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[发明专利]一种发光二极管的制作方法-CN201810079397.6有效
发明人：陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一磊晶片，包括衬底及发光外延层，并形成部分发光外延层；在部分发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；进行电镀工艺，以金属颗粒作为晶种，沿着金属颗粒沉积生长，形成金属导光柱。
一种发光二极管制作方法

[实用新型]一种显示屏及其倒装发光二极管-CN201921255565.9有效
发明人：王锋;何安和;夏章艮;聂恩松;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装发光二极管，其包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，衬底部分区域从外延发光层露出，衬底露出区域的凸起至少部分被绝缘保护层覆盖，衬底被绝缘保护层覆盖区域的凸起至少部分高度低于衬底被第一半导体层覆盖区域的凸起高度，本实用新型通过降低凸起高度，减小靠近外延发光层的绝缘保护层起伏波动，从而避免绝缘保护层因应力变化导致的绝缘保护层破裂，本实用新型的绝缘保护层结构完整，可进一步提升芯片的可靠性。
一种显示屏及其倒装发光二极管

[实用新型]一种倒装发光二极管及其显示屏-CN201921255567.8有效
发明人：王锋;何安和;夏章艮;詹宇;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装发光二极管及其显示屏，其包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，衬底部分区域从外延发光层露出，衬底露出区域的凸起至少部分被绝缘保护层覆盖，衬底被绝缘保护层覆盖区域的凸起上覆盖柔性绝缘材料，本实用新型通过柔性材料的延展性避免绝缘保护层因应力变化导致的绝缘保护层破裂，本实用新型的绝缘保护层结构完整，可进一步提升芯片的可靠性。
一种倒装发光二极管及其显示屏

[实用新型]一种倒装发光二极管及显示装置-CN201921534812.9有效
发明人：何安和;王锋;夏章艮;詹宇;林素慧;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装发光二极管及显示装置，其包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，外延发光层延伸至衬底边缘边际，衬底无露出区域，衬底边缘被外延发光层覆盖，从而避免衬底图形裸露，减少衬底边缘对脏污的吸附，本实用新型的芯片结构可进一步提升芯片的可靠性。
一种倒装发光二极管显示装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201980003933.7在审
发明人：王庆;陈大钟;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及制备方法，该发光二极管包括:衬底，具有相对的上、下表面；DBR反射层，形成于所述衬底的上表面之上；半导体叠层，形成于所述DBR反射层之上，发射具有的第一波长的光；所述DBR反射层对于第一光波的反射率为30%以下；对于不同于第一光波的波长的第二光波的反射率为60%以上，所述第一光波为所述发光二极管发射，所述第二光波非所述发光二极管发射。
发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种倒装LED芯片及其封装器件-CN201921189445.3有效
发明人：王锋;夏章艮;何安和;赵来文;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种倒装LED芯片及其封装器件，该倒装LED芯片包括发光结构、形成在发光结构的第二表面和侧面上的绝缘保护层以及形成在绝缘保护层上方分别与第一和第二半导体层电连接的第一共晶电极和第二共晶电极，第一和第二共晶电极具有间隙，且二者之间的最短垂直距离D1小于间隙宽度W。第一和第二共晶电极可以具有异型结构，例如梯形结构或者变形的“L”型结构。倒装LED芯片的封装结构包括焊接倒装LED芯片的基板，基板上形成有与第一和第二共晶电极相对应且形状相同的第一和第二焊接区。上述变形结构有利于LED芯片及其封装器件的缩小，焊料不会在封装时越过焊接区之间的间隔，因此不会造成短路问题，由此能够提高器件的性能及使用寿命。
一种倒装 led 芯片及其封装器件

[实用新型]一种倒装LED芯片及发光二极管-CN201921198676.0有效
发明人：刘小亮;黄敏;陈剑斌;曾炜竣;朱秀山;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种倒装LED芯片及发光二极管，该倒装LED芯片包括形成在第二半导体层上的第一透明导电层，形成在第一透明导电层上方的绝缘折射层以及形成在绝缘折射层上方的金属反射层。由于绝缘折射层和金属反射层二者的高低折射率差异，使得第一透明导电层、绝缘折射层和金属反射层形成全反射结构，增强LED芯片的出光效率。绝缘折射层中形成有第一通孔和第二通孔，金属反射层形成在第一和第二通孔中分别与第一透明导电层和第二半导体层连接，由此改善了金属反射层与绝缘折射层之间的粘附力，避免LED芯片因金属反射层和绝缘折射层之间粘附力差而导致的起皮的问题。
一种倒装 led 芯片发光二极管

[发明专利]一种发光二极管结构-CN201811116261.4有效
发明人：何安和;林素慧;彭康伟;黄禹杰;王锋;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
半导体层发光二极管结构绝缘保护层第一电极突起结构下电极部发光外延层第二电极外表面具电极部活性层上表面台面侧壁附着两层

[实用新型]一种发光二极管安装系统-CN201920437286.8有效
发明人： 彭康伟;林素慧;何安和;王锋;黄苡叡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B25J15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管安装系统，包括：传送装置、发光二极管拾取单元、定位传感装置、控制系统；所述传送装置的传送载物件上安装有多个承载平台，所述承载平台上设置有至少一个能将预安装载体定位安装的定位安装结构；发光二极管拾取单元包括发光二极管拾取装置和至少一个发光二极管放置台，发光二极管拾取装置的拾取范围至少覆盖一承载平台和一发光二极管放置台；控制系统控制传送装置和发光二极管拾取装置动作。通过本实用新型系统得到的显示屏，其预安装载体上阵列的发光二极管来自不同发光二极管放置台上的Wafer或Tape，能够有效避免显色或亮度不均现象。
发光二极管承载平台拾取装置本实用新型传送装置控制系统拾取单元放置台预安装定位安装结构定位传感装置控制传送装置亮度不均现象安装系统定位安装载物件拾取显色显示屏传送覆盖

