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[发明专利]Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质-CN201080045590.X有效
发明人：奈良淳史 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-10-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种Bi-Ge-O型烧结体溅射靶，含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O)，其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57＜(Bi/(Bi+Ge))＜0.92，并且含有Bi12GeO20、Bi4Ge3O12和GeO2本发明涉及Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质，特别地提供在溅射时不产生靶的破裂，粉粒的产生少，可以稳定地制作高品质的薄膜，可以得到不产生记录位的错误的光记录介质的Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及该靶的制造方法以及光记录介质
bi ge 烧结溅射及其制造方法以及记录介质

[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法-CN201810705852.9有效
发明人：占荣;吴慧哲;李华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本公开涉及一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池从背光侧至入光侧顺序包括：Ge子电池；InGaAs子电池；和InGaP子电池，其中，所述Ge子电池中的Ge具有2～10‰的张应力。本发明还涉及一种制作多结太阳能电池的方法，其中，在外延生长Ge子电池时，使所述Ge子电池中的Ge具有2～10‰的张应力。本公开的多结太阳能电池及其制造方法，提高了太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种锗的表面钝化方法-CN201010511472.5无效
发明人：谭葛明;王鹏飞;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：采用硫代乙酰胺（CH3CSNH2）溶液钝化锗（Ge）片，可以清除Ge片表面的自然氧化物，并且能够生成均匀致密的GeSx钝化层，防止Ge片表面的再次氧化，消除费米能级钉扎。在钝化后的Ge片上，采用原子层淀积方法淀积一层高质量的Al2O3薄膜来防止Ge片表面的再次氧化，可以获得优良的Al2O3/Ge界面。
一种表面钝化方法

[发明专利]非共线反铁磁与铁磁两相共存Mn3-CN202211316081.7在审
发明人：王晓蕾;崔帅楠;杨倩倩;赵金良 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明两相共存Mn3Ge薄膜包括非共线反铁磁Mn3Ge六角相与铁磁Mn3Ge本发明两相共存Mn3Ge薄膜的制备方法及图案化的两相共存Mn3Ge霍尔bar的制备方法，包括如下步骤：在衬底上采用磁控溅射方法通过调节生长温度生长，得到两相共存Mn3Ge薄膜；对两相共存Mn3Ge薄膜进行光刻胶匀胶、曝光、显影、刻蚀、去胶，即得到图案化的两相共存Mn3Ge霍尔bar。，能够大大拓展Mn3Ge薄膜在自旋存储领域的应用。
共线反铁磁两相共存 mn base sub

[发明专利]一种提高GeSbTe相变性能的技术及其薄膜制备方法-CN201410774875.7在审
发明人：韩培高;吴良才;孟云;徐岭;马忠元;宋志棠 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出一种提高Ge-Sb-Te相变性能的技术及其薄膜制备方法。通过对Ge-Sb-Te相变材料加入TiN形成化合物，其化学式为（TiN）_1-X-（Ge-Sb-Te）_X（其中0.1＜X＜1），可以提高Ge-Sb-Te相变材料的热学和电学性能Ge-Sb-Te相变材料结晶温度（~160^oC）、热稳定性和数据保持能力不太理想，一直制约着Ge-Sb-Te在相变存储材料中的应用。TiN材料具有很好的热稳定性，通过两种合金材料的复合，得到一种新材料（TiN）_1-X-（Ge-Sb-Te）_X，这种材料具有比Ge-Sb-Te相变材料更好的电学性能
一种提高 gesbte 相变性能技术及其薄膜制备方法

