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[发明专利]一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法-CN202310741387.5在审
发明人：贾宪生;张子旸;陈红梅 -专利权人：青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备倾斜端面超辐射发光管的方法，包括如下步骤：s1、制备外延片，s2、制备波导结构，s3、制备倾斜端面，s4、制备电极窗口，s5、制备P面电极，s6、减薄和抛光，s7、制备N面电极，s8、退火，获得倾斜端面超辐射发光管。该制备倾斜端面超辐射发光管的方法采用标准半导体工艺，并在流程中引入法拉第笼等电位面诱导等离子体倾斜方向刻蚀制备倾斜端面，操作简单、生产效率高，可以批量制备倾斜端面超辐射发光管。
一种制备倾斜端面辐射发光方法

[发明专利]一种具有抑制光吸收损耗上波导层的半导体激光器-CN202310936334.9在审
发明人：陈婉君;王星河;刘紫涵;胡志勇;蔡鑫;张江勇;李水清;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有抑制光吸收损耗上波导层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层和上限制层，所述有源层与上限制层之间设置有上波导层，所述上波导层具有导带有效态密度、电子亲和能以及击穿场强的分布特性。本发明的抑制光吸收损耗的上波导层具有导带有效态密度、电子亲和能以及击穿场强的分布特性，从而形成光场隔离和限制区，阻挡光场往上限制层扩散，降低上限制层的杂质光吸收损耗、缺陷光吸收损耗；同时，调控折射率色散，减少激光器在高浓度载流子浓度下的折射率波动，降低载流子光吸收损耗和波导结构侧壁散射损耗，进而降低激光器的光吸收损耗，提升限制因子和光功率。
一种具有抑制光吸收损耗波导半导体激光器

[发明专利]氮化物系半导体发光元件-CN202280014555.4在审
发明人：高山彻 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：氮化物系半导体发光元件(100)具备半导体层叠体(100S)，半导体层叠体(100S)具有：N型第1包覆层(102)、N侧引导层(104)、活性层(105)、P侧第1引导层(106)、P侧第2引导层(107)、以及P型包覆层(110)，P侧第2引导层(107)的带隙能量比N侧引导层(104)的带隙能量大，N侧引导层(104)的带隙能量为P侧第1引导层(106)的带隙能量以上，在将P侧第1引导层(106)的膜厚设为Tp1、将P侧第2引导层(107)的膜厚设为Tp2、将N侧引导层(104)的膜厚设为Tn1时，满足Tn1＜Tp1+Tp2的关系。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]一种基于沟道波导衬底的半导体激光器及其制备方法-CN202211118287.9有效
发明人：李洵;牛传宁;奚燕萍;李文 -专利权人：日照市艾锐光电科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于沟道波导衬底的半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器领域。所述半导体激光器的波导掩埋在N型衬底内部，不需要在外延生长有源区之后再在P侧制备脊条，从而可以有效降低激光器串联电阻。再结合P侧贴片技术，又可以有效降低热阻，从而可以保证激光器的高温特性不致劣化。其制备工艺相对简单，也不需要蚀刻有源区，因而器件制备的成品率高，可靠性高。
一种基于沟道波导衬底半导体激光器及其制备方法

[发明专利]激光二极管-CN202111184990.5有效
发明人：王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
激光二极管

[发明专利]一种设有自束缚激子层的半导体激光元件-CN202310471625.5在审
发明人：李水清;王星河;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;胡志勇;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有自束缚激子层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与下波导层之间和下波导层与下限制层之间设有自束缚激子层，自束缚激子层具有拓扑单斜相周期性铁电畴，形成强平面外自发极化诱导自束缚激子，将自由激子束缚能从10meV以下提升至20meV以上，降低激光的激子辐射的温度阈值，在室温或更高温度下可实现激子光辐射，同时，增强激光元件的激子辅助受激辐射，降低有源层的极化效应，降低量子限制斯塔克效应，降低激光元件的激发阈值，提升室温内下连续振荡，增强限制因子和增益均匀性，提升激光元件的光功率和斜率效率。
一种设有束缚激子半导体激光元件

[发明专利]一种具有层间热激子转换层的半导体激光元件-CN202310741353.6在审
发明人：胡志勇;王星河;蒙磊;黄军;张会康;季徐芳;陈三喜;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有层间热激子转换层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层与电子阻挡层之间和下限制层与下波导层之间设有层间热激子转换层，层间热激子转换层在激光元件的电荷输运过程中，形成不匹配的动量，产生极大量的层间热激子，并在额外能量释放后转换为紧束缚层间激子，提升激光元件有源层的峰值增益和改善热退化，减少非辐射复合中心，同时，改善激光元件的折射率色散，提升激光元件的限制因子，提升模式增益，从而提升激光元件有源层的辐射复合效率，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。
一种具有层间热激子转换半导体激光元件

