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[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201980004676.9有效
发明人：林素慧;彭康伟;黄苡叡;张中英;何安和;黄禹杰;王锋 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
显示装置及其制造方法

[发明专利]一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置-CN202110676607.1有效
发明人： 黄苡叡;林宗民;张中英;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法、半导体发光器件及显示装置，LED芯片包括半导体外延层，半导体外延层的上方及侧壁上形成有反射结构，例如DBR结构。通过选择DBR结构中第一材料层和第二材料层，并合理设计第一材料层和第二材料层的光学厚度以及层数，使得该DBR结构对隐切激光的反射率30％，最优地，小于5％，接近0％，即几乎能够对隐切激光进行全吸收，或者使隐切激光在光波导结构内反复传输最后自光波导结构出射出去。通过上述反射结构的设计，隐切过程中散射的激光吸收或者自光波导结构出射，不会有激光进入衬底正面的半导体外延层中，从而避免半导体外延层被灼烧或者损伤，保护LED芯片不会出现漏电风险，增强器件的可靠性。
一种 led 芯片及其制造方法半导体发光器件显示装置

[发明专利]燃料电池装置及制造燃料电池电极材料的方法-CN201580078974.4有效
发明人：林科闯;黄苡叡 -专利权人：林科闯;黄苡叡
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01M8/0245 文献下载
摘要：一种燃料电池电极材料在此被揭示，其包含多个孔洞，所述孔洞具有一约500nm至5mm的实质上均一尺寸、具有一个变化量小于20％，具有一约为40‑85％的孔隙率。该燃料电池电极材料可以被使用于一个燃料电池装置中的一层触媒层、一层气体融合层或一层水处理层。包含具有不同设计的如此细微阵列多孔燃料电池电极材料的多个燃料电池装置及制备如此细微阵列多孔燃料电池电极材料的方法也在此被揭示。
燃料电池装置制造电极材料方法

[发明专利]一种晶圆裂片方法以及用于晶圆裂片的裂片膜-CN202010766230.4在审
发明人：张中英;林宗民;黄苡叡;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆裂片方法以及用于晶圆裂片的裂片膜，本发明的方法包括以下步骤：提供具有相对的第一表面和第二表面的晶圆；对晶圆的第一表面进行划片，以形成多条相交的切割线；提供包括导震部和吸震部的裂片膜；在所述晶圆的第一表面贴附裂片膜；经裂片膜向所述晶圆传播振动波，在振动波的作用下裂开晶圆。本发明的上述裂片膜通过导震部实现对晶圆的精确快速的裂片，通过吸震部吸收晶圆切割线之外的区域的振动，由此在对晶圆进行精确裂片的同时有效解决晶圆裂片过程中的崩边崩角等问题，且不易造成双晶现象，可以快速的获取单颗芯粒，提高了芯粒的良率。
一种裂片方法以及用于

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202180003025.5在审
发明人：林宗民;张中英;黄苡叡;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述方法包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于该基板上表面之上的发光外延叠层，该发光外延叠层自基板一侧起包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；二、在所述LED晶圆的上表面定义切割道；三、采用激光沿所述基板的切割道进行切割：将激光聚焦于在所述基板的下表面形成表面孔洞，将激光聚焦于所述基板的内部形成内部孔洞，所述表面孔洞的直径大于所述内部孔洞的直径；四、将该LED晶圆沿着所述切割道分离为若干个LED芯片。在上述发光二极管的制作方法中，在基板的表面形成的表面孔洞的直径大于所述内部孔洞的直径，能够更好控制LED劈裂的崩边崩角，获得方正的LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置-CN202111076835.1在审
发明人：张中英;黄苡叡;林宗民;谢昆达;吴霁圃;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置。所述发光二极管芯片，衬底，具有相对的上表面和下表面；外延结构，位于所述衬底的上表面之上，包括依次层叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘具有一定距离；绝缘反射层，至少覆盖部分所述外延结构，并沿所述外延结构外缘露出的区域延伸覆盖至部分所述衬底的上表面；所述绝缘反射层覆盖于所述衬底的上表面的边缘具有一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁相对于衬底的上表面的倾斜角θ大于等于60°；所述衬底的上表面的至少一部分区域具有不平坦结构。
一种发光二极管芯片发光装置显示装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202180003024.0在审
发明人： 黄苡叡;林宗民;邓有财;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中制作方法包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于该基板上表面之上的发光外延叠层，该发光外延叠层自基板一侧起包含第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；二、在所述LED晶圆的上表面定义切割道，该切割道包括相互垂直的第一切割方向和第二切割方向；三、提供激光光束聚焦于所述基板内部，沿第一方向在所述基板内部的同一截面上形成X条切割线，沿第二方向在所述基板内部的同一截面上形成Y条切割线，其中yx0，且y≥3；四、将该LED晶圆沿着所述切割道分离为若干个LED芯片。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]实现多颗LED芯片ESD测试的晶圆、正装LED芯片及其制造方法-CN202110676502.6在审
发明人：林宗民;黄苡叡;张中英;邓有财;杨人龙 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种实现多颗LED芯片ESD测试的晶圆及正装LED芯片的制造方法。在衬底上形成半导体外延层之后，在半导体外延层中形成隔离沟槽，隔离沟槽贯穿半导体外延层暴露衬底，将半导体外延层分隔成若干相互绝缘的LED芯片。衬底上的若干LED芯片的第一半导体层完全断开，可以同时对多颗LED芯片进行ESD测试，此时多颗LED芯片之间不存在相互干扰问题，不会造成讯号判断不明的情况，保证多颗LED芯片同时测试时，每一颗LED芯片的测试结果的准确性及可靠性。
实现 led 芯片 esd 测试及其制造方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN202080007340.0在审
发明人：林宗民;黄苡叡;张中英;邓有财 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提出一种LED芯片及其制作方法，通过激光减薄LED芯片的衬底，然后进行隐形切割将芯片分离开。所述LED芯片的衬底背面具有激光减薄衬底过程中形成的粗化结构。本发明可解决现有化学机械研磨工艺减薄透明衬底厚度至小于80μm时出现的翘曲严重，边缘崩边引起的破片问题；同时所述LED芯片的衬底表面具有激光减薄衬底过程形成的粗化结构，可增强出光，提升发光亮度。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN202080004935.0在审
发明人：林宗民;黄苡叡;张中英;邓有财;陈艳萍 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片及其制作方法，该制作方法在LED晶圆上的LED单元的功能区外表面形成对激光波长具有反射能力的激光反射层，该激光反射层在激光切割时，对照射于LED单元上的激光产生反射,使激光束在进行切割的工艺过程中不会对LED单元的外延结构造成影响，解决了现有激光切割过程中易损伤外延结构的问题。
一种发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]气泡产生设备及装置-CN201580080900.4有效
发明人：林科闯;黄苡叡 -专利权人：林科闯;黄苡叡
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B01F5/02 文献下载
摘要：一种超微细气泡产生设备在此被公开，其包括一层微细阵列多孔膜及一个用于在液体中产生多个实质均一的超微细气体气泡的装置。所述微细阵列多孔膜包括多个具有小于100μm且实质上均一而具有小于20％的变化量的尺寸的孔洞。由所述超微细气泡产生设备产生的所述超微细气泡可以具有50nm至50000nm且小于20％变化量的实质上均一分布的尺寸。所述超微细气泡产生设备的应用也在此被公开，其包括一种肌肤清洁装置及牙齿清洁装置。所述清洁装置皆包括这样的超微细气泡产生设备。
气泡产生设备装置