[发明专利]一种能实现近红外到可见光转换的光上转换器件及其制备方法-CN201510735080.X在审
发明人：杨宇;邱峰;李辉松;王茺;王荣飞;杨杰;张瑾 -专利权人：云南大学
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的特征在于制备的光上转换器是一种在红外敏感的晶体Ge材料上集成有机发光二极管(OLED)而得到的Ge/OLED光上转换器件，其中，红外敏感的晶体Ge材料可以是Si基Ge量子点、Si基Ge薄膜或单晶Ge衬底；OLED薄膜层主要包括：一有机空穴注入层，一有机空穴传输层，一有机发光层，一有机电子传输层，一电子注入层。本发明所制备的Ge/OLED光上转换器件，利用晶体Ge材料的红外吸收性能和OLED的发可见光特性，在外偏压的作用下，可实现近红外到可见光的转换；并与Si基集成电路兼容，可大大降低红外成像的成本和复杂性。
一种实现红外可见光转换器件及其制备方法

[发明专利]一种XGE与GE的以太网包互转的设备处理方法及系统-CN201610247909.6在审
发明人：郑强 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种XGE与GE的以太网包互转的设备处理方法及系统，涉及XGE与GE以太网包转换领域。该方法的步骤为：A、根据XGE数据包的VLAN TAG区分XGE数据包的端口，将与GE接口相同端口的XGE数据包剥离VLAN TAG后，缓存至与GE接口对应的异步FIFO中；异步FIFO对缓存的XGE数据包进行并串转换和跨时钟域后，形成8位数据的GE数据包；B、为每个GE接口输出的GE数据包添加对应的VLAN TAG后进行串并转换为64位数据；与每个GE接口对应的异步FIFO将64位数据进行缓存、并进行跨时钟域后，形成64位数据的
一种 xge ge 以太网包互转设备处理方法系统

[发明专利]具有LRC-Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池及其制备方法-CN201611251694.1在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有LRC‑Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池及其制备方法，包括:(a)选取Si衬底；(b)利用磁控溅射法，在所述Si衬底上形成Ge外延层，所述Si衬底和所述Ge外延层形成Ge/Si衬底；(c)利用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(d)利用MOCVD工艺，在所述Ge/Si衬底上形成GaAs/AlGaAs子电池；(e)在所述GaAs/AlGaAs子电池上分别形成接触层和反射层本发明采用LRC工艺制备GaAs/AlGaAs双结太阳能电池，可以制备出很薄的Ge外延层，并且质量较高、热预算低。能够制备出具有品质优良的Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池。
衬底太阳能电池外延层双结制备接触层子电池磁控溅射法工艺制备反射层负电极热预算正电极晶化

[发明专利]应变GeCMOS器件-CN201711243351.5在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种应变GeCMOS器件，包括：Si衬底；晶化Si1‑xGex外延层，设置于所述Si衬底上；P型Ge沟道层，设置于所述Si1‑xGex外延层上；介质层，设置于所述P型Ge沟道层上；隔离区，设置于所述P型Ge沟道层和所述介质层内部；N阱区，设置于所述隔离区的第一侧，且设置于所述P型Ge沟道层内；PMOS区域，设置于所述隔离区的第一侧；NMOS区域，设置于所述隔离区(104)的第二侧；钝化层，设置于所述介质层上。本发明提供的GeCMOS器件中高Ge组分Si1‑xGex/Si外延层晶体质量高。
应变 gecmos 器件

[发明专利]一种弱能量收集用肖特基二极管-CN202011467444.8在审
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱能量收集用肖特基二极管，包括：110晶向的Si衬底(001)；第一Ge缓冲层(002)，设置于所述Si衬底(001)的上表面；n+Ge层(003)，设置于所述第一Ge缓冲层(002)的上表面；n‑Ge层(004)，设置于所述n+Ge层(003)上表面的第一区域内，其中，所述n‑Ge层(004)的上表面设置有倒梯形的凹槽，所述倒梯形的斜边与法线夹角为40～60°；第一电极(005)，设置于所述n‑Ge层(004)的凹槽内；第二电极(006)，设置于所述n+Ge层(003)上表面的第二区域内。
一种能量收集用肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法-CN202011468469.X在审
发明人：左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括：选取110晶向的Si衬底；在Si衬底的上表面形成Ge缓冲层；在Ge缓冲层上表面的第一区域内形成Si比例为20％的SiGe层；在SiGe层的上表面形成第一电极；在Ge缓冲层上表面的第二区域内形成第二电极。本发明将Si元素合金化引入Ge半导体中与金属W形成金半接触，可以降低SBD的开启电压，选用110晶向Ge，并在Ge虚衬底上制备高Ge组分Si0.2Ge
一种肖特基二极管制备方法

