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[发明专利]一种臭氧钝化高k/Ge界面同时改善高k栅介质的方法-CN201510202692.2在审
发明人：刘洪刚;杨旭;王盛凯;龚著靖;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，其中所述衬底为Ge衬底或者含有Ge薄膜表面的晶片；对所述衬底交替进行高k栅介质生长与臭氧处理，在所述衬底上形成高k/GeO_x/Ge栅叠层结构；对所述高k栅介质进行低温氧气退火，以增强所述高k介质质量。利用臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的方法。不仅在Ge表面得到一层极薄的GeO_x层，进而降低EOT，改善了高k/Ge界面质量，起到良好的高k/Ge界面钝化效果。
一种臭氧钝化 ge 界面同时改善介质方法

[发明专利]一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法-CN201410457619.5在审
发明人：张苗;母志强;陈达;薛忠营;狄增峰;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法，所述制备方法包括步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成Ge底层；2）在所述Ge底层上生长SiGe/Ge周期结构，最上一层用Ge覆盖；3）于所述SiGe/Ge周期结构及Ge底层中刻蚀出直至所述硅衬底的多个间隔排列的凹槽；4）采用选择性腐蚀工艺去除凹槽之间的SiGe/Ge周期结构中的SiGe，形成具有间隔的多层Ge结构；5）于所述多层Ge结构的上表面及多层Ge结构之间及侧壁形成栅介质层。
一种沟道包围栅极半导体器件结构制备方法

[发明专利]基于Si衬底的应变Ge1‑xSnx薄膜材料及其制备方法-CN201610728645.6在审
发明人：刘洋;宋建军;蔡丽莹;胡辉勇;宣荣喜;舒斌;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Si衬底的应变Ge1‑xSnx薄膜材料及其制备方法。该制备方法包括选取Si衬底；在第一温度下，Ge衬底表面生长第一Ge籽晶层；在第二温度下，在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；加热整个衬底，并利用激光工艺对整个衬底进行晶化，激光工艺的参数包括激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm2，激光移动速度为25mm/s；冷却形成Ge/Si虚衬底材料并生长应变Ge1‑xSnx材料。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度，进而可提高后续生长的应变Ge1‑xSnx合金薄膜质量。同时，激光再晶化工艺时间短、热预算低，可提升Si衬底上应变Ge1‑xSnx薄膜整个制程的工艺效率。
基于 si 衬底应变 ge1 xsnx 薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种横向PiN结构GeSn光电探测器及其制备方法-CN201710687158.4在审
发明人：张捷 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：该方法包括选取Si衬底；连续生长Ge晶籽层和Ge主体层，制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却后使Ge晶籽层和Ge主体层形成晶化Ge层；刻蚀保护层，并利用离子注入工艺形成P型掺杂区和N型掺杂区以在晶化Ge层中形成横向P‑i‑N结构；在晶化Ge层的i区位置表面生长GeSn层从而形成GeSn光电探测器。本发明实施例通过采用激光再晶化工艺，控制精度高，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点，形成的晶化Ge层，可有效降低Ge/Si界面的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷，提升Ge/Si界面特性，
一种横向 pin 结构 gesn 光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件的制备方法-CN201811578133.1在审
发明人：薛磊;左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件的制备方法，包括步骤：在衬底上依次生长本征Ge层、p型Ge主体层、n型掺杂Ge层、n型掺杂Si层和保护层；刻蚀保护层、n型掺杂Si层、n型掺杂Ge层和p型Ge主体层，形成隔离沟槽、第一结构、第二结构和第三结构；在隔离沟槽中制备隔离层；在第二p型Ge主体层、隔离层和本征Ge层表面淀积第一SiN膜；在第二保护层和本征Ge层表面淀积第二SiN膜；在第一保护层、本征Ge层和第二SiN膜上制备电极。
一种 si 改性 ge 单片光电集成器件制备方法

[实用新型]一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路-CN201822242913.0有效
发明人：刘奕晨;李薇 -专利权人：深圳市富盛电子有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及整流电路，基于无线充电的肖特基二极管包括：SiO₂衬底001、第一Ge层002、第一N型Ge层010、第二N型Ge层006、铝Al金属层007和钨W金属层009，其中，所述第一Ge层002设置在所述SiO₂衬底001的表面；所述第一N型Ge层010设置在所述第一Ge层002的表面；所述第二N型Ge层006内嵌在所述第一N型Ge层010中；所述Al金属层007设置在所述第二N型Ge层006的表面上；所述W金属层009设置在所述第一N型Ge层010的表面的预设的肖特基接触指定区域内。
肖特基二极管无线充电本实用新型整流电路金属层衬底肖特基接触闩锁效应内嵌预设应用

[发明专利]倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249532.X有效
发明人：李奎龙;董建荣;赵勇明;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底表面依次设置的Ge或InGaAs的键合层、第二Ge子电池、第一隧穿结、第一Ge子电池、第二隧穿结、GaAs本发明还提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长Al0.3Ga0.7As或GaInP的牺牲层、GaAs接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池和Ge或InGaAs的键合层；3)提供一支撑衬底；4)将支撑衬底键合至Ge或InGaAs的键合层表面
倒装 gainp gaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种Mg-Ge系镁合金及其制备方法-CN201210539373.7有效
发明人：郑玉峰;周维瑞;成艳 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg-Ge系镁合金及其制备方法。所述镁合金包括Mg和Ge；以重量百分比计，所述镁合金中，Ge的含量为0~5%，但不为零。所述的镁合金的制备方法，包括如下步骤：将所述Mg、Ge、Ca、Zn和微量元素按照下述1）~6）中任一种方式进行混合得到混合物：1）Mg和Ge；2）Mg、Ge和Ca；3）Mg、Ge和Zn；4）Mg、Ge和微量元素；5）Mg、Ge、Ca和微量元素；5）Mg、Ge、Zn和微量元素；将所述混合物进行真空熔炼，或者将所述混合物进行烧结，然后经冷却即得到所述镁合金。本发明提供的可降解吸收Mg-Ge-（Ca、Zn）系列合金，为了改善传统医用镁合金普遍具有的力学性能较低、耐腐蚀性能较差的特点，选用生物相容性良好的锗、钙、锌作为合金化元素，通过成分设计及制备工艺的组合，
一种 mg ge 镁合金及其制备方法

