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[发明专利]一种用于整流电路的肖特基二极管及其制备方法-CN201811620047.2在审
发明人：薛磊 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于整流电路的肖特基二极管及其制备方法，所述方法包括：制备硅衬底；在所述衬底上依次形成第一Ge层和第二Ge层；基于所述第二Ge层得到张应变Ge层；在所述张应变Ge层上形成第一N型Ge_1‑xSn_x层；在所述第一N型Ge_1‑xSn_x层表面形成第一电极和第二电极。
肖特基二极管制备整流电路张应变无线能量传输系统最大转换效率电子迁移率表面形成第二电极第一电极硅衬底衬底微波应用

[发明专利]一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法-CN201910940185.7有效
发明人：柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 -专利权人：闽南师范大学;厦门大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。
一种实现晶格阻断气泡 ge si 混合集成方法

[实用新型]GaAs/AlGaAs双结太阳能电池-CN201621480112.2有效
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：所述GaAs/AlGaAs双结太阳能电池包括Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaAs/AlGaAs双结太阳能电池层、接触层、反射膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。本实用新型实施例采用LRC工艺制备的Ge外延层，可以制备出很薄的Ge外延层，且Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，质量较高、热预算低，能够制备出具有品质优良的Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs
gaas algaas 太阳能电池

[发明专利]SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法-CN201610487256.9有效
发明人：蔡丽莹;宋建军;黄云霞;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取单晶Si衬底；在第一温度下生长第一Ge层；在第二温度下生长第二Ge层；连续生长栅介质层和栅极层，选择性刻蚀工艺刻蚀栅介质层和栅极层形成栅极；在栅极表面形成栅极保护层；刻蚀第二Ge层在PMOS和NMOS栅极位置处形成Ge台阶；采用外延工艺在第二Ge层表面生长Si
sigec 应力引入直接 ge 沟道 cmos 集成器件及其制备方法

[发明专利]带有InAlP盖层的Ge沟道金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201310259926.8无效
发明人：韩根全;刘艳 -专利权人：重庆大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种带有InAlP盖层的Ge沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上的Ge沟道（101），Ge沟道上面为InAlP盖层（102），在InAlP盖层和栅（106）之间是绝缘介电质薄膜（103），绝缘间隙壁（107）隔开栅与源InAlP具有比Ge更大的禁带宽度，在InAlP和Ge的界面价带和导带处形成有效的带阶，将导电载流子限制在Ge沟道层中。
带有 inalp 盖层 ge 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]双机制等离增强的Ge基红外通信波段光电探测器及方法-CN202010663733.9在审
发明人：王利明;王博;张一驰;魏颖;胡辉勇;王斌;韩本光;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种双机制等离增强的Ge基红外通信波段光电探测器，包括：本征Ge衬底层(1)；纳米线阵列(2)，所述纳米线阵列(2)的长度方向平行于所述本征Ge衬底层(1)的长度方向、且所述纳米线阵列(2)设置于所述本征Ge衬底层(1)之上；光栅(3)，所述光栅(3)设置于所述纳米线阵列(2)之上；第一电极(4)、第二电极(5)，沿所述本征Ge衬底层(1)长度方向，所述第一电极(4)和第二电极(5)对称设置于所述纳米线阵列(2)两端的所述本征Ge衬底层(1)之上。本发明提出一种双机制等离增强的Ge基红外通信波段光电探测器，利用金属表面等离共振提高吸收系数，进一步提高Ge系探测器在红外通信波段的响应度，实现高性能的Ge基红外通信波段光电探测器。
双机增强 ge 红外通信波段光电探测器方法

[发明专利]一种基于自监督的跨设备磁共振数据的和谐化方法-CN202310104291.8在审
发明人：侯学文;聂生东;常晓;蔡昕;许洋洋;杨晓 -专利权人：上海康达卡勒幅医疗科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本发明一种基于自监督的跨设备磁共振数据的和谐化方法，包括：S1：按照数据采集标准和扫描标准获取原始GE图像集和原始飞利浦图像集；S2：对原始GE图像集和原始飞利浦图像集进行筛查挑选；S3：基于2D分辨率对筛选后的原始GE图像集和原始飞利浦图像集进行重采样；S4：利用图像分割算法将重采样GE图像集和重采样飞利浦图像集中的图像分割；S5：对重采样GE图像集和重采样飞利浦图像集中的图像进行动态阈值的选取；S6：对重采样GE图像集和重采样飞利浦图像集中的图像进行归一化；S7：对重采样GE图像集和重采样飞利浦图像集中的图像进行裁剪；S8：运用双映射网络模块完成GE图像的拟合；S9：运用3D直方图映射模块完成GE图像和谐化。
一种基于监督设备磁共振数据和谐方法

[发明专利]一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元-CN202010225608.X有效
发明人：薛媛;宋三年;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元，该Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料包括钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素和碲(Te)元素，所述Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料的化学式为TaxGeySbzTe100‑x‑y‑zGe‑Sb‑Te相变材料可以通过调节钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素和碲(Te)元素的含量以及薄膜的厚度得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，本申请提供的Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更高的热稳定性，更强的数据保持力
一种 ta ge sb te 相变材料及其制备方法存储器单元

