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[发明专利]倒装发光二极管-CN202111057539.7有效
发明人：黄敏;詹宇;夏章艮;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层，以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构；无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上表面的至少一层铂金属层。本申请通过将第一金属电极和第二金属电极设置成无金叠层结构，能够避免第一金属电极和第二金属电极中的金层所导致的异常现象，且厚度较小，能够提升在电极表面上方的绝缘层的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管

[发明专利]一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202310712334.0在审
发明人：黄敏;夏章艮;詹宇;林素慧;何安和;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括衬底以及形成在衬底上的发光外延层，在发光外延层上方形成电极结构时，省略发光外延层上方局部覆盖发光外延层的第一电极层，使得发光外延层的表面较高的平整度。后续形成绝缘反射层以及绝缘保护层时，能够保证绝缘反射层和绝缘保护层的平整度。并且在本发明中，绝缘反射层和绝缘保护层的整体厚度不大于3μm，这样在绝缘反射层和绝缘保护层中形成电极通孔时不会出现异常突起，电极通孔具有良好的形貌，后续形成的电极焊盘在电极通孔内的粘附性以及在绝缘保护层上方的粘附性增强，电极焊盘不会出现裂缝或者断裂等缺陷，由此增强器件的稳定性和可靠性。
一种倒装半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202110804410.1有效
发明人：黄敏;夏章艮;詹宇;林素慧;何安和;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括衬底以及形成在衬底上的发光外延层，在发光外延层上方形成电极结构时，省略发光外延层上方局部覆盖发光外延层的第一电极层，使得发光外延层的表面较高的平整度。后续形成绝缘反射层以及绝缘保护层时，能够保证绝缘反射层和绝缘保护层的平整度。并且在本发明中，绝缘反射层和绝缘保护层的整体厚度不大于3μm，这样在绝缘反射层和绝缘保护层中形成电极通孔时不会出现异常突起，电极通孔具有良好的形貌，后续形成的电极焊盘在电极通孔内的粘附性以及在绝缘保护层上方的粘附性增强，电极焊盘不会出现裂缝或者断裂等缺陷，由此增强器件的稳定性和可靠性。
一种倒装半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202310059389.6在审
发明人： 夏章艮;刘鹏;黄敏;吴光耀;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装发光二极管及发光装置，倒装发光二极管包外延层和位于外延层上的第一接触电极和第二接触电极，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一接触电极电连接于第一半导体层，第二接触电极电连接于第二半导体层，并向第一接触电极延伸，第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部、第一直线延伸部、第二弧形延伸部以及第二直线延伸部，连接部的两侧分别连接第一弧形延伸部与第二弧形延伸部，第一直线延伸部连接于第一弧形延伸部远离连接部的一端，第二直线延伸部连接于第二弧形延伸部远离连接部的一端。借此，可使得电流扩散得更为均匀，并且避免顶针区域处的电极被顶针刺破。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006113.5在审
发明人：王庆;洪灵愿;夏章艮;刘鹏;何敏游;刘小亮;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括外延结构、第一金属电极、第二金属电极、绝缘叠层、金属反射层、第一连接电极和第二连接电极，外延结构由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一金属电极和第二金属电极位于外延结构的上表面上，绝缘叠层覆盖部分外延结构和部分接触电极，并包括第一绝缘层和位于第一绝缘层上的第二绝缘层，金属反射层夹在第一绝缘层和第二绝缘层之间，第一连接电极和第二连接电极位于绝缘叠层之上方，并分别连接第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和/或第二金属电极在水平面的垂直投影不与金属反射层在水平面的垂直投影重叠。借此，可以提升发光二极管的出光性能以及可靠性。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管-CN202111211469.6有效
发明人：王锋;夏章艮;詹宇;聂恩松;何安和;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；发光构造体，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；绝缘介质层一，覆盖所述发光构造体的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；绝缘介质层二，覆盖所述发光构造体周围露出的透明衬底的第一表面；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；绝缘介质层一覆盖在第二导电型半导体层的顶表面的部分比绝缘介质层二的透光性低。通过所述绝缘介质层二的设计，减少切割道的光损失，增大出光。
一种发光二极管

