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[发明专利]预测半导体载流子迁移率的方法-CN202211080234.2在审
发明人：熊稳;魏兴战;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明为一种预测半导体载流子迁移率的方法，通过对目标晶体建模并计算载流子迁移率，建模对目标晶体进行结构扭曲并计算修正值，利用该修正值对载流子迁移率计算结果进行修正。本发明通过对晶体结构进行扭曲，计算修正值，并基于修正值得到目标晶体载流子迁移率，解决了计算预测载流子的迁移率，比实验上测得的载流子迁移率偏高的问题，达到了计算预测的结果更加精确、贴近实际情况的效果。
预测半导体载流子迁移率方法

[发明专利]一种测定磁性半导体载流子迁移率的新方法-CN200510016187.5无效
发明人：杨瑞霞;杨帆 -专利权人：杨瑞霞
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明是一种磁性半导体载流子迁移率的测定方法，主要解决磁性半导体材料中由于异常霍尔效应的存在，测定非磁性半导体载流子浓度和迁移率普遍使用的霍尔效应测量迁移率方法对其不再适用。据查文献资料，目前没有可靠测量磁性半导体载流子迁移率的方法。本发明提出将电化学C－V方法和范德堡方法(不需加磁场)相结合，用电化学C－V方法测定磁性半导体载流子浓度，用范德堡方法测定电阻率，然后根据载流子浓度、电阻率与载流子迁移率之间的关系，确定磁性半导体的载流子迁移率
一种测定磁性半导体载流子迁移率新方法

[发明专利]基于VS的CNTFET模型参数方法及相关方法和设备-CN202111654016.0在审
发明人：杨晨;卜建辉;刘艺璇;刘海南;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：该方法包括：获取CNTFET的工艺参数、物理参数和器件实测数据；根据工艺参数、物理参数和器件实测数据获取模型参数，其中，模型参数包括修正载流子迁移率，修正载流子迁移率是根据低场载流子迁移率和修正系数确定的本申请实施例提供的方法是对基于VS的CNTFET模型的低场载流子迁移率利用修正系数对其进行修正得到修正低场载流子迁移率。以此修正低场载流子迁移率和其他模型参数利用原VS‑CNTFET进行仿真得出的结果与实际试验结果的吻合度有很大提升，提高了模型精度，使得仿真结果更为可信，为CNTFET的开发和研究提供了很好的数据支撑。
基于 vs cntfet 模型参数方法相关设备

[发明专利]半局部弹道迁移率模型-CN201480038479.6有效
发明人：丹尼尔·康奈利 -专利权人：新思科技有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：晶体管模型将载流子迁移率限定为漂移扩散迁移率和弹道迁移率的组合。基于以下假设来计算弹道迁移率，即靠近注射点处的载流子的动能不大于靠近该注射点处的载流子的势能差异。模型进一步考虑对与载流子相关联的速率和/或电荷流量的惯性效应。所述模型根据沿电流流动的方向和垂直于电流流动的方向的、在沟道中的载流子的位置来计算载流子迁移率。
局部弹道迁移率模型

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体基板的判定方法以及电子器件-CN201080014373.4无效
发明人：中野强 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种半导体基板，具备：生成二维载流子气体的化合物半导体；对该化合物半导体供给载流子的载流子供给半导体；以及迁移率降低半导体，其配置于该化合物半导体与该载流子供给半导体之间，并具有使载流子的迁移率小于该化合物半导体中的载流子的迁移率的迁移率降低因素
半导体制造方法判定以及电子器件

[发明专利]一种高载流子迁移率氢终端金刚石及其制备方法-CN202310625148.3在审
发明人：袁其龙;杨明阳;江南;褚伍波;杨科;邱梦婷 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高载流子迁移率氢终端金刚石的制备方法，包括：去除金刚石衬底表面杂质，然后超声清洗金刚石衬底表面；在得到的金刚石衬底表面上进行氢等离子刻蚀得到表面为氢终端的金刚石；以六方氮化硼为靶材，在金刚石的氢终端表面进行磁控溅射沉积得到表面含有氮化硼的高载流子迁移率氢终端金刚石本发明还公开了该高载流子迁移率氢终端金刚石的制备方法制备得到的高载流子迁移率氢终端金刚石，该沉积有氮化硼的氢终端金刚石具有较高的载流子迁移率和载流子迁移稳定性。
一种载流子迁移率终端金刚石及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法-CN201811342219.4有效
发明人：李广耀;黄磊;王海涛;汪军;王庆贺;李伟;王东方;闫梁臣 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法，所述薄膜晶体管用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所述第二迁移率不同于所述第一迁移率。
薄膜晶体管及其阵列物体检测方法