[实用新型]一种基于100G通信的PTN设备-CN201721466479.3有效
发明人：赵发义;江凌翔;沙玉林;孙峰;赵强;王鹏;蹇峡;向志华;余超;张艳辉;邓世勇;孙嵘;齐大明 -专利权人：天津瑞利通科技有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H04B10/032 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于100G通信的PTN设备，其技术特点是：机壳内的接口板卡包括GE/10GE接口板卡、100GE接口板卡、网管板卡和电源板卡，内部电路板包括网管模块、电源模块、主控芯片、链路汇聚模块、100G通信芯片和10G/GE通信芯片；电源模块与电源板卡相连接并为电路板供电，主控芯片与网管模块和链路汇聚模块相连接，链路汇聚模块还与100G通信芯片和10G/GE通信芯片相连接，100G通信芯片与机壳上的100GE接口板卡相连接，10G/GE通信芯片与机壳上的GE/10GE接口板卡相连接。
一种基于 100 通信 ptn 设备

[发明专利]硅基Ge光探测器阵列及其制作方法-CN201710078428.1在审
发明人：仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成发明通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。
硅基 ge 探测器阵列及其制作方法

[发明专利]横向p-n-n微腔结构Ge发光器件及其制备方法-CN201810053656.8在审
发明人：黄诗浩;郑启强;曹世阳;谢文明;李天建;汪涵聪;陈彩云;黄靖 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向p‑n‑n微腔结构Ge发光器件包括有源层n‑Ge层，n‑Ge层下表面为Si/SiO₂结构，n‑Ge层与Si/SiO₂结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n‑Ge层上表面两侧设有p‑GeSi区、n‑GeSi区，中间为有源区，有源区底部暴露n‑Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，p‑GeSi区、n‑GeSi区上设有低电阻导电材料的电极本发明在高掺杂n型GOI衬底上外延高锗组分的GeSi层，并实现横向p‑n‑n结构Ge发光器件，其中Ge组分0.85，在GeSi与Ge之间可以形成有效的势垒层，对电子和空穴都能起到有效的限制作用，进而增强Ge直接带发光效率。
发光器件分布式布拉格反射镜微腔结构高掺杂衬底源区低电阻导电材料空穴发光器件表面发光效率发光性能工艺制备钝化层上表面势垒层下表面氧化硅电极高锗源层制备兼容暴露成熟应用

[发明专利]SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法-CN201811082941.9有效
发明人：舒斌;高玉龙;张利锋;胡辉勇;王斌;王利明;韩本光;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si_1‑xGe_x层；在p型Si_1‑xGe_x层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si_1‑xGe_x层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si_1‑xGe_x层；在n型Si_1‑xGe_x层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。
表面形成双异质结激光器制备光电转换效率光稳定性中间区域电极上光源衬底刻蚀兼容加工

[发明专利]一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法-CN201310723730.X无效
发明人：刘洪刚;韩乐;王盛凯;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法，该方法包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为氧化过程中的O3阻挡层；利用原子层沉积系统中的前驱体O3作为氧化剂，在Al2O3／Ge界面处氧化形成一层GeOx界面层；将在Al2O3／Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质／Al2O3／GeOx／Ge界面质量。本发明实现了Ge基MOS器件中栅叠层所要求的界面稳定性与高质量，适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
一种采用原位臭氧氧化制备界面修复方法

[实用新型]横向p-n-n微腔结构Ge发光器件-CN201820091056.6有效
发明人：黄诗浩;郑启强;曹世阳;谢文明;李天建;汪涵聪;陈彩云;黄靖 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横向p‑n‑n微腔结构Ge发光器件包括有源层n‑Ge层，n‑Ge层下表面为Si/SiO2结构，n‑Ge层与Si/SiO2结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n‑Ge层上表面两侧设有p‑GeSi区、n‑GeSi区，中间为有源区，有源区底部暴露n‑Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，所述p‑GeSi区、n‑GeSi区上设有低电阻导电材料的电极；发光器件表面设有氧化硅的钝化层本实用新型在高掺杂n型GOI衬底上外延高锗组分的GeSi层，实现横向p‑n‑n结构Ge发光器件，Ge组分0.85，在GeSi与Ge之间可以形成有效的势垒层，对电子和空穴都能起到有效的限制作用，进而增强Ge
发光器件分布式布拉格反射镜本实用新型微腔结构高掺杂衬底源区低电阻导电材料空穴发光器件表面发光效率发光性能工艺制备钝化层上表面势垒层下表面氧化硅电极高锗源层兼容暴露成熟应用

[实用新型]硅基Ge光探测器阵列-CN201720132169.1有效
发明人：仇超;武爱民;盛振;高腾;甘甫烷;赵颖璇;李军 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。
硅基 ge 探测器阵列