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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]激光二极管-CN202111184990.5有效
发明人： 王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN202310728582.4在审
发明人： 王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
激光二极管

[发明专利]一种半导体激光器及其显示装置-CN202210450686.9在审
发明人： 王俞授 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及其显示装置，包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层；第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层，第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层；第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层，电子阻挡层在靠近第二半导体层一侧包括至少一部分为P型掺杂层，P型掺杂层的组分大于1E19cm‑3，电子阻挡层靠近第二半导体层一侧的P型掺杂浓度高于电子阻挡层远离第二半导体层的P型掺杂浓度，避免P型掺杂扩散至第二波导层，导致第二波导层吸光上升。
一种半导体激光器及其显示装置

[发明专利]激光二极管及其封装结构-CN202111067114.4在审
发明人：钟志白;张敏;叶涛;王俞授;李水清;黄少华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管及其封装结构，包括由第一半导体层、有源层和第二半导体层形成的外延结构，外延结构靠近第二半导体层的一侧配置有脊波导结构；垫高层形成在外延结构靠近第二半导体层的一侧并位于脊波导结构的外围，垫高层与脊波导结构的高度差小于或者等于300nm；第一电极与第一半导体层电性连接；第二电极设置在脊波导结构远离外延结构的一侧并与第二半导体层电性连接。在脊波导结构的外围设置垫高层，通过控制垫高层的高度以使脊波导结构的外围区域与脊波导结构具有较小高度差，在后续封装过程中，保证脊波导结构的外围区域与脊波导结构受力均匀，降低封装过程中焊接金属的空洞率、进而改善焊接金属沿着空洞溢出的现象。
激光二极管及其封装结构

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