[发明专利]载流子迁移率的提取方法-CN201010177642.0有效
发明人：许军;梁仁荣;王敬 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出一种载流子迁移率的提取方法，包括：测量给定MOS器件的转移特性以及输出特性；根据栅源电压Vgs的初始值和沟道横向电场Ex的初始值获得载流子迁移率的计算值；根据载流子迁移率的计算值计算对应的漏极电流Ids的测量值进行比较，判断两者误差是否满足精度要求；如果两者误差不满足精度要求，则进一步调整沟道横向电场Ex的值，并重复上述步骤，直至满足精度要求；如果两者误差满足精度要求，则获得Vgs的初始值对应的载流子迁移率值，并按照预定步长继续调整所述Vgs的值，重复上述步骤，直至获得给定Vgs的范围内载流子迁移率的曲线。通过本发明实施例能够获得准确的载流子迁移率μeff的曲线。
载流子迁移率提取方法

[发明专利]测试结构、其制造方法及应用其的方法-CN201811557772.X有效
发明人：汪雪娇;徐翠芹;刘巍;王昌锋;陈蓓 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：且各组半导体器件间的沟道长度不同，并测试至少一组半导体器件的带阱掺杂的器件的阈值电压和不带阱掺杂的器件的阈值电压，得到阈值电压数据库，分析阈值电压数据库得到阱掺杂对阈值电压的影响；提取每组带阱掺杂器件的沟道载流子迁移率和不带阱掺杂器件的沟道载流子迁移率，得到沟道载流子迁移率数据库，分析沟道载流子迁移率数据库得到阱掺杂对沟道载流子迁移率的影响，如此，可评估阱掺杂对器件阈值电压(Vt)和沟道中载流子迁移率(Ion/Ioff)的影响，且成本低，节约资源。
测试结构制造方法应用

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310157798.6在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内依次外延形成阈值调整层和载流子迁移层，所述载流子迁移层的表面与半导体衬底的表面齐平，所述阈值调整层内掺杂有阈值调整离子，所述载流子迁移层中载流子的迁移率大于阈值调整层中载流子的迁移率；在所述载流子迁移层表面形成栅极结构。所述晶体管的形成方法可以提高晶体管的载流子迁移率，改善晶体管的短沟道效应。
晶体管及其形成方法

[发明专利]高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200810169855.1有效
发明人：弗兰茨娃·赫尔伯特 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，尤其公开了一种高迁移率垂直沟槽DMOSFET及其制造方法。该高迁移率垂直沟槽DMOSFET的源极区域，漏极区域或沟道区域可以包括提高沟道区域中的电荷载流子的迁移率的硅锗。在一些实施例中，该沟道区域可以受到应变以提高沟道电荷载流子的迁移率。
迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺-CN201510207632.X有效
发明人：徐华;陈子凯;李洪濛;徐苗;邹建华;王磊;陶洪;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b， b>a；每一个子有源层中，|E_a1|>|E迁移率和高稳定性。
迁移率稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺

[实用新型]一种室温高频太赫兹波探测器-CN201922206834.9有效
发明人：张凯;董卓;沈文;沈寒松 -专利权人：江苏盖姆纳米材料科技有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：包括高载流子迁移率二维材料、场效应晶体管和太赫兹天线，场效应晶体管具有源电极、栅电极和漏电极，源电极、栅电极和漏电极集成于带有介质层的衬底上，太赫兹天线与场效应晶体管的三个电极相连；高载流子迁移率二维材料上下表面分别包覆二维层状介电材料，与漏电极连接的和与源电极连接的太赫兹天线端与高载流子迁移率二维材料欧姆接触，与栅电极连接的太赫兹天线端通过二维层状介电材料与高载流子迁移率二维材料为肖特基接触。本申请有效耦合高频太赫兹波，避免高载流子迁移率二维材料制备时引起的载流子迁移率降低的问题，实现对高频太赫兹波有效探测。
一种室温高频赫兹探测器

[发明专利]能解析载流子的光-霍尔系统和方法-CN202080028213.9在审
发明人： O.古纳万;周旺 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：提供了便于高灵敏度、能够解析载流子的光‑霍尔效应测量的系统和方法。可以同时测量和确定多数载流子特性和少数载流子特性。在一个方面，系统(200)和方法确定多数载流子类型、密度和迁移率，并且利用调制的照射确定少数载流子迁移率和光载流子密度。在另一方面，系统(200)和方法可以确定空穴和电子迁移率、光载流子密度、吸收的光子密度、复合寿命和空穴的扩散长度、电子和双极性输运。
解析载流子霍尔系统方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201710720232.8有效
发明人：钱冲;李贵芳;李博;吴赛飞 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括：层叠设置的反射层、微腔补偿层、阳极、微腔调节层、发光层以及阴极；所述微腔补偿层的载流子迁移率大于所述微腔调节层的载流子迁移率。本发明实施例通过在反射层和阳极层之间增设微腔补偿层，并设置所述微腔补偿层的载流子迁移率大于所述微腔调节层的载流子迁移率，解决了现有的有机发光显示面板的功耗大的问题，实现了降低有机发光显示面板的功耗的效果
显示面板显示装置

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