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- [发明专利]单光子探测电路和单光子探测器-CN202310862686.4有效
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盛迎接;吴亚;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-07-14
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2023-10-10
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G01J1/44
- 本发明公开一种单光子探测电路和单光子探测器，其中，单光子探测电路包括雪崩二极管、供电子电路、探测单元、淬灭单元、异常处理单元、选择单元、恢复单元和脉冲处理单元，供电子电路向雪崩二极管提供偏置电压，然后探测单元探测雪崩二极管的状态，若发生雪崩则通过淬灭单元对雪崩二极管进行主动淬灭处理，再通过高压恢复单元进行恢复处理，在恢复过程中如果出现异常，则利用异常处理单元进行处理，选择单元则能够对淬灭和异常进行选择，上述主动淬灭处理、恢复处理和异常处理都通过脉冲处理单元对偏置电压进行控制，从而能够在雪崩电流较低时提高雪崩二极管的响应灵敏度，降低后脉冲概率，同时缩短死时间并提高光子探测的探测效率和饱和计数率。
- 光子探测电路探测器
- [发明专利]离子阱量子寻址的AOD调节系统-CN202311104689.8在审
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刘扬扬;胡小豹;刘亚;吴亚;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-08-30
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2023-09-29
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G06N10/40
- 本公开是关于一种离子阱量子寻址的AOD调节系统。该离子阱量子寻址的AOD调节系统包括光线准直模块、摆角台、入射AOD模块与出射AOD模块连接处至少具有两个不同方向的挠度调节组件；挠度调节组件，用于通过对入射AOD模块进行两个不同方向的挠度调节，来调整入射AOD模块出射的激光束输入至出射AOD模块时的第二入射角度，得到在出射AOD模块输出衍射效率达到预定值的一级衍射光。摆角台可对入射AOD模块及出射AOD模块进行摆角调节，挠度调节组件可通过不同方向挠度调节来便捷精确调节衍射光束的衍射效率。通过摆角台对入射AOD模块及出射AOD模块的摆角调节，以在寻址时能够快速确定离子串位置。然后通过衍射效率合适的衍射光束进行离子状态读取。
- 离子量子寻址aod调节系统
- [发明专利]磁场强度控制装置-CN202310856500.4有效
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束鹏飞;张守玉;唐有利;袁强;石致富;许克标;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-07-13
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2023-09-12
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G05F7/00
- 本发明公开了一种磁场强度控制装置，包括：PID控制模组对磁场强度实测值与扫场起始值的第一差值进行PID调节，得到第一PID信号输出值；稳场DAC模组根据第一PID信号输出值得到的第一磁场驱动信号和第二磁场驱动信号，将磁场强度稳定在扫场起始值；PID控制模组根据扫场终止值与扫场起始值的第二差值得到n个单元稳场周期，以及根据磁场强度实测值与在第x个单元稳场周期中确定的第x个单元稳场周期的第一磁场强度目标值，得到第二PID信号输出值；扫场DAC模组根据第一磁场驱动信号、第二磁场驱动信号和在第x个单元稳场周期中根据第二PID信号输出值得到的第三磁场驱动信号第三磁场驱动信号对磁场发生器进行控制。由此，进行磁场强度相对均匀且连续变化的扫场。
- 磁场强度控制装置
- [发明专利]磁场强度控制装置-CN202310856606.4有效
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束鹏飞;张守玉;唐有利;袁强;石致富;许克标;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-07-13
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2023-09-12
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G05F7/00
- 本发明公开了一种磁场强度控制装置，所述装置包括：磁场检测模组，用于获取磁场发生器所产生磁场的磁场强度实测值；PID控制模组，用于对磁场强度实测值与扫场起始值的第一差值进行PID调节，得到第一PID信号输出值；稳场DAC模组包括：第一数模转换子模块用于根据第一PID信号输出值输出第一磁场驱动信号；第二数模转换子模块用于根据第一PID信号输出值输出第二磁场驱动信号；第一控制模块用于根据第一磁场驱动信号和第二磁场驱动信号，将磁场发生器所产生磁场的磁场强度稳定在扫场起始值。由此，能够加快PID控制模组的调节效率，使磁场强度快速接近扫场起始值，以及能够加快PID控制模组的收敛效率，使磁场强度快速稳定在扫场起始值附近。
- 磁场强度控制装置
- [实用新型]离子阱的芯片更换系统-CN202320801626.7有效
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吴亚;刘志超;李晓刚;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-04-07
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2023-09-08
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H01J49/24
- 本实用新型公开了一种离子阱的芯片更换系统，包括：真空模块和更换模块，所述更换模块与所述真空模块相连，所述真空模块内形成有真空腔，所述更换模块内形成有芯片更换腔，所述芯片更换腔与所述真空腔连通且适于选择性地隔断或连通，所述更换模块设有与所述芯片更换腔连通的抽真空口和安装口；抓取机构，所述抓取机构可拆卸地安装于所述安装口处，且所述抓取机构设有可活动的夹持部，所述夹持部用于夹持芯片安装结构且适于带动所述芯片安装结构在所述芯片更换腔与所述真空腔之间运动。根据本实用新型实施例的离子阱的芯片更换系统，可保证芯片所在的真空腔在芯片更换过程中始终保持超高真空环境，且更换芯片的操作简单、工作效率高，可降低成本。
- 离子芯片更换系统
- [发明专利]可真空换芯片的离子阱系统-CN202310386834.X在审
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吴亚;刘志超;李晓刚;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-04-07
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2023-08-11
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H01J49/24
- 本发明公开了一种可真空换芯片的离子阱系统，包括：真空模块和更换模块，更换模块与真空模块相连，真空模块内形成有真空腔，更换模块内形成有芯片更换腔，芯片更换腔与真空腔连通，更换模块设有与芯片更换腔连通的抽真空口；第一阀板，第一阀板可活动地安装于更换模块与真空模块的连接处，且第一阀板用于选择性地隔断芯片更换腔与真空腔。根据本发明实施例的可真空换芯片的离子阱系统，通过设置彼此能够连通的真空腔和芯片更换腔，可保证二者之间真空度的统一性，同时通过第一阀板可将真空腔和芯片更换腔实现阻隔，起到保护真空腔的真空环境的作用，由此，可保证真空腔的真空环境在更换过程中不会受到破坏或污染，从而降低成本，提高工作效率。
- 真空芯片离子系统
- [发明专利]离子阱芯片更换系统-CN202310386545.X在审
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李晓刚;刘志超;吴亚;贺羽
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国仪量子（合肥）技术有限公司
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2023-04-07
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2023-08-11
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H01J49/24
- 本发明公开了一种离子阱芯片更换系统，包括：真空模块，所述真空模块内形成有真空腔；芯片安装结构，所述芯片安装结构安装于所述真空腔内且可拔插拆装；抓取机构，所述抓取机构位于所述真空腔外，所述抓取机构设有可活动的夹持部，所述夹持部用于夹持所述芯片安装结构在所述真空腔内进行拔插拆装。根据本发明实施例的离子阱芯片更换系统，通过设置彼此能够连通的真空腔和芯片更换腔，可保证二者之间真空度的统一性，同时通过第一阀板可将真空腔和芯片更换腔实现阻隔，起到保护真空腔的真空环境的作用。同时，利用活动在真空腔以及芯片更换腔之间的抓取机构进行抓取芯片安装结构，使得芯片安装结构能够在真空腔内进行安装或拆卸。
- 离子芯片更换系统
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