[发明专利]一种带侧向光栅的超对称半导体激光器-CN202311108520.X在审
发明人：王宇飞;王利昌;董风鑫;周旭彦;张建心;李梦娜;张康;宫凯;傅廷 -专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种带侧向光栅的超对称半导体激光器，包括：沿外延方向由下至上依次堆叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层和超对称结构；所述超对称结构包括P型盖层和上接触层，上接触层堆叠在P型盖层上，超对称结构的中间部分为主波导，主波导的两侧设有子波导；所述子波导和主波导之间纵向设有侧向光栅，侧向光栅用于实现纵向模式的选择；所述主波导上设有P面电极。具有以下优点：采用超对称结构，在中间主波导在基侧模不被损耗的情况下，实现了大功率基侧模输出，通过设计侧向光栅的占空比，来实现标准光刻的制造，使用侧向光栅结构，通过在脊波导两侧刻蚀，得到光栅结构，避免了二次外延生长。
一种侧向光栅对称半导体激光器

[发明专利]一种泄露波导结构的半导体激光器件-CN202310714866.8在审
发明人：刘飞;李志虎;陈康 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种泄露波导结构的半导体激光器件，该器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下限制层、(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P模式扩展层、(Alx3Ga1‑x3)y3In1‑y3P下限制层、(Alx4Ga1‑x4)y4In1‑y4P下垒层、(Alx5Ga1‑x5)y5In1‑y5P下波导层、GaAsx6P1‑x6量子阱、(Alx7Ga1‑x7)y6In1‑y6P上波导层、(Alx8Ga1‑x8)y7In1‑y7P上垒层、(Alx9Ga1‑x9)y8In1‑y8P上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层。上述的激光器采用非对称大光腔结构设计，能够压缩光场，降低损耗，提高输出功率。
一种泄露波导结构半导体激光器

[发明专利]一种具有激子共振与霍尔输运层的半导体激光器-CN202310922737.8在审
发明人：张江勇;王星河;胡志勇;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有激子共振与霍尔输运层的半导体激光器。所含下限制层的第一下限制层、第二下限制层、第三下限制层、第四下限制层和第五下限制层组成具有Al强度、In强度、Si掺杂浓度、厚度、碳杂质浓度、氢杂质浓度和氧杂质浓度梯度结构设计，形成激子共振与霍尔输运结构，使激子赝自旋绕组数大于1，引起能谷激子分裂，产生激子共振，增强激子的霍尔输运和谷选择输运，提升载流子的倍增和辐射复合效率，降低光波导的传输损耗和吸收，改善激光器的模式增益，同时在不降低晶体质量的条件下增加限制层的折射率，降低光场模式泄漏，改善远场光场FFP的质量，降低激光器的阈值，提升激光功率和斜率效率。
一种具有激子共振霍尔输运半导体激光器

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202180092128.3在审
发明人：深町俊彦 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：降低氮化物半导体发光元件的发热，提高斜率效率。根据一方式的氮化物半导体发光元件，具备第一导电型氮化物半导体层、位于所述第一导电型氮化物半导体层上的活性层、位于所述活性层上的第二导电型氮化物半导体层、位于所述第二导电型氮化物半导体层的一部分的电流缩小层和位于所述第二导电型氮化物半导体层上且对由所述活性层产生的光透明的透明导电层。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]一种设有离子共轭层的半导体激光元件-CN202310252835.5在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;季徐芳;陈三喜;张江勇;蒙磊;刘紫涵;蔡鑫 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有离子共轭层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有离子共轭层,离子共轭层可提升摩尔吸收系数和补偿极化场，诱发局部极化进而调控载流子和费米能级，提升激光元件小兔子简并度，减少自由载流子的吸收损耗，促进受激辐射超过自发辐射，改善激光元件中谐振腔非平衡载流子的粒子反转，降低激射阈值，实现室温连续振荡，提升激光元件的斜率效率，并降低有源层的价带带阶，提升空穴注入效率和注入均匀性，提升激光元件的峰值增益和增益均匀性。
一种设有离子共轭半导体激光元件

[发明专利]激光二极管-CN202310728582.4在审
发明人：王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
激光二极管

[发明专利]高线性激光器芯片及其制备方法-CN202310612843.6在审
发明人：李景虎;薛贤铨;张兴宝;郑维银;田永猛 -专利权人：成都亿芯源半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请提出了一种长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片。其中，长波长半导体基片包括衬底和生长在衬底上的增益区；其中，增益区包括至少三个InGaAsP增益层，每个InGaAsP增益层包括上波导层、两层应变量子阱、量子垒和下波导层，相邻的两个InGaAsP增益层之间通过InP间隔层分隔。长波长半导体基片以及由该长波长半导体基片制得的长波长半导体激光器芯片能够对出光模场进行调控，实现芯片的低发散角和高的单模光纤耦合效率，从而提高长波长半导体激光器芯片的出光功率。
线性激光器芯片及其制备方法

[发明专利]一种具有高电容插入层的半导体激光元件-CN202310378754.X在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;黄军;蔡鑫;张江勇;胡志勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，具体涉及一种具有高电容插入层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间和/或下波导层与下限制层之间具有至少一层高电容插入层；所述高电容插入层Nb2CTx、Ti3C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、In2Se3、AgInP2S6、MgIn2S4、CdIn2S4一种或任意组合构成；高电容插入层具有超高电容200‑1000Fg‑1(10Vs‑1)和超高功率密度7‑50mW/cm，形成强大的电容可使激光器的HBM人体模式ESD从1KV通过率95％以上提升至2KV通过率95％以上，并增强空穴的迁移率和空穴注入效率，提升激光器的量子效率。
一种具有电容插入半导体激光元件

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