面,所述管芯的背面邻近所述基板的第一表面并且所述管芯的有源面设置有焊盘;第一包封体,覆盖所述管芯;互连结构,所述互连结构穿过所述第一包封体与所述焊盘电连接;第二包封体,覆盖所述互连结构;以及重布线结构,所述重布线结构与所述互连结构电连接,并且提供外部电连接。
  • 封装结构方法
  • [实用新型]一种辅助贴干膜用气体氛围保护装置及贴膜机-CN202321217955.3有效
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-09-26 - H01L21/67
  • 本实用新型申请公开了一种辅助贴干膜用气体氛围保护装置及贴膜机,包括连通的加热部和匀气部,所述加热部内部设置有加热装置,外部设置有入口端,该保护装置外表面设置有气嘴,且还包括:安装槽,所述安装槽设置在该保护装置内壁;调节阀,所述调节阀嵌入安装槽中与该保护装置活动连接,调节阀连通在气嘴的底端,以实现气嘴出口的角度调节,气体从入口端经过调节阀后由气嘴出口排出朝向贴膜机贴膜位置,本实用新型申请其尺寸可以按照现有的贴膜机的结构尺寸设计,灵活安装,可以保证贴膜机贴多层干膜而无任何影响,氮气出口的气嘴可以调节流量大小和关闭,气嘴的气流方向可以灵活调节,可适合不同类型贴膜机的使用环境。
  • 一种辅助贴干膜用气体氛围保护装置贴膜机
  • [发明专利]一种半导体封装的切割方法-CN202210256413.0在审
  • 魏厚韬 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2022-03-16 - 2023-09-22 - H01L21/78
  • 本发明提供的一种半导体封装的切割方法,将切割平台台面与水平面具有夹角设计不为0°,将需要切割的含有多个芯片的整体封装体固定在切割平台台面上,在整体封装体的纵向上,从整体封装体的底端的一排芯片的两端均进行纵向切割,且切割长度不超过整体封装体底端的一排芯片的相邻一排芯片的位置,然后进行横向切割,横向切割时,是从整体封装体的左端边缘直接切割刀右端边缘,且横向切割经过纵向切割所形成的切割道,横向切割后,整体封装体底端的一排芯片由于受到重力的作用,直接掉落,并进行收集,再重复进行上述的纵向切割和横向切割,直到整体封装体切割完全为止。不需要进行人工刮落并收集,省时省力,且大大增加了生产效率。
  • 一种半导体封装切割方法
  • [发明专利]一种晶圆片化学镀的治具及工艺-CN202310609462.2在审
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-09-19 - C23C18/16
  • 本发明申请公开了一种晶圆片化学镀的治具及工艺,晶圆刷胶步骤:在晶圆背面涂覆一层粘接胶,该粘接胶厚度范围为80~200μm;支撑片开孔步骤:在支撑片中心位置开孔,其他的开孔位置围绕该圆心开孔呈圆形展开;支撑片粘接步骤:将支撑片粘接在晶圆刷粘接胶的一面,支撑片通过粘接胶粘附在晶圆的背面,以形成晶圆的背面保护和支撑,所述晶圆刷胶步骤中,还包括晶圆放置步骤:在真空吸附载台上放置一无尘纸,将晶圆正面吸附在真空吸附载台上无尘纸的中心,本申请通过粘接胶保护晶圆背面,蓝胶把晶圆和支撑片连接在一起,形成治具,对薄片晶圆起到支撑保护作用,可以同时解决薄片晶圆化镀过程中的破片、清洗和支撑问题。
  • 一种晶圆片化学工艺
  • [发明专利]一种功率芯片混合凸点的结构、制作方法及半导体器件-CN202310733481.6在审
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-08-29 - H01L21/48
  • 本发明申请公开了一种功率芯片混合凸点的结构、制作方法及半导体器件,包括源极镀焊层步骤:在晶圆表面涂覆粘接胶并蚀刻后暴露出源极,源极区镀覆一层焊层;金属片电镀步骤:提供一覆层板,在覆层板金属层面贴附感光膜并蚀刻,后暴露出金属层面并在该处镀覆镀层,去除感光膜和覆层板基体,并切割为单一金属片;源极凸点制作步骤:在源极涂覆焊料,将金属片镀层面贴附在焊料上并焊接牢固,完成源极凸点制作;栅极凸点制作步骤:将铜球通过引线键合的方式在栅极上制作凸点,本申请通过采用混合方式分开制作凸点,避免焊接过程中源极和栅极两个区域存在连接短路的风险,导电散热性能好,工艺简单,降本增效。
  • 一种功率芯片混合结构制作方法半导体器件
  • [发明专利]一种功率芯片凸点的结构及其制作方法-CN202310733361.6在审
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-06-20 - 2023-08-29 - H01L21/48
  • 本发明申请公开了一种功率芯片凸点的结构及其制作方法,包括以下步骤:焊层制作步骤:在芯片的电极区金属层上制作焊层,以保护功能区;填料步骤:在焊层上涂覆保护膜,蚀刻保护膜,暴露出焊层顶面;焊接步骤:在暴露的焊层顶面填上焊料,并将对应尺寸的焊球放置在焊料上进行焊接固定;去膜步骤:去除涂覆的保护膜并清洗,完成凸点的制作,所述焊层制作步骤中,焊层为镍金或镍钯金通过化学镀的方式制作形成,其厚度为3~5μm,本申请键合时间短,工作效率高,焊层可以有效避免铜和铝的接触应力和接触电阻的形成,焊料和焊球的焊接方式可以保障电导通性能,有效发挥芯片的性能,同时设计上有较大的灵活性。