[发明专利]发光器件及其制作方法和含该发光器件的发光器件模组-CN201910830127.9在审
发明人：王锋;何安和;夏章艮;詹宇;聂恩松;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件及其制作方法和含该发光器件的发光器件模组，发光器件包括芯片支架和安装在芯片支架上的芯片，芯片支架包括：绝缘衬底，绝缘衬底上设置有相对的第一表面和第二表面；设置在第二表面上的第一支架电极和第二支架电极，第一支架电极和第二支架电极的间距与安装基板的电极间距相对应匹配；设置在第一表面上的第一固晶电极和第二固晶电极；设置在绝缘衬底内的第一电接结构和第二电接结构；芯片固定安装在芯片支架的上部，芯片的两电极分别和第一固晶电极和第二固晶电极相电连。本发明发光器件能够有效解决芯片电极间距较小与安装基板上电极间距不相匹配导致的固晶困难及短路风险。
电极发光器件固晶芯片支架支架电极衬底绝缘安装基板第二表面第一表面电接匹配芯片芯片电极芯片固定有效解决短路电连模组制作

[发明专利]一种紫外发光二极管结构及其制作方法-CN201710843313.7有效
发明人：臧雅姝;彭康伟;何安和;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管结构及其制作方法，具有N型AlGaN层，在N型AlGaN层表面与N型金属电极之间，插入一层金属扩散阻挡薄膜，防止电极金属扩散到N型AlGaN层中，进而破坏电极金属膜层的平整度和金属/半导体有效接触，其制作方法包括通过在N型AlGaN层表面沉积一层金属扩散阻挡薄膜，改善金属与N型AlGaN层的接触特性。
一种紫外发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种透明导电层的制作方法及其发光二极管-CN201710841857.X有效
发明人：何安和;林素慧;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电层的制作方法及其发光二极管，包括：（1）提供一基材；（2）在所述基材上形成第一厚度的透明导电层；（3）对所述第一厚度的透明导电层进行减薄工艺，获得第二厚度的透明导电层。预先沉积较佳欧姆接触所需的第一厚度的透明导电层，经过退火热处理，确保提供足够的载流子浓度，形成良好欧姆接触，之后再执行减薄工艺，获得第二厚度的透明导电层，增加LED芯片光输出，从而解决LED芯片制程透明导电层厚度太薄电压高，太厚又影响光输出的矛盾。
一种透明导电制作方法及其发光二极管

[发明专利]一种透明导电层及其制作方法、发光二极管-CN201710842710.2有效
发明人：王绘凝;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧;徐宸科 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电层及其制作方法、发光二极管，包括：提供一基材；在所述基材上依次形成底层透明导电层以及顶层透明导电层；在所述顶层透明导电层上形成图案化掩膜层；通过蚀刻工艺，从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，蚀刻形成若干个孔洞，藉由底层透明导电层的蚀刻速率大于顶层透明导电层的蚀刻速率，使得孔洞呈上窄下宽结构。
透明导电层顶层蚀刻孔洞基材上窄下宽结构图案化掩膜层发光二极管蚀刻工艺底面顶面制作

[实用新型]一种高压发光二极管-CN201920383199.9有效
发明人：王庆;陈大钟;马全扬;洪灵愿;彭康伟;林素慧;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压发光二极管，包括：一衬底；以及设置于所述衬底上的若干个LED芯片单元，所述LED芯片单元包括若干个通过隔离槽区域分隔的子芯片，子芯片通过导电连线进行桥接，定义所述隔离槽区域分为：桥接位置所在的隔离槽区域，以及非桥接位置所在的隔离槽区域，其特征在于：从俯视图看，所述桥接位置所在的隔离槽区域外轮廓呈非矩形。
隔离槽桥接位置高压发光二极管子芯片衬底本实用新型导电连线区域分隔非矩形俯视图外轮廓桥接

[发明专利]一种LED芯粒及LED芯片的隐形切割方法-CN201980000538.3在审
发明人：陈功;林素慧;许圣贤;彭康伟;洪灵愿;何敏游;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，特别地涉及一种LED芯粒及LED芯片的隐形切割方法。本发明公开了一种LED芯粒，所述LED芯粒的衬底的侧面沿衬底的厚度方向具有多条间隔的激光划痕，所述激光划痕数量在3条以上，所述衬底的侧面沿衬底的厚度方向依次高低起伏设置。同时本发明公开了一种LED芯片的隐形切割方法，包括步骤S1，采用隐形切割在对应于切割道的衬底内部形成多条沿衬底厚度方向的间隔的激光划痕，所述激光划痕数量在3条以上。本发明能有效提升芯粒切割成品率，并减少衬底斜裂现象，可以缩小切割道线宽，从而提升单片产出量，增加侧面光的取出，减小发光角度，增加正向光，从而增加芯粒亮度。
衬底激光划痕隐形切割切割道芯粒衬底厚度方向高低起伏侧面侧面光成品率正向光单片减小线宽切割发光取出