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[发明专利]一种外延结构和发光二极管-CN202110831413.4有效
发明人：叶大千 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本申请公开一种外延结构和发光二极管，包括n型层、p型层和有源层，有源层包括In的具有第一峰形的第一浓度轮廓；重掺杂层位于n型层和有源层之间，且包括Si的具有第二峰形的第二浓度轮廓；电流扩展层位于重掺杂层和有源层之间，且包括In的具有第三峰形的第三浓度轮廓；第三峰形的峰顶与第一峰形的峰顶的最小距离为D1，第三峰形的峰顶与第二峰形的峰顶的最小距离为D2，且D1与D2的比值小于1:7。电流扩展层尽可能接近有源层并在受到静电冲击时有效引导冲击电流，保护有源层不易被静电击穿；同时，电流扩展层与重掺杂层之间的区域为电子存储区，在受到静电冲击时可降低外延结构被静电击穿的风险，从而提升外延结构和发光二极管的抗静电能力。
一种外延结构发光二极管

[发明专利]一种半导体发光元件和发光装置-CN202080005587.9有效
发明人：王庆;马全扬;陈大钟;陈功;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括：半导体发光序列层，半导体发光序列层包括发光层；绝缘透光层，位于半导体发光序列层的出光面上；其特征在于：绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层，折射率渐变层由至少两层组成，底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间，底层的折射率低于折射率渐变层的折射率，折射率渐变层的折射率随着远离底层的方向逐渐降低。
一种半导体发光元件装置

[发明专利]一种发光二极管、光电模块及显示装置-CN202110474111.6有效
发明人：何安和;林素慧;曾江斌;卢超;黄敏;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置。本发明通过控制发光二极管第二接触电极的条状部分与发光二极管表面几何中心的最小间距，既扩大顶针作业窗口，避免顶针顶破接触电极凸起区域而容易顶破导致芯片异常的问题，又通过设置第二焊盘电极上通过的位置，避免了因接触电极进行变化导致的电流变化而引起的发光二极管发光不均匀的问题。
一种发光二极管光电模块显示装置

[发明专利]发光二极管模组、背光模组和显示模组-CN202210584573.8在审
发明人：林素慧;王绘凝;何安和;彭康伟;黄禹杰 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：发光二极管模组，包括：位于同一衬底上的多个台面结构，所述台面结构的边长为250μm以下，所述台面结构包括位于所述衬底上的第一导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上的有源层，以及位于所述有源层上的第二导电型半导体层；不同所述台面结构之间具有沟槽；第一保护层，所述第一保护层覆盖所述沟槽底面和侧面，所述第一保护层还覆盖所述台面结构；第一并联结构，所述第一并联结构贯穿所述第一保护层，以实现与多个所述台面结构的所述第一导电型半导体层电连接；第二并联结构，所述第二并联结构贯穿所述第一保护层，以实现与多个所述台面结构的所述第二导电型半导体层电连接。所述发光二极管模组能耗低，不易损坏，且实现多点发光。
发光二极管模组背光显示

[发明专利]发光二极管-CN202210616589.2在审
发明人：廖齐华;魏振东;郑志颖;李俊贤 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管，包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；电流扩展层，至少设置在所述半导体叠层上；电极结构，设置在所述半导体叠层之上；绝缘层，至少部分设置在所述半导体叠层之上；阻挡层，位于所述电极结构和所述绝缘层之间，所述阻挡层具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分形成连续结构，所述第一部分位于所述电极结构的侧壁，所述第二部分位于所述绝缘层和所述半导体叠层之间。
发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN201980006017.9有效
发明人：陈柏羽;邓有财;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包含：与发光二极管第一半导体层电连接的第一电极，与第二半导体层电连接的第二电极，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层和/或第二反射层的材料的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa，有利于提升发光二极管的光电特性，提升产品可靠性。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]LED芯片和显示装置-CN202210535064.6在审
发明人：刘士伟;徐瑾;刘可;王水杰;张中英;曾合加 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：LED芯片和显示装置。所述LED芯片包括：衬底、第一台面结构和第二台面结构；至少一个跨接电流阻挡块；跨接导电块，所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同；第一导电垫和第二导电垫；所述跨接电流阻挡块的俯视投影具有头部和尾部；所述跨接导电块的俯视投影具有第一接触部、结部和第二接触部；所述结部落在所述头部内，所述第一接触部落在所述尾部内；所述头部未与所述结部重叠的部分具有第一宽度，所述尾部未与所述第一接触部重叠的部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。所述LED芯片可靠性提高。
led 芯片显示装置

