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[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201210183838.X无效
发明人：何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;刘传桂 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有金属反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作方法，其特征在于包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层上；电流阻挡层，完全包覆在金属反射层上；电流扩展层，完全包覆在电流阻挡层上；P电极，形成于电流扩展层上；N电极，形成于N型层上。本发明通过在金属反射层外包覆电流阻挡层，形成新型反射电极结构，有效保护了金属反射层，避免金属反射层与空气接触，防止被氧化，提高抗高温高湿能力；同时这种结构又兼具电流阻挡的作用，进一步提高了芯片的发光效率。
一种氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种剥离发光二极管衬底的方法-CN201110024096.1有效
发明人：林素慧;许圣贤;彭康伟;郑建森;吴志强;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种剥离发光二极管衬底的方法，通过对GaN外延层侧面进行腐蚀，形成孔洞型结构，配合外延生长的非填满型图形化蓝宝石衬底，使GaN外延层与蓝宝石衬底分离。本发明可以有效地降低GaN基外延生长中的位错密度，提高晶格质量，且能快速剥离蓝宝石衬底，具有成本低、不会造成GaN薄膜内伤、改善光电器件的性能、提高发光效率的优点。
一种剥离发光二极管衬底方法

[实用新型]具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管-CN201020520589.5有效
发明人：郑建森;刘传桂;林素慧;彭康伟;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管。本实用新型在LED芯片的呈周期性的凹凸状的透明导电层粗化表面上覆盖分布布拉格反射镜，可以使分布布拉格反射镜呈相应的周期性凹凸状，起到高反射镜的作用，最大限度将从芯片发光层发出的光子向上反射，增加出光几率，从而增强发光二极管的出光效率。此外，分布布拉格反射镜还可以充当钝化保护层，减少或避免漏电等电性不良现象发生，提升产品良率。
具有反射氮化倒装发光二极管

[发明专利]氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺-CN201010259993.6无效
发明人：何安和;林素慧;彭康伟;郑健森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺，包括以下工艺步骤：提供一衬底；形成过渡层于该衬底上；用光刻胶在过渡层上制备掩模图形；通过蚀刻，将光刻胶掩模的图形转移到过渡层上；清洗衬底，去除残留的光刻胶；形成N型氮化镓、发光区、P型氮化镓于衬底上并且介于各个过渡层之间；去除过渡层并形成导电层在P型氮化镓上；分别在导电层和N型氮化镓上制作P电极和N电极；经衬底研磨减薄，切割成多个发光二极管芯片。采用本发明制作LED芯片，可有效提升器件的发光效率，增加单片芯片的芯粒产量。
氮化镓基高亮度发光二极管芯片制作工艺

[发明专利]交流发光二极管的制作工艺-CN201010273168.1无效
发明人：郑建森;林素慧;彭康伟;刘传桂;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种交流发光二极管的制作工艺，用以改进目前ACLED芯片制程使用中制作绝缘体时采用先填充再蚀刻的工艺；本发明在制作微型发光二极管之间的绝缘体时，采用先填充绝缘材料再研磨的工艺，使得绝缘体的表面高度与微型发光二极管的表面高度一致，且一并实现微型发光二极管的表面粗化均匀，提升交流发光二极管的发光效率，提高交流发光二极管芯片的生产效率和产品良率。
交流发光二极管制作工艺

[发明专利]侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201010200851.2无效
发明人： 彭康伟;林素慧;刘传桂;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开的一种侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法，在蓝宝石基板上依次生长N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层；在P-GaN层上形成透明导电层；通过光罩、蚀刻，将透明导电层所在的部分台面蚀刻至暴露出N-GaN层；在透明导电层上形成P电极；在暴露的N-GaN层上形成N电极；在蓝宝石基板、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层的侧壁上形成分布布拉格反射镜；将蓝宝石基板减薄、抛光并切割成独立的发光二极管芯粒；与现有技术相比，本发明在LED芯片的侧壁设置具有优异反射性的分布布拉格反射镜，当光到达蓝宝石基板侧面时可有效增加出光或取光，可有效提高发光二极管的外部量子效率。
侧壁具有分布布拉格反射氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201010170914.4有效
发明人：林素慧;彭康伟;刘传桂;林科闯;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开的高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法，在衬底上外延一由N型GaN层、发光层、P型GaN层构成的外延层；第一分布布拉格反射层，形成于外延层第一区域上；第二分布布拉格反射层，形成于外延层第二区域上；导电层形成于第一分布布拉格反射层上且覆盖于外延层第一区域；P电极形成于导电层上；N电极形成于第二分布布拉格反射层上且覆盖至N型GaN层上；其中第一分布布拉格反射层位于P电极正下方，且第一分布布拉格反射层图案面积大于或者等于P电极的图案面积；本发明设有分布布拉格反射层，不但可以充分地把光反射出来，防止光被电极吸收，还可使电流均匀地扩散，起到双重提高光输出效率的作用。
亮度氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法-CN201010180143.7无效
发明人：林素慧;何安和;彭康伟;林科闯;郑建森 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开的一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，其采用分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥了反射层的优异反射性，大大提高发光二极管的发光效率；在分布布拉格反射层中制作开口结构用于填充金属反射层，形成导电功能，避免传统倒装发光二极管中金属反射层与其它金属电极相互扩散而致使金属反射层的反射率降低的现象发生。
具有反射层氮化倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法-CN201010170915.9无效
发明人：林素慧;何安和;彭康伟;郑建森;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法，在永久基板上形成第二焊接金属；在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上，在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层，在金属反射层上形成第一焊接金属；氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；第一电极形成于氮化镓基外延层顶面，第二电极形成于永久基板底面。本发明采用分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层结构，可充分发挥反射层的优异反射性，有效地提高发光二极管的发光效率，有效地避免传统垂直发光二极管中金属反射层与其他金属电极的扩散现象。
具有反射层氮化垂直发光二极管及其制备方法

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