[发明专利]n+-GeSn/i-GeSn/p+-Ge结构光电探测器及其制备方法-CN201710104256.0有效
发明人：乔丽萍 -专利权人：西藏民族大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种n+‑GeSn/i‑GeSn/p+‑Ge结构光电探测器及其制备方法。该方法包括：选取Si衬底；生长Ge材料，制备保护层；对整个衬底进行加热，并采用激光工艺晶化整个衬底，冷却使Ge材料形成晶化Ge层，去除保护层；对晶化Ge层进行离子注入形成P型晶化Ge层；连续生长本征GeSn层、N型Ge层；在N型Ge层表面分别刻蚀形成水平截面为第一矩形、第二梯形和第二矩形的台状结构；在器件部分制作接触孔，并在接触孔中淀积金属以完成互连制备，最终形成光电探测器。
gesn ge 结构光电探测器及其制备方法

[发明专利]猪伪狂犬病毒gE-gI蛋白及其表达质粒、制备方法和应用-CN201910439258.4有效
发明人：郑金来;吴园园;钱泓;刘建兴;张强;李东辉;谢南;张芳;梁英杰;庞树坤 -专利权人：北京标驰泽惠生物科技有限公司;浙江海隆生物科技有限公司;北京中农快检科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C07K14/03 文献下载
摘要：本发明公开一种猪伪狂犬病毒gE‑gI蛋白及其表达质粒、制备方法和应用，属于生物技术领域。本发明基于构建并筛选的含有密码子优化后的猪伪狂犬病毒gE‑gI蛋白表达基因的重组杆状病毒表达纯化后可获得纯度在90％以上的猪伪狂犬病毒gE‑gI蛋白，并且该gE‑gI蛋白使得gE蛋白或gI蛋白的空间构象与天然蛋白更接近，检测猪血清中的gE或gI抗体的特异性和灵敏度更高。利用该gE‑gI蛋白制备得到的胶体金测试卡或试剂盒配合免疫层析分析仪，能够快速定量检测猪血清中gE‑gI的抗体总效价，可用于评估野毒的感染状况，指导伪狂犬病毒净化、生猪淘汰及免疫程序的优化。
狂犬病毒 ge gi 蛋白及其表达质粒制备方法应用

[发明专利]在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法-CN201010189112.8无效
发明人：吴志浩;宋明辉;陈长清;方妍妍;戴江南;余晨辉;熊晖 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的GexSi1-x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述Ge/GexSi1-x/Si模板上，外延生长形成包括底部Ge子电池、中部GaAs子电池和顶部InGaP子电池的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池。本发明用低价格的Si衬底取代了传统生长方法所必需使用的昂贵的Ge衬底，进行高效太阳能电池的生长；同时在Si衬底可以生长出更大面积、低缺陷密度的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池，大大降低了InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池的生产成本。
衬底生长 ingap gaas ge 太阳能电池方法

[实用新型]基于台阶结构的发光二极管-CN201720544312.8有效
发明人：乔丽萍 -专利权人：西藏民族大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于台阶结构的发光二极管10，包括单晶Si衬底11第一Ge层12，设置于单晶Si衬底11表面；Ge基台阶结构13，设置于第一Ge层12表面的中心位置处；正电极14，设置于第一Ge层12的上表面并位于台阶结构13两侧的位置处；负电极15，设置于台阶结构13的上表面；钝化层16，设置于第一Ge层(12)和Ge基台阶结构(13)的上表面以及正电极(14)和Ge基台阶结构(13)的中间，以形成发光二极管本实用新型台阶结构的发光二极管，Si衬底上外延Ge层，制备出高质量GeSn层，极大地提高发光二极管的发光效率。
基于台阶结构发光二极管