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[发明专利]一种LED及LED显示器的制备方法和装置-CN202311032494.7在审
发明人：庄文荣;卢敬权 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED及LED显示器的制备方法和装置，其中，LED包括相对的两个面，其中一面为发光面；在发光面上设置有有导电层；所述LED还包括第一电极组，所述第一电极组设置于与所述发光面相对的另一面。通过在LED的发光面上设置导电层，能够对LED提供短路电流，使导电层发热，进而使LED上的焊料熔融，从而能够对LED进行焊接或去除操作。基于此，本发明能够对LED提供一致的拾取与释放力，从克服了组装后推拉力差的问题，有利于确保LED显示器良品率，并降低修复难度。
一种 led 显示器制备方法装置

[发明专利]一种LED发光薄膜的制备方法-CN202110978996.3有效
发明人：张瑞君;宋长波;周金水;全丽华;陈磊;蒋赟;郑凯岩;陈君燕;郑岩 -专利权人：上海科润光电技术有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种LED发光薄膜的制备方法，它依次包括：透明基础薄膜、LED发光层、正电极、负电极、透明保护薄膜，其特征是LED发光层是由LED芯片与含有导电离子的透明胶混合形成，正电极与负电极设置在LED发光层两侧，当加载交流电或直流电时，LED芯片产生发光。
一种 led 发光薄膜制备方法

[发明专利]一种倒装AlGaInP发光二极管的制备方法-CN202210247697.7在审
发明人：吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种倒装AlGaInP发光二极管的制备方法，该制备方法采用透明金属氧化物作为欧姆接触层，通过对合金条件优化，可同时与P‑GaP和N‑GaAs形成欧姆接触，无需对P‑GaP欧姆接触层和N‑GaAs欧姆接触层单独进行欧姆接触制程，工艺简单，成本低，且透明欧姆接触层可同时提高发光强度。
一种倒装 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]反极性红光发光二极管及其制备方法-CN202310754192.4在审
发明人：汪国华;冯岩;张圣君 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种反极性红光发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该反极性红光发光二极管包括层叠的衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、ITO欧姆接触层和ITO提亮层，ITO欧姆接触层的含氧量低于ITO提亮层的含氧量。该发光二极管包括层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层的表面还层叠有ITO欧姆接触层和ITO提亮层，ITO欧姆接触层的含氧量低于ITO提亮层，即ITO欧姆接触层的含氧量较低，从而分别与ITO提亮层及第二半导体层形成良好的欧姆接触，ITO提亮层的含氧量较高，ITO提亮层中的O空位浓度较大，从而能够增加发光二极管的内量子效率，进而提高发光效率。
极性红光发光二极管及其制备方法

[发明专利]低成本、高可靠性的芯片电极及其制备方法、LED芯片-CN202310753635.8在审
发明人：张亚;张星星;王雪峰;罗钢铁;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本、高可靠性的芯片电极及其制备方法、LED芯片，所述芯片电极包括：第一粘附层，用于与半导体层或设于所述半导体层之上的透明导电层进行接触，以粘附于所述半导体层或所述透明导电层之上；依次层叠设于所述第一粘附层之上的反射层、第一保护层、焊线层以及第二粘附层；其中，用于形成所述焊线层的金属介质为Cu。本发明旨在在保证芯片电极的结构稳固性以及芯片可靠性的前提下，降低芯片电极的制作成本，以降低LED芯片的制作成本。
低成本可靠性芯片电极及其制备方法 led

[发明专利]一种LED芯片制备方法及LED芯片-CN202310840345.7在审
发明人：王雪峰;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片制备方法及LED芯片，方法包括步骤一，提供一外延片，在外延片上刻蚀出第一指定图形，并在外延片上沉积电流阻挡层，对电流阻挡层进行光刻，以使电流阻挡层的形状为第二指定图形，得到第一半成品芯片；步骤二，在第一半成品芯片上生长铜网格透明电极，并使铜网格透明电极的形状为第三指定图形，得到第二半成品芯片；步骤三，按照第四指定图形在第二半成品芯片上光刻出金属电极图形，并按照金属电极图形在第二半成品芯片上蒸镀出P金属电极及N金属电极，得到第三半成品芯片；步骤四，在第三半成品芯片上生长绝缘层，得到成品LED芯片。本发明在不影响LED发光效率的前提下降低了LED芯片的制备成本。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备工艺-CN202111499294.3有效
发明人：刘峰;吴铭钦 -专利权人：苏州工业园区雨竹半导体有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备工艺，具体涉及发光二极管技术领域，包括防水抗湿膜、蓝宝石衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层。本发明可有效提高发光二极管芯片的抗湿防水性能，同时保证芯片的高温水液中浸泡处理的性能稳定性，可有效防止芯片发生损伤；配方中的防水抗湿膜中的氧化锌在蓝宝石衬底和芯片整体外部形成双层氧化锌镀膜，可有效提高芯片的抗菌自清洁和耐温性能，防水抗湿膜在氧化锌镀膜外部制成双层氧化铝钝化层，可有效加强芯片的多重防水抗湿性能；第二层氧化锌镀膜和第二层氧化铝钝化层直接包裹在整个芯片外部，可有效加强芯片的耐高温和防水抗湿性能。
一种发光二极管芯片及其制备工艺