[实用新型]一种发光二极管安装系统-CN201920437286.8有效
发明人：彭康伟;林素慧;何安和;王锋;黄苡叡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B25J15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管安装系统，包括：传送装置、发光二极管拾取单元、定位传感装置、控制系统；所述传送装置的传送载物件上安装有多个承载平台，所述承载平台上设置有至少一个能将预安装载体定位安装的定位安装结构；发光二极管拾取单元包括发光二极管拾取装置和至少一个发光二极管放置台，发光二极管拾取装置的拾取范围至少覆盖一承载平台和一发光二极管放置台；控制系统控制传送装置和发光二极管拾取装置动作。通过本实用新型系统得到的显示屏，其预安装载体上阵列的发光二极管来自不同发光二极管放置台上的Wafer或Tape，能够有效避免显色或亮度不均现象。
发光二极管承载平台拾取装置本实用新型传送装置控制系统拾取单元放置台预安装定位安装结构定位传感装置控制传送装置亮度不均现象安装系统定位安装载物件拾取显色显示屏传送覆盖

[发明专利]多孔材料及系统及其制造方法-CN201480082484.7在审
发明人：林科闯;黄苡叡 -专利权人：林科闯;黄苡叡
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C25D13/00 文献下载
摘要：一种包含一大于10/毫米之比表面积之多孔材料，及用于制造该多孔材料之方法及系统。该多孔材料包括数个孔洞，其具有一实质上均一且变化量小于约20%之尺寸，其中，该尺寸大于约100奈米且小于约5毫米。一包含该多孔材料之系统可被设计成一淡化系统、一超威气泡产生系统、一电容器系统，或一电池系统中之一者。
多孔材料系统及其制造方法

[发明专利]热交换材、装置及系统-CN201580081623.9在审
发明人：林科闯;黄苡叡 -专利权人：林科闯;黄苡叡
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： F28F1/10 文献下载
摘要：一种微细阵列多孔热交换材(503、504、513、514、613、614、712、714、1008)，具有约40至85％的孔隙率，包含多个具有小于1000μm且实质均一而具有小于20％的变化量的尺寸的孔洞，且可以包含金属或合金。一种包含微细阵列多孔热交换材(503、504、513、514、613、614、712、714、1008)的热交换装置(400、500、510、903、913)在散热上具有显著的改善由于所述热交换装置的表面积显著的增加及/或对流的改善，且能够应用于一个用来冷却LED灯源(801)或CPU处理器(902)的热沉系统中或应用于用来对热源(1001)的周围加温的热辐射系统中。
热交换装置系统

[发明专利]发光装置-CN201210182707.X有效
发明人：许明祺;王志铭;姚久琳;黄苡叡;王志贤;赵光平 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： F21K9/61 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置，其包含一基座，具有一上表面；多个发光单元环绕地形成于基座上表面上；多个导光单元分别对应形成于各发光单元之上，其中各导光单元具有一第一弧面及一第二弧面，以将发光单元的光线摘出。
发光装置

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