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- [发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202111455996.1有效
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韩涛;黄禹杰;陈剑斌;臧雅姝
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厦门三安光电有限公司
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2021-12-01
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2023-09-01
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H01L33/38
- 本申请提供一种发光二极管，包括:半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及从所述第二半导体层经由所述有源层延伸到所述第一半导体层的一部分的多个通孔；其中，所述多个通孔包括第一组通孔和第二组通孔，所述第一组通孔包括形成在所述发光二极管第一边和/或第三边的多个所述通孔，所述第一组通孔在第一方向上间隔设置；所述第二组通孔包括形成在所述发光二极管第二边和/或第四边的多个所述通孔，所述第二通孔在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置；所述第一组通孔和所述第二组通孔对齐排列，被所述第一组通孔和所述第二组通孔围绕的内侧通孔在所述第一方向和/或所述第二方向上不对齐排列。
- 发光二极管及其制备方法
- [发明专利]一种吸附去除水中离子液体的方法-CN202211506342.1在审
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闫兵;潘秀姣;黄禹杰
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广州大学
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2022-11-29
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2023-04-25
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C02F1/28
- 本发明涉及水中污染物的去除技术领域，公开了一种吸附去除水中离子液体的方法，其包括如下步骤：选择11种低毒工程纳米材料，将相同质量的纳米材料分别加入含有离子液体溴化‑1‑辛基‑3‑甲基咪唑的离心管内进行吸附反应，并测定离子液体的吸附量和去除率，得到MoS2、WS2、α‑Fe2O3和ZrO2四种纳米材料对离子液体的吸附量和去除率最高。通过控制pH值、降低离子强度或增加天然有机质提高α‑Fe2O3和ZrO2纳米材料对离子液体的吸附去除效率。本发明通过吸附法测试了11中常用的工程纳米材料对离子液体的吸附效果，筛选出的两种金属氧化物和两种二维过渡金属硫化物对离子液体的去除效果较好。
- 一种吸附去除水中离子液体方法
- [实用新型]发光二极管-CN202020353050.9有效
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林素慧;王锋;何安和;黄禹杰;朱秀山;王庆;彭康伟;洪灵愿
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厦门三安光电有限公司
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2020-03-19
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2021-07-30
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H01L33/38
- 本实用新型提供了一种发光二极管，其包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁及电极侧壁覆盖有交替堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层，其中第一绝缘层为氮化硅，其厚度为2~100nm，位于所述半导体发光叠层与所述第二绝缘层之间，第二绝缘层为氧化硅或者氧化铝，其厚度为50~500nm。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201980006016.4在审
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何安和;林素慧;王锋;王庆;黄禹杰;彭康伟
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厦门三安光电有限公司
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2019-11-04
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2021-07-23
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H01L33/62
- 一种发光二极管及其制作方法，其扩大倒装型发光二极管芯片的固晶电极的表面积，改善芯片焊接特性。该发光二极管包括：透明基板（210），具有相对的第一表面（210A）和第二表面（210B）；透明基板（210）的第一表面（210A）的外周边具有台阶（211），该台阶（211）具有一介于第一表面（210A）和第二表面（210B）之间的第三表面（210D），及连接第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）；发光外延叠层，形成于所述透明基板（210）的第一表面（210A）之上，包括自所述透明基板（210）的第一表面（210A）堆叠的第一导电类型半导体层（221）、有源层（222）和第二导电类型半导体层（223）；绝缘层（230），至少覆盖所述发光外延叠层的顶表面（220B）及侧壁，并且具有第一开口（271）和第二开口（272）；第一电极（241），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第一开口（271）电连接到所述第一导电类型半导体层（221）；第二电极（242），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第二开口（272）电连接到所述第二导电类型半导体层（223）；其中所述第一电极（241）和/或第二电极（242）延伸至该台阶（211），至少部分覆盖连接所述第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）及第三表面（210D）。
- 发光二极管及其制作方法
- [发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201911275147.0在审
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林素慧;何安和;彭康伟;夏章艮;黄禹杰
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厦门三安光电有限公司
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2019-12-12
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2021-06-18
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H01L33/30
- 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。在一些实施例中，该发光二极管包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面，及连接该第一表面、第二表面的侧壁；发光外延叠层，形成于所述基板的第一表面之上，包括自所述基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。进一步地，所述基板的侧壁具有一切割面，所述切割面起始于所述基板的第一表面一侧，所述基板的厚度方向上的宽度为所述LED芯片的基板之厚度的三分之一以上。该切割面为在LED芯片单一化过程中，从LED晶圆的正面切割发光外延叠层并深入至基板内部形成，与所述基板的上表面形成相对一致的夹角，从而获得形状规则、尺寸统一的LED芯片。
- 发光二极管及其制作方法
- [发明专利]发光二极管-CN202080003000.0在审
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林素慧;黄禹杰;王锋;何安和;王庆;朱秀山;彭康伟;洪灵愿
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厦门三安光电有限公司
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2020-03-19
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2021-01-26
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H01L33/38
- 本发明提供了一种发光二极管。在一些实施中，该发光二极管包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极电连接至所述第一导电型半导体层，所述第二电极电连接至所述第二导电型半导体层，其特征在于：所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁覆盖有具有载流子俘获效应的绝缘层，所述绝缘层之上设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体发光叠层的侧壁及露出的第一表面、第一电极和第二电极的侧壁。
- 发光二极管
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