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202211656546.3在审
发明人：金是广;姜泰旭;李东敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本申请涉及显示装置及制造显示装置的方法。显示装置可以包括：衬底，包括多个像素区域，每个像素区域包括发射区域和非发射区域；以及像素，位于像素区域中的每个中。像素可以包括：发光元件，包括彼此面对的第一端和第二端；第一电极，位于发光元件的第一端上并且电连接至第一端；以及第二电极，位于发光元件的第二端上并且电连接至第二端。第一电极和第二电极可以包括不同的导电材料，并且具有不同的厚度。
显示装置及其制造方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310432455.X在审
发明人：张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过在LED芯片的电极上环设绝缘层，由于绝缘层环绕设置于电极上，即电极之间金属迁移的路径上，可以对LED芯片中P/N电极之间的横向金属迁移速率进行限制，又由于绝缘层的厚度大于等于电极厚度，可以对LED芯片中P/N电极之间的横向金属迁移方向进行限制，最终使得电极脱落的状况得到改善，具体的，因为绝缘层包括相互配合使用的第一绝缘子层和第二绝缘子层，折射率小的第一绝缘子层可以使得Si‑N键结数量降低，提升抗高逆压性能，折射率大的第二绝缘子层可以使得致密性得到提高，避免水汽进入，从而进一步改善电极脱落的状况。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]用于柔性MicroLED独立无支撑的无机透明导电电极的制备方法-CN202111192137.8有效
发明人：徐从康;王坤;王江涌;王宝坤;颜怡 -专利权人：汕头大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于柔性MicroLED独立无支撑的无机透明导电电极的制备，包括从柔性衬底上剥离无机透明导电氧化物薄膜，柔性衬底从下往上结构是有机柔性衬底和无机透明导电氧化物薄膜，剥离方法为将含有无机透明导电氧化物薄膜的柔性衬底溶解苯酚、四氯乙烷、甲苯、二甲苯、DMF、DMAC、DMSO、NMP中的一种或者多种中，在50℃至100℃下加热搅拌。有机柔性衬底为PET、PEN、BOPP、OPP、PE、PI膜中的一种或者多种；无机透明导电氧化物薄膜为ZnO、AZO、IZO、ITO,ZTO等透明导电薄膜。本发明简化设备和工艺过程，节省时间和成本，得到的独立无支撑的无机透明导电电极可用于柔性micro‑LED，作为一种独立无支撑的柔性micro‑LED。解决芯片高度大于其长宽时造成的不利于稳定地固定在所需基板的问题。
用于柔性 microled 独立支撑无机透明导电电极制备方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202223560891.5有效
发明人：褚志强;黄鑫;赵倩;赵方方;曹玉飞;张振;马闯;夏磊 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本申请提供的一种发光二极管，包括衬底；依次沉积在衬底上的N型GaN层、PN结层、P型GaN层、透明导电层；透明导电层上设有通孔，通孔朝向衬底方向延伸，并贯穿P型GaN层、PN结层和N型GaN层。通过设置通孔，使得光线朝向背离衬底的方向折射，即朝向透明导电层的方向出射，从而避免光线在发光二极管中来回反射降低发光效率，也避免光线在来回反射过程中被吸收消耗成热能，保证发光二极管的寿命。而且，降低透明导电层对光吸收面积，提高外量子效率，进而提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]发光器件、用于制造发光器件的方法及包括发光器件的显示装置-CN202180052302.1在审
发明人：车炯来;金东旭;沈泳出;张圣爱;咸智贤 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：一种发光器件包括：第一半导体层，包括第一类型半导体；第二半导体层，包括与第一类型半导体不同的第二类型半导体；活性层，设置在第一半导体层的一个表面与第二半导体层的一个表面之间；第一电极层，布置在第二半导体层的另一表面上，并且具有第一剖面面积；以及第二电极层，布置在第一半导体层的另一表面上，并且具有比第一剖面面积小的第二剖面面积。该发光器件的由第一半导体层、活性层、第二半导体层和第二电极层限定的侧表面与第一电极层的主表面垂直。
发光器件用于制造方法包括显示装置

[发明专利]发光面板-CN202310204815.0在审
发明人：黄国烜;简伯儒 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开一种发光面板，其包括驱动背板、多个发光二极管元件及至少一透明电极。驱动背板具有多个接垫及至少一共用电极。每一发光二极管元件具有P型半导体层、N型半导体层、设置于P型半导体层与N型半导体层之间的发光层和电连接至N型半导体层的接合电极。多个发光二极管元件的多个接合电极分别电连接至驱动背板的多个接垫。多个发光二极管元件的每一者的接合电极、N型半导体层、发光层及P型半导体层沿着远离驱动背板的方向依序排列于多个接垫的对应的一者上。至少一透明电极设置于多个发光二极管元件的多个P型半导体层上。至少一透明电极电连接多个发光二极管元件的多个P型半导体层与驱动背板的至少一共用电极。
发光面板

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202211455159.3在审
发明人：曹敏;孙建建;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片，包括GaAs衬底和依次层叠于所述GaAs衬底上的缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、N型粗化层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层和P型欧姆接触层；其中，所述截止层为GaInP层，其掺杂浓度为4×1018‑6×1018cm‑3，厚度为150‑200nm；所述N型欧姆接触层为N型GaP层，其掺杂浓度为4×1018‑6×1018cm‑3，厚度为60‑120nm。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202221207313.0有效
发明人：张星星;张雪;李美玲;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底以及设置在所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置在所述衬底上的第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层及钝化层，所述第一类型半导体层和所述第二类型半导体层分别电性连接有第一电极和第二电极；所述钝化层的上表面通过蚀刻形成有多个凸起结构。通过在常规钝化层的表面蚀刻形成多个凸起结构，使得钝化层的表面具有超疏水特性，水滴就不容易沾到芯片表面，解决了现有技术中，采用SiO2材料钝化层进行芯片保护，无法阻隔水汽沾到芯片表面以及进入芯片内部，导致对芯片的防护效果差的技术问题。
一种发光二极管

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