“沈圻”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]激光二极管-CN202111184990.5有效
发明人：王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
激光二极管

[发明专利]激光二极管-CN202310728582.4在审
发明人：王俞授;沈圻 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光二极管，该激光二极管包括n型层、p型层和位于两者之间的有源层；n型层和有源层之间包括有第一波导层；第一波导层包括铝铟镓氮四元合金，第一波导层中铝的浓度为1×1016cm‑3～3×1016cm‑3，或者3×1016cm‑3～5×1017cm‑3，或者5×1017cm‑3～1×1018cm‑3。铝相较于铟具有较小的晶格常数，于第一波导层中加入微量的铝组分可有效降低第一波导层的晶格常数进而匹配n型层，以改善第一波导层和n型层界面处因存在晶格差异而形成的界面缺陷，并提高第一波导层的稳定性。
激光二极管

[发明专利]半导体元件-CN202210008925.5在审
发明人：潘永中;蔡长祐;胡庆忠;陈明宝;沈圻;连伟杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含︰第一半导体结构；第二半导体结构，位于第一半导体结构上；活性区域，位于第一半导体结构以及第二半导体结构之间，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，且各阻障层具有一能阶，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相对于上表面的底表面；以及多个交替的第三半导体层以及第四半导体层位于第一半导体结构及活性区域之间；其中，第三半导体层的能阶大于第四半导体层的能阶；每一个第四半导体层包含一三族元素，且每一个第四半导体层的三族元素各具有一最高含量，较靠近活性区域的第四半导体层中的最高含量高于较靠近第一半导体结构的第四半导体层中的最高含量。
半导体元件

[发明专利]半导体元件-CN201810076542.5有效
发明人：潘永中;蔡长祐;胡庆忠;陈明宝;沈圻;连伟杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体结构；一第二半导体结构；一活性区域，活性区域包含交替的阱层以及阻障层，活性区域还包含一面对第二半导体结构的上表面以及一相反于上表面的底表面；一包含一第一电子阻挡层的电子阻挡区域，第一电子阻挡层的能阶大于其中阻障层的能阶；一第一含铝层，第一含铝层的能阶大于第一电子阻挡层的能阶，一位于活性区域的底表面以上的p型掺杂物，其包含一浓度轮廓，浓度轮廓包含一峰形，峰形具有一峰值浓度，峰值浓度位于活性区域的上表面起15nm至60nm的一距离内。
半导体元件

[发明专利]晶片载具-CN201310472565.5有效
发明人：张中英;罗云明;沈圻;曾楹珍 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片载具，其包含一具有一高度以及一凹口的承载主体，其中凹口的底面为一曲面；以及多个支撑柱位于承载主体的一周边。本发明另一方面提供晶片载具的一制造方法。方法包含于一成长基板上形成一外延层以形成一晶片结构；量测晶片结构的一翘曲率；以及依据晶片结构的翘曲率，提供上述的晶片载具。
晶片

[发明专利]晶片载具-CN201110335865.X有效
发明人：张中英;罗云明;沈圻;曾楹珍 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片载具，其包含一具有一高度的承载主体，具有一凹口，凹口的底面为一曲面，其中曲面包含一凸面自凹口的侧边向凹口的圆心凸出一高度或一凹面自凹口的侧边向凹口的圆心凹陷一深度；以及多个支撑柱位于承载主体的周边。
晶片

[实用新型]一种压滤机的板框-CN201620756438.7有效
发明人：王俊川;林玉泰;沈圻 -专利权人：威士邦（厦门）环境科技有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B01D25/21 文献下载
摘要：本实用新型涉及压滤机板框，包括板框本体以及一内推板、一外推板、若干弹性元件、若干连接杆和至少一进料管；板框本体包括有本体侧壁，该本体侧壁环绕内推板设置进而形成一内腔；内推板是位于板框本体内，内推板至板框本体的内腔的开口为物料腔，且内推板具有至少一进料口；外推板是位于板框本体外，且外推板具有至少一进料口；弹性元件一端作用于板框本体，另一端作用于外推板；若干连接杆一端连接内推板，另一端连接外推板；其两端的管壁分别密封设置于内、外推板的进料口，使物料藉由外推板的进料口从进料管导通至内推板的进料口直至抵达物料腔，通过推动外推板与板框本体的相对位置，使内推板在板框本体的内腔的位置被缩小，实现压滤物料。
一种压滤

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top