[发明专利]在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法-CN201310723739.0无效
发明人：刘洪刚;韩乐;王盛凯;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法，包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为热氧化过程中的O2阻挡层；将表面沉积有Al2O3薄膜的Ge衬底放入快速退火炉中，在O2氛围下利用热氧化方式在Al2O3/Ge界面处形成一层超薄GeOx界面层；将在Al2O3/Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质/Al2O3/GeOx/Ge界面质量。该方法还适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
ge 衬底制备超薄氧化界面修复方法

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201710348022.0在审
发明人：刘晶晶 -专利权人：厦门科锐捷半导体科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该制备方法包括选取Si衬底；在Si衬底上生长Ge外延层；在Ge外延层上淀积保护层；利用LRC工艺对Si衬底、Ge外延层和保护层进行晶化；刻蚀保护层；在Ge外延层上生长Ge并掺杂形成P型晶化Ge层；在P型晶化Ge层上生长无掺杂的GeSn层；在无掺杂的GeSn层上生长N型Ge层；制作金属电极，形成发光二极管。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度，进而可提高后续生长的应变GeSn合金薄膜质量。
一种发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种肖特基二极管及弱能量收集用整流电路-CN202011467434.4在审
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管及弱能量收集用整流电路，肖特基二极管二极管包括：110晶向Si衬底(001)；第一Ge层(002)设置于衬底Si(001)上表面；第二Ge层(003)设置于第一Ge层(002)上表面；SiGe层(004)设置于第二Ge层(003)上表面第一区域内；第一电极(005)设置于SiGe层(004)上表面；第二电极(006)设置于第二Ge层(003)上表面第二区域内。本发明将Si元素合金化引入Ge半导体中与金属W形成金半接触可以降低SBD开启电压，选用110晶向Ge并在Ge虚衬底上制备Si0.2Ge0.8
一种肖特基二极管能量收集整流电路

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011205204.0有效
发明人：黄文军;唐昭焕;陈世杰;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内包含成对的P型掺杂区以及N型掺杂区，所述P型掺杂区以及N型掺杂区相互隔离；形成多个本征Ge结构，所述本征Ge结构位于各对P型掺杂区以及N型掺杂区之间的半导体衬底的表面；自所述半导体衬底的背面进行刻蚀，以在每个本征Ge结构形成一个或多个孔洞，其中，每个本征Ge结构的孔洞的截面积之和小于所述本征Ge结构的截面积，且自所述半导体衬底与所述本征Ge结构之间的界面起，所述孔洞在所述本征Ge结构内的深度小于所述本征Ge结构的深度；形成填充所述孔洞的介质层。本发明可以减少Si上外延生长Ge结构的界面缺陷。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法-CN202110240656.0有效
发明人：王利明;魏颖;孙浩;胡辉勇;张一驰;王博;张蓓;邵际芳;苑西西;王斌;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括本征Si衬底层，位于本征Si衬底层上方的绝缘反射层，位于绝缘反射层上方的本征Ge衬底层，位于本征Ge衬底层表面两侧的金属电极，以及位于金属电极之间的复合纳米结构阵列，其中，每个复合纳米结构阵列单元包括Ge纳米结构和位于Ge纳米结构上方的金属纳米结构。本发明通过在本征Ge衬底层上形成包括Ge纳米结构和金属纳米结构复合纳米结构阵列，实现了Ge材料的本征吸收以及Ge上金属内部电子热吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率；同时可通过调整结构参数实现红外通信波段的不同双波段响应
红外波段等离子体 ge 光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种Ge材料NMOS器件-CN201721641498.5有效
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种Ge材料NMOS器件，包括：Si_1‑xGe_x/Si虚衬底；P型应变Ge沟道层，设置于Si_1‑xGe_x/Si虚衬底表面上；栅极区，设置于P型应变Ge沟道层表面上；源区和漏区，设置于栅极区两侧的P型应变Ge沟道层内；介质层，设置于栅极区、源区和漏区表面上；接触电极，设置于源区和漏区表面上；本实用新型提供的NMOS器件基于高质量的Si_1‑xGe_x/Si虚衬底和P型应变Ge沟道层，相对于传统Ge材料NMOS器件，其载流子迁移率有了很大提升，在减小NMOS器件尺寸的同时提高了
沟道层栅极区漏区源区本实用新型衬底载流子迁移率沟道层表面衬底表面电流驱动接触电极频率特性介质层减小

[发明专利]一种网络设备的主备倒换方法、装置、设备及系统-CN201310145157.9在审
发明人：孙丽;王日红;张红卫 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：方法包括：接收主备GE端口需要进行倒换的中断信号；执行主备GE端口的切换操作，将所述主用GE端口设置为阻塞状态，在所述阻塞状态下，所述主用GE端口只转发网桥协议数据单元BPDU报文，且停止学习MAC地址；启动备用GE端口，并将所述备用GE端口设置为转发状态，在所述转发状态下，所述备用GE端口转发所有类型的报文，且学习MAC地址。采用上述方法可实现主备GE端口的快速完成，并且满足电力EPON标准的手拉手双链保护要求。
一种网络设备倒换方法装置设备系统