  • 一种功率芯片结构及其制作方法
  • [发明专利]一种可变电阻器件的制作方法-CN202310876872.3在审
  • 张光耀 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-08-22 - H01C7/02
  • 本发明申请公开了一种可变电阻器件的制作方法,包括以下步骤:蚀刻步骤:提供具有电极层和可变层的板材,蚀刻第一电极层,形成切割道口,可变层部分表面暴露于切割道口;让位槽形成步骤:沿切割道口切割可变层,形成让位槽,第二电极层部分表面暴露于让位槽,让位槽宽度<切割道口宽度,避免第一电极层和可变层的拉丝相互粘连;让位台阶形成步骤:于让位槽处继续切断第二电极层,形成器件单元,切割后边缘外伸的第二电极层构成让位台阶,本申请由于让位台阶的外伸和让位槽的让位空间,拉丝不会直接接触到中部的可变层,不会对周边线路产生影响,在第二电极层蚀刻出缺口,第二电极层拉丝减少,切割皱褶减少。
  • 一种可变电阻器件制作方法
  • [发明专利]一种感应芯片封装结构、工艺及半导体器件-CN202310567944.6有效
  • 张光耀 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-08-15 - H01L23/488
  • 本发明申请公开了一种感应芯片封装结构、工艺及半导体器件,包括封装体,所述封装体内包封有裸片和与裸片电性连接的RDL,所述封装体内还包封有:金属层,所述金属层通过蚀刻包封面为镀孔,电镀镀孔壁面和包封面形成,镀孔壁面的金属层切割后暴露;顶焊盘和底焊盘,分别与相应的金属层在包封面连接,以将封装体对应直角边均匀包裹,本发明申请可对应选择封装结构贴装面,合理利用焊接板的空间,芯片贴装面可变,灵活性好,焊接点多,焊接效果好,通过钻孔的方式在镀孔内壁面和包封面形成金属层,再在金属层端面电镀焊盘,金属层与包封料的接触面积增加,两者之间的结合力增强,焊盘结构更加稳定,工艺流程简单,成本较低。
  • 一种感应芯片封装结构工艺半导体器件
  • [发明专利]一种芯片封装体测试方法-CN202310420201.6在审
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-04-19 - 2023-07-14 - H01L21/66
  • 本发明申请公开了一种芯片封装体测试方法,包括以下步骤:上料步骤:将载体放置到上料机构中,该载体为带有封装体的基板或框架,封装体内封装有至少一个待测的芯片,以封装体代替放置芯片的料盘;测试步骤:调用测试程序,对一待测的芯片进行测试分BIN,之后立即调用另一测试程序,继续对分BIN后的这一待测芯片进行测试;逐一测试待测的芯片,本申请芯片包封在封装体内部测试后再切割,芯片空间排列更加紧密,合理利用空间,测试时间更节省,料盘和底座不需要根据芯片形状和尺寸定制,节约成本,对一芯片连续调用不同的测试程序测试,之后再测试其他芯片直至完成所有芯片的测试,避免程序项目被跳过,测试更完整。
  • 一种芯片封装测试方法
  • [发明专利]一种芯片封装体分离切割方法-CN202310372685.1在审
  • 刘勇 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-04-10 - 2023-06-27 - H01L21/78
  • 本发明申请公开了一种芯片封装体分离切割方法,包括以下步骤:开槽步骤:将封装体的芯片面朝下放置,蚀刻封装体远离芯片面的一面,在切割道位置均匀蚀刻出槽口;贴膜步骤:将封装体开槽口的一面朝下放置并贴在水平的固定膜上;切割步骤:控制刀片的切割高度,刀片在切割道位置切割封装体至槽口;去膜步骤:将切割完成的产品脱离固定膜,本发明申请从根本上解决了小封装产品使用Tape saw过程的残胶问题;取消残胶清洗过程,节约封装的清洗成本和人员成本;极大的缩小了Tape saw工艺对UV膜种类的选择范围,可以使用国产化替代,极大的降低了UV膜的成本;激光的开槽工艺和设备的成熟为一次性投入降低了物料的消耗成本。
  • 一种芯片封装分离切割方法
  • [发明专利]一种芯片表面贴装焊接结构及其工艺-CN202310286610.1在审
  • 张光耀 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-06-09 - H01L21/60
  • 本发明申请公开了一种芯片表面贴装焊接工艺,包括以下步骤:焊盘层形成步骤:在载板上设置焊盘层,用以将连接点高度增加;芯片贴装步骤:将芯片电性连接位置对准焊盘层的连接点,并连接固定;整体包封步骤:整体包封,形成一封装体,芯片电性通过焊盘层传至载板,所述焊盘层形成步骤中,焊盘层的材质为铜,其通过电镀的方式形成在载板一表面,所述焊盘层形成步骤中,焊盘层的高度≥50μm,本申请由于焊盘层的增高,可有效降低焊接时连锡而短路的风险,而且可以使用颗粒度较高的锡膏,成本降低,避免爆锡和锡珠问题,对于需要器件表面包封的产品,底部灌胶充足,能有效避免包封气孔,电性稳定。
  • 一种芯片表面焊接结构及其工艺

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