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[发明专利]绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法-CN202210406596.X在审
发明人： 母志强;姜文铮;朱宇波;陈玲丽;俞文杰;李卫民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。
绝缘体衬底上单晶 aln 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法-CN202210731188.1有效
发明人： 母志强;姜文铮;赵佳;李卫民;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
一种应力氮化压电薄膜生长方法

[发明专利]体声波谐振器的调谐方法-CN202310229595.7在审
发明人：赵佳;母志强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提出一种体声波谐振器的调谐方法，体声波谐振器的调谐方法包括：压电薄膜包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；通过固定压电薄膜的总厚度，改变不同极性的极性压电薄膜的层数。极性压电薄膜层数越多，越能激发更高阶谐振模式，谐振频率越大；体声波谐振器的调谐方法利用分层制备极性相反的极性压电薄膜，在不降低压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，激发更高阶谐振模式，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时，提高滤波器工作频率。
声波谐振器调谐方法

[发明专利]体声波谐振器及其制备方法-CN202310229636.2在审
发明人：周琮泉;母志强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提出一种体声波谐振器及其制备方法，体声波谐振器包括第一电极、第二电极，以及夹在第一电极及第二电极之间的压电薄膜，其中压电薄膜由n层相邻两层极性相反的极性压电薄膜构成，第一电极与第二衬底被腔体结构隔开，腔体结构被嵌入第二衬底上，第二电极上方也由空气包围；本发明的体声波谐振器的制备方法利用分层制备极性相反的极性压电薄膜，在不降低压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时提高滤波器工作频率，为高频体声波谐振器提供了一种新的制备方法。
声波谐振器及其制备方法

[发明专利]一种体声波谐振器结构-CN202310229607.6在审
发明人：周琮泉;母志强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种体声波谐振器结构，结构包括衬底、第一电极、压电薄膜层叠结构和第二电极；衬底与第一电极之间设置有声学镜；压电薄膜层叠结构位于第一电极和第二电极之间；压电薄膜层叠结构由多个第一压电薄膜和第二压电薄膜交替层叠构成，第一压电薄膜与第二压电薄膜的极性相反。本发明通过设置多层极性相反的压电薄膜，在不需要减薄压电薄膜厚度的条件下提高了体声波滤波器的谐振频率；同时利用压电薄膜层叠结构实现极性反转，降低对压电材料厚度的依赖，不需要额外生长电极，减小声波损耗，提高品质因子；另外，配合单晶材料作为压电薄膜材料，进一步提升了压电薄膜的晶体质量，提升了器件的滤波性能。
一种声波谐振器结构

[发明专利]一种滤波器、体声波谐振器结构及其制作方法-CN202310090360.4在审
发明人：赵佳;母志强;姜文铮 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种滤波器、体声波谐振器结构及其制作方法，所述体声波谐振器结构包括：衬底及谐振器单元，其中，衬底中设有开口向上的凹槽；谐振器单元包括底电极、压电层、支撑层及顶电极，底电极位于衬底的上表面并与凹槽合围形成空腔，压电层位于凹槽上方的底电极上表面，支撑层位于底电极上表面且环绕压电层，顶电极覆盖支撑层与压电层的上表面。本发明通过面积较小的压电层定义体声波谐振器的有效工作区，将声波能量限制在体声波谐振器的压电层区域，提高了体声波谐振器的有效机电耦合系数、品质因数Q值和功率容量。另外，将体声波谐振器结构应用于滤波器中，提升了滤波器的性能。
一种滤波器声波谐振器结构及其制作方法

[实用新型]一种防鸟防溢降尘缸-CN202222475632.6有效
发明人：罗圆圆;母志强;刘方;谢军;赖永骏;李厅;唐永红;喻成志 -专利权人：四川省天晟源环保股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N1/20 文献下载
摘要：本实用新型属于环境监测设备领域，涉及降尘缸，本实用新型公开一种防鸟防溢降尘缸，包括集尘缸和底座，集尘缸卡设在底座上，集尘缸上部安装有隔离网，内部设置有虹吸管；底座内设置有储液腔，所述虹吸管的长臂端连通至储液腔。通过设置底座，便于安放集尘缸，避免集尘缸被吹倒；通过设置隔离网，可以隔离大颗粒固体物质、鸟类、昆虫等，减少样品干扰；通过设置虹吸管，可以控制集尘缸内的最大液位高度，液位超过虹吸管最高点，虹吸管就自动启动，将溶液储存至底座的储液腔内。
一种防鸟防溢降尘

[实用新型]一种便于组合连接的水利工程水管-CN202222151818.6有效
发明人： 母志强 -专利权人：福建坤固建设有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： F16L37/086 文献下载
摘要：本实用新型属于水利工程水管技术领域，尤其为一种便于组合连接的水利工程水管，包括水管本体，所述水管本体的一端开设有密封槽、另一端固定有可密封条，所述密封条可嵌设在密封槽内使水管本体紧密相连，还包括：第一安装环，所述第一安装环环套固定在水管本体的一端，所述第一安装环上沿圆周方向开设分布有固定孔；第二安装环，所述第二安装环环套固定在水管本体的另一端；本实用新型的水利工程水管中，设置有密封槽和密封条，有利于水管的密封相连，设置有第一安装环和第二安装环，并通过多个卡块、固定弹簧和固定孔相配合固定，可使水管连接只需相互贴合并挤压即可，进一步提高了水管组合连接的效率，便于使用。
一种便于组合连接水利工程水管