[发明专利]倒装发光二极管和发光装置-CN202211514280.9在审
发明人：洪灵愿;夏章艮;黄敏;刘鹏;何敏游;陈功;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装发光二极管及发光装置，倒装发光二极管包外延层和位于外延层上的第一接触电极和第二接触电极，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一接触电极电连接于第一半导体层，第二接触电极电连接于第二半导体层，并向第一接触电极延伸，第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部、第一直线延伸部、第二弧形延伸部以及第二直线延伸部，连接部的两侧分别连接第一弧形延伸部与第二弧形延伸部，第一直线延伸部连接于第一弧形延伸部远离连接部的一端，第二直线延伸部连接于第二弧形延伸部远离连接部的一端。借此，可使得电流扩散得更为均匀，并且避免顶针区域处的电极被顶针刺破。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202111076880.7有效
发明人： 夏章艮;刘鹏;黄敏;吴光耀;洪灵愿;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装发光二极管及发光装置，倒装发光二极管包外延层和位于外延层上的第一接触电极和第二接触电极，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一接触电极电连接于第一半导体层，第二接触电极电连接于第二半导体层，并向第一接触电极延伸，第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部、第一直线延伸部、第二弧形延伸部以及第二直线延伸部，连接部的两侧分别连接第一弧形延伸部与第二弧形延伸部，第一直线延伸部连接于第一弧形延伸部远离连接部的一端，第二直线延伸部连接于第二弧形延伸部远离连接部的一端。借此，可使得电流扩散得更为均匀，并且避免顶针区域处的电极被顶针刺破。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种倒装发光二极管及发光装置-CN202211360689.X在审
发明人：卢超;曾江斌;夏章艮;刘鹏;何敏游;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装发光二极管及发光装置，该发光二极管包括发光外延层、位于发光外延层上的电流阻挡层、以及位于电流阻挡层上方的第一电极。电流阻挡层用作阻挡电流，避免电流拥挤在第一电极的正下方，使电流四散开来；电流阻挡层的内部同时形成有贯穿孔，第一电极的扩展条的垂直投影覆盖贯穿孔。通过环形的电流阻挡层使得电流在通过扩展条扩散的同时，通过透明导电层直接传导至第二导电类型半导体层，从而降低二极管的工作电压。通过本发明中的设计使得降低二极管电压的同时又使得发光效率得到提高，尤其多个二极管串联成灯带时，降低电压的效益会更加明显。
一种倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管和发光装置-CN202111123260.4有效
发明人：洪灵愿;夏章艮;黄敏;刘鹏;何敏游;陈功;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，包括由第一半导体层、有源层和第二半导体层组成的半导体堆叠层，半导体堆叠层具有暴露出第一半导体层的台面；导电保护层形成在台面上；绝缘层覆盖台面和导电保护层；绝缘层设置有第一通孔，且第一通孔的宽度D1小于导电保护层的宽度D2；第一焊盘电极形成在第一通孔内并与导电保护层连接。本申请通过在第一通孔的下方增设导电保护层，以在第一通孔的形成过程中避免第一半导体层的表面受到损伤或者形成高电阻物质，进而改善倒装发光二极管易出现电压升高的现象。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管、发光模块及显示装置-CN202110866074.3有效
发明人：黄敏;刘鹏;詹宇;夏章艮;林素慧;张中英;何安和 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，提供一种发光二极管、发光模块及显示装置，其中一种发光二极管，包括：衬底、衬底上的外延结构、接触电极、绝缘层，且设置有贯穿绝缘层的绝缘通孔；绝缘通孔内自底部设置有接触电极，接触电极在水平面上的投影为类矩形，且该类矩形至少具有两条相对设置的弧形边。本发明的技术方案将接触电极设计成上述类矩形，可以使接触电极尽可能避免产生尖角或尖端部位，从而减少因电流在尖端处聚集而产生的尖端效应，降低电极失效风险，此外，采用该形状的接触电极的发光二极管无需再设置条状电极，从根本上解决电流在条状电极末端聚集而导致的失效问题。
一种发光二极管发光模块显示装置

[发明专利]一种半导体发光组件-CN201980003928.6有效
发明人：王锋;夏章艮;詹宇;黄禹杰;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光组件，包括：半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极，所述电极含有：第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极，所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙，定义该电极间隙的空间体积为V1，其特征在于：于所述第一导电型电极与第二导电型电极之间设置吸嘴吸附层，所述吸嘴吸附层的空间体积V2占所述电极间隙的空间体积V1的比例：V2/V1的比值介于50%~100%。
一种半导体发光组件

[发明专利]一种发光二极管-CN202210536824.5在审
发明人：王锋;何安和;夏章艮;詹宇;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括透明衬底，透明衬底的第一表面包括半导体发光序列覆盖的第一区域以及第二区域；半导体发光序列包括第一导电型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层，第一导电型半导体层一表面具有发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，覆盖半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一、第二、第三和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在半导体发光序列的第一、第二、第三和第四边缘周围分别具有W1、W2、W3和W4四个宽度；第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，W1大于W3。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管-CN201980005919.0有效
发明人：王锋;何安和;夏章艮;詹宇;彭康伟;林素慧 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括透明衬底，透明衬底的第一表面包括半导体发光序列覆盖的第一区域以及第二区域；半导体发光序列包括第一导电型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层，第一导电型半导体层一表面具有发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，覆盖半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一、第二、第三和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在半导体发光序列的第一、第二、第三和第四边缘周围分别具有W1、W2、W3和W4四个宽度；第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，W1大于W3。
一种发光二极管

[发明专利]倒装发光二极管和半导体发光装置-CN202111621887.2在审
发明人：王庆;何敏游;曾江斌;刘小亮;夏章艮;洪灵愿;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本申请提供一种倒装发光二极管和半导体发光装置，其包括衬底、半导体堆叠层和光学薄膜堆叠层，半导体堆叠层形成在衬底的第一表面上，用于辐射光线；光学薄膜堆叠层形成在衬底的第二表面上，且包括第一反射膜组，第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度满足：第一反射膜组对于420nm～480nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，第一角度小于第二角度。通过对光学薄膜堆叠层的材料性能、厚度进行优化，在保持大角度出光的同时，对于相对小的角度出光具有较大反射率，对于相对大的角度出光具有较小反射率，可提高倒装发光二极管的亮度。
倒装发光二极管半导体发光装置

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