[发明专利]LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置-CN202210535067.X在审
发明人：刘士伟;徐瑾;刘可;王水杰;张中英;曾合加 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置。所述LED芯片包括：衬底、第一台面结构和第二台面结构；至少一个跨接电流阻挡块；跨接导电块，所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同；第一导电垫和第二导电垫；所述跨接电流阻挡块的俯视投影具有头部和尾部；所述跨接导电块的俯视投影具有第一接触部、结部和第二接触部；所述结部落在所述头部内，所述第一接触部落在所述尾部内；所述头部未与所述结部重叠的部分具有第一宽度，所述尾部未与所述第一接触部重叠的部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。所述LED芯片可靠性提高。
led 芯片封装模组显示装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202210536824.5在审
发明人：王锋;何安和;夏章艮;詹宇;彭康伟;林素慧 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括透明衬底，透明衬底的第一表面包括半导体发光序列覆盖的第一区域以及第二区域；半导体发光序列包括第一导电型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层，第一导电型半导体层一表面具有发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，覆盖半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一、第二、第三和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在半导体发光序列的第一、第二、第三和第四边缘周围分别具有W1、W2、W3和W4四个宽度；第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，W1大于W3。
一种发光二极管

[发明专利]一种半导体激光器及其显示装置-CN202210450686.9在审
发明人：王俞授 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其显示装置，包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层；第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层，第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层；第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层，电子阻挡层在靠近第二半导体层一侧包括至少一部分为P型掺杂层，P型掺杂层的组分大于1E19cm‑3，电子阻挡层靠近第二半导体层一侧的P型掺杂浓度高于电子阻挡层远离第二半导体层的P型掺杂浓度，避免P型掺杂扩散至第二波导层，导致第二波导层吸光上升。
一种半导体激光器及其显示装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202110839925.5有效
发明人：朱秀山;李燕 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括：发光结构、透明导电层、第一绝缘层、第一电极层；第一电极层包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内，且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接，所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层，在所述第一开口内所述第一金属反射层和所述第一半导体层接触，所述第一金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力调整层之间；其中，所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金属元素，所述同一种金属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述应力调整层的含量。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法-CN202010913769.8有效
发明人：刘小亮;朱秀山;黄敏;郑高林;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：半导体发光二极管及其制备方法。所述半导体发光二极管包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层；还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上。所述半导体发光二极管内部的反射层不易发生剥离问题。
半导体发光二极管及其制备方法

[发明专利]LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置-CN202210535435.0在审
发明人：刘士伟;徐瑾;刘可;王水杰;张中英;曾合加 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置。所述LED芯片包括：衬底、第一台面结构和第二台面结构；至少一个跨接电流阻挡块；跨接导电块，所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同；第一导电垫和第二导电垫；所述跨接电流阻挡块的俯视投影具有头部和尾部；所述跨接导电块的俯视投影具有第一接触部、结部和第二接触部；所述结部落在所述头部内，所述第一接触部落在所述尾部内；所述头部未与所述结部重叠的部分具有第一宽度，所述尾部未与所述第一接触部重叠的部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。所述LED芯片可靠性提高。
led 芯片封装模组显示装置

[发明专利]一种倒装高压发光二极管及发光装置-CN202010343028.0有效
发明人：徐瑾;刘士伟;赖艺彬;温兆军;邓有财;张中英 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装高压发光二极管以及发光装置，其中倒装高压发光二极管包括衬底和n颗子芯片，其中n大于等于3，n颗子芯片位于衬底上且彼此之间通过沟槽而相互独立，每一子芯片包括一半导体发光堆叠层，每一子芯片的半导体发光堆叠层上以及沟槽内都覆盖有反射层；反射层上具有位于至少一其它子芯片上的至少一第一其它开口和/或至少一第二其它开口，该第一焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，且填充反射层的第一其它开口，和/或第二焊盘延伸至至少一其它子芯片上覆盖的反射层表面上，同时填充第二其它开口，以提升倒装高压发光二极管整体的固晶能力。
一种倒装高压发光二极管发光装置

[发明专利]LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置-CN202210499543.7在审
发明人：刘士伟;徐瑾;阙珍妮;王水杰;张中英;曾合加 -专利权人： 厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置。所述LED芯片包括：衬底；第一台面结构和第二台面结构；至少一个跨接电流阻挡块，所述跨接电流阻挡块覆盖所述第一台面结构的部分上表面和部分侧面，并覆盖所述第一台面结构和第二台面结构之间的部分凹槽；跨接导电块，所述跨接导电块的个数与所述跨接电流阻挡块的个数相同，所述跨接导电块主体部分位于所述跨接电流阻挡块上，所述跨接导电块的第一端电连接所述第一台面结构的顶层，所述跨接导电块的第二端电连接所述第二台面结构的底层；第一导电垫和第二导电垫；所述跨接导电块的俯视投影与所述第一导电垫和第二导电垫的俯视投影没有重叠部分。所述LED芯片可靠性提高。
led 芯片封装模组显示装置