[发明专利]一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法-CN202210975358.0在审
发明人：贾欣;母志强;刘强;周虹阳;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L41/33 文献下载
摘要：本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法，所述制备方法至少包括：1)提供具有空腔的衬底，在所述衬底表面形成底电极层；2)在所述底电极层表面形成压电层，所述压电层包括依次形成于所述底电极层表面的第一极性压电层和第二极性压电层；3)于所述第二极性压电层表面依次沉积钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4)制备所述底电极层和所述顶电极层的电极引出结构。利用本发明的制备方法所获得的PMUT器件中，其压电层为单层双极性膜，具有无过渡区的特点，可以最大化有效工作区域，另外，单层双极性膜的制备工艺简单，开孔数量少，布线面积小，因此，可以使得PMUT的阵列密度大幅提高。
一种含有极性压电结构 pmut 器件及其制备方法

[发明专利]一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法-CN202210977055.2在审
发明人：贾欣;母志强;刘强;周虹阳;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L41/29 文献下载
摘要：本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件的制备方法，包括1)提供第一衬底，在衬底表面形成底电极层；2)形成压电层，包括依次形成的第一极性压电层和第二极性压电层；3)依次沉积第一钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4)形成第一通孔，沉积支撑层，5)刻蚀支撑层，形成第一开口和第二开口；6)提供第二衬底，并将结构翻转，使第二衬底与所述支撑层键合，第一开口形成空腔，去除第一衬底。本发明的制备方法采用两种电学连接方式，制备获得的PMUT器件中，其压电层为单层双极性膜，具有无过渡区的特点，可以最大化有效工作区域，另外，该制备工艺简单，开孔数量少，布线面积小，PMUT的阵列密度大幅提高。
一种含有极性压电结构 pmut 器件及其制备方法

[发明专利]基于内嵌空腔SOI衬底的多栅MOS器件及其制备方法-CN202110749918.6有效
发明人： 母志强;刘强;俞文杰 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本发明提供一种基于内嵌空腔SOI衬底的多栅MOS器件及其制备方法，器件包括：内嵌空腔SOI衬底，包括硅衬底、绝缘层及顶层硅，绝缘层中形成有沿器件的源漏方向间隔排布的多个空腔，空腔上方的顶层硅中形成有沟道区；多个全包围栅极结构，分别形成在多个空腔上方的沟道区四周，全包围栅极结构包括全包围栅介质层和全包围栅极层，且多个全包围栅极结构间隔排布，以使得沟道区包括被多个全包围栅极结构包围的多个控制部和未被全包围栅极结构包围的多个间隔部；源电极和漏电极，分别形成在沟道区两端的源区和漏区上。本发明制备的多个全包围栅极结构可以实现相应沟道区域的独立控制，从而在一个MOS管内实现大于或等于两位的字节运算。
基于空腔 soi 衬底 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN202210772041.7在审
发明人： 母志强;李卫民;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器及其制备方法，所述制备方法至少包括：1)在第一衬底上生长压电薄膜；2)形成第一电极，并图形化第一电极和压电薄膜；3)旋涂第一聚合物层；4)利用光刻工艺图形化所述第一聚合物层，形成第一开口；5)提供第二衬底，其具有第二聚合物层；6)将第一聚合物层和第二聚合物层键合固定，去除第一衬底，所述第一开口形成空腔结构；7)形成介质层，图形化所述介质层形成暴露所述压电薄膜的第二开口；8)形成第二电极，并制作电极引出结构。本发明利用旋涂和光刻技术形成图形化的第一聚合物层，避免了生长沉积、抛光及刻蚀等复杂工艺的引入，工艺简单，成本更低。
一种空气隙型单晶压电薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]真空沟道晶体管及其制作方法-CN202110865729.5有效
发明人： 母志强;刘强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J9/18 文献下载
摘要：本发明提供一种真空沟道晶体管的制作方法，至少包括：在第一硅衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括第一电介质层、多晶硅层和第二电介质层；图形化所述层叠结构以形成包括空腔和沟槽的图形化区域，其中在所述沟槽的底部暴露出第一硅衬底；在所述图形化区域中形成第三电介质的侧壁；在形成有第三电介质侧壁的所述沟槽内定位生长纳米线，所述纳米线自第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；使所述第二电介质层与第二硅衬底键合。本发明还提供了一种真空沟道晶体管，其包括穿过所述第一电介质层而进入真空空腔的纳米线。所述制作方法可以与现有集成电路的制造工艺相兼容，经由所述制作方法可获得源极与漏极之间距离精确可调的真空晶体管。
真空沟道晶体管及其制作方法

[发明专利]一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法-CN202210345490.3在审
发明人：朱宇波;母志强;朱雷;李卫民;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、可移动样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。
一种通量薄膜压电性能综合表征装置方法

[发明专利]真空沟道晶体管及其制备方法-CN202110864029.4有效
发明人： 母志强;刘强;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空沟道晶体管的制备方法，所述制备方法至少包括：在第一硅衬底上沉积氧化物层；对所述氧化物层进行图形化以形成图形化区域，所述图形化区域包括具有开口的空腔和自所述空腔底部贯穿所述氧化物层的沟槽；在所述沟槽内定位生长纳米线，所述纳米线自所述第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；在所述空腔的与所述第一硅衬底相对的一侧使所述氧化物层与第二硅衬底键合以形成内含所述空腔的SOI衬底。本发明也提供了一种真空沟道晶体管，其包括穿过所述氧化物层的顶部而进入所述真空空腔的纳米线。所述制备方法可以与现有集成电路的制造工艺完全兼容，经由所述制备方法可获得源极与漏极之间距离精确可调的真空沟道晶体管。
真空沟道晶体管及其制备方法

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