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[发明专利]一种发光二极管-CN201910996117.2有效
发明人：王锋;夏章艮;詹宇;聂恩松;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；发光构造体，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；绝缘介质层一，覆盖所述发光构造体的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；绝缘介质层二，覆盖所述发光构造体周围露出的透明衬底的第一表面；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层的顶表面的部分比绝缘介质层二的透光性低。通过所述绝缘介质层二的设计，减少切割道的光损失，增大出光。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202010355351.X有效
发明人：王绘凝;夏宏伟;栗伟;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制作方法，其在透明电流扩展层的生长过程中，先沉积一层第一透明电流扩展层，并通过低温退火，形成具有固定晶格取向的晶体薄层，然后以此结晶好的晶体薄层为生长基板，继续生长第二透明电流扩展层，并再次进行高温退火，最终形成高结晶质量的透明导电薄膜，与现有技术相比，该透明导电薄膜具有更大的晶粒尺寸，并具有更好的透光性以及电流扩展性。
一种发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种LED芯片及LED发光装置-CN202120536716.9有效
发明人：曾炜竣;江宾;曾明俊;彭康伟;林素慧;何安和 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片及LED发光装置。一种LED芯片，包括：衬底；第一半导体层，所述第一半导体层连接于所述衬底上方；有源层，所述有源层连接于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧；第二半导体层，所述第二半导体层连接于所述有源层远离所述第一半导体层的一侧；第一电极，所述第一电极电连接于所述第一半导体层的一侧；第二电极，所述第二电极电连接于所述第二半导体层远离所述有源层的一侧；绝缘层，所述绝缘层包裹于所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层暴露的表面；树脂层，所述树脂层覆盖于所述绝缘层的外侧且包裹于所述第一电极和所述第二电极的侧壁。
一种 led 芯片发光装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201880003521.9有效
发明人：林素慧;王锋;洪灵愿;许圣贤;陈思河;陈大钟;彭康伟;张家宏 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种表格数据处理方法、装置以及计算机可读存储介质-CN202010485914.7有效
发明人：徐俏云;尹邵龙;秦银;彭康伟;鄢贤卿;熊飞;黄丽涵;于涛 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G06F40/177 文献下载
摘要：本申请公开了一种表格数据处理方法、装置以及计算机可读存储介质，该方法包括：获取初始表格数据，获取初始表格数据对应的至少两个协作账号；响应针对至少两个协作账号的触发操作，在初始表格数据中，分别为至少两个协作账号中的每个协作账号添加权限协作区域，得到目标表格数据；将目标表格数据同步至至少两个协作账号所属的协作终端，以使至少两个协作账号所属的协作终端，分别对目标表格数据中对应的权限协作区域进行编辑。采用本申请，可提高针对目标表格数据的填写准确性，同时提高针对权限协作区域的添加效率。
一种表格数据处理方法装置以及计算机可读存储介质

[发明专利]一种紫外LED芯片及其制备方法-CN201910704177.2有效
发明人：黄敏;刘小亮;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片包括发光外延层，所述发光外延层包括第一台面和第二台面，形成在第一台面和所述第二台面的表面以及侧面上的绝缘保护层，绝缘保护层包括含Al的绝缘层，并且可以形成单层或者多层堆叠结构。采用含Al的绝缘保护层可以减少外延层中的Al离子被置换，同时可以有效补偿芯片制程中外延层缺失的Al离子，且不会影响外延层中的Si掺杂，从而不会损伤外延层，避免外延层老化失效。含Al的绝缘保护层在紫外波段的吸收率较低，同时形成多层结构的含Al绝缘层时，可以形成高低折射率的绝缘膜层叠结构，由此可达到提亮的目的。
一种紫外 led 芯片及其制备方法

[实用新型]发光二极管-CN202020353050.9有效
发明人：林素慧;王锋;何安和;黄禹杰;朱秀山;王庆;彭康伟;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光二极管，其包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁及电极侧壁覆盖有交替堆叠的第一绝缘层和第二绝缘层，其中第一绝缘层为氮化硅，其厚度为2~100nm，位于所述半导体发光叠层与所述第二绝缘层之间，第二绝缘层为氧化硅或者氧化铝，其厚度为50~500nm。
发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201980006016.4在审
发明人：何安和;林素慧;王锋;王庆;黄禹杰;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制作方法，其扩大倒装型发光二极管芯片的固晶电极的表面积，改善芯片焊接特性。该发光二极管包括：透明基板（210），具有相对的第一表面（210A）和第二表面（210B）；透明基板（210）的第一表面（210A）的外周边具有台阶（211），该台阶（211）具有一介于第一表面（210A）和第二表面（210B）之间的第三表面（210D），及连接第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）；发光外延叠层，形成于所述透明基板（210）的第一表面（210A）之上，包括自所述透明基板（210）的第一表面（210A）堆叠的第一导电类型半导体层（221）、有源层（222）和第二导电类型半导体层（223）；绝缘层（230），至少覆盖所述发光外延叠层的顶表面（220B）及侧壁，并且具有第一开口（271）和第二开口（272）；第一电极（241），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第一开口（271）电连接到所述第一导电类型半导体层（221）；第二电极（242），配置到所述绝缘层（230）的上部，通过所述第二开口（272）电连接到所述第二导电类型半导体层（223）；其中所述第一电极（241）和/或第二电极（242）延伸至该台阶（211），至少部分覆盖连接所述第一表面（210A）和第三表面（210D）之间的侧壁（210E）及第三表面（210D）。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN202110238594.X在审
发明人：栗伟;陈婉君;陈思河;许圣贤;夏宏伟;王绘凝;林素慧;洪灵愿;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；电流阻挡层，位于外延层的第二半导体层的部分表面上，且电流阻挡层中设置有反射结构；第一电极，与电流阻挡层设置有反射结构的一面相对应，并与外延层的第二半导体层电连接。由此，本发明的发光二极管能够有利于射向金属电极的光的反射，有效提高发光二极管的外量子效率，同时还保证金属电极下方的有效散热，提高芯片的可靠性。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201911275147.0在审
发明人：林素慧;何安和;彭康伟;夏章艮;黄禹杰 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。在一些实施例中，该发光二极管包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面，及连接该第一表面、第二表面的侧壁；发光外延叠层，形成于所述基板的第一表面之上，包括自所述基板的第一表面堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。进一步地，所述基板的侧壁具有一切割面，所述切割面起始于所述基板的第一表面一侧，所述基板的厚度方向上的宽度为所述LED芯片的基板之厚度的三分之一以上。该切割面为在LED芯片单一化过程中，从LED晶圆的正面切割发光外延叠层并深入至基板内部形成，与所述基板的上表面形成相对一致的夹角，从而获得形状规则、尺寸统一的LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管结构及其制作方法-CN201810219811.9有效
发明人： 彭康伟;林素慧;何安和;许圣贤 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，发光波长设为λ；其特征在于：所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。本发明通过在外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果，能大大提升发光层发出的光线经外延层或衬底侧面的波导结构散射/反射后，再向外出射的几率，从而增强光萃取效率，提高发光二极管的亮度。
发光二极管结构及其制作方法

[发明专利]一种发光装置-CN202080005596.8在审
发明人：刘士伟;郑高林;何安和;王庆;林素慧;彭康伟;洪灵愿;曾江斌 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种发光元件，包括：倒装发光二极管和承载基板，倒装发光二极管通过锡膏固定于承载基板上；所述的倒装发光二极管包括半导体发光序列、位于半导体发光序列的同一侧且电性相反的第一结合电极和第二结合电极；其中第一结合电极和第二结合电极自半导体发光序列一侧开始，依次包括过渡金属层、结合层；从半导体发光序列的堆叠方向上看，结合层包括第一部分和第二部分；共晶层，介于倒装发光二极管与承载基板之间，为所述第一结合电极和第二结合电极的结合层的第一部分与锡膏中的锡共晶形成，结合层第二部分介于共晶层与过渡金属层之间。
一种发光装置

[实用新型]一种半导体发光元件和发光装置-CN202021682412.5有效
发明人：王庆;马全扬;陈大钟;陈功;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体发光元件和发光装置，其中半导体发光元件包括：半导体发光序列层，半导体发光序列层包括发光层；绝缘透光层，位于半导体发光序列层的出光面上；其特征在于：绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层，折射率渐变层由至少两层组成，底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间，底层的折射率低于折射率渐变层的折射率，随着远离底层的方向折射率渐变层的折射率逐渐降低。所述发光装置包括所述的半导体发光元件。
一种半导体发光元件装置

[发明专利]一种LED芯片及制作方法-CN201911093286.1在审
发明人：何安和;林素慧;王锋;夏章艮;聂恩松;彭康伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片及制作方法，本发明公开了一种LED芯片，包括透明的衬底，该衬底具有相对的正面和背面，该衬底的正面上具有LED单元，衬底上具有与正面平行设置的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成的变质层。本发明还公开一种LED芯片出光面粗化的方法，其通过激光烧灼在衬底内形成变质层，变质层上的激光烧灼痕迹即作为粗化层的粗化结构，解决了现有的湿法或干法蚀刻来实现出光面粗化的方式效率低下的问题。
一种 led 芯片制作方法

[发明专利]一种LED芯片的制作方法及其产品-CN201911093315.4在审
发明人：何安和;林素慧;黄禹杰;彭康伟;夏章艮;王锋 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片的制作方法及其产品，该制作方法将衬底先进行一次减薄后再进行隐形切割，然后再将衬底减薄至目标厚度，隐形切割形成的激光划痕可以释放衬底和外延结构的应力，改善了LED晶圆在第二次减薄时的曲翘，以解决现有的LED晶圆的衬底研磨至较薄厚度时，晶圆边缘曲翘严重，造成制程良率低问题。
一种 led 芯片制作方法及其产品