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[实用新型]组件、电子设备和接近度传感器-CN202223357278.3有效
发明人： J·汉南;A·卡利;M·E·吉隆;C·米拉内托;C·普雷蒙特 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司;意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体 (ALPS) 有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本公开涉及组件、电子设备和接近度传感器。一种用于电子设备的组件，组件包括：显示屏幕，显示屏幕包括以矩阵方案被布置的多个像素，矩阵方案具有在第一方向上定向的行和在第二方向上定向的列；以及接近度传感器，接近度传感器包括至少一个光学发光器和光学检测器，每个光学发光器适于通过显示屏幕的一个或多个第一像素发射光束，光学检测器适于通过显示屏幕的一个或多个第二像素接收由至少一个光学发光器发射并且在对象上反射的光束；其中一个或多个第二像素中没有像素在与一个或多个第一像素中的任何一个像素相同的行中，并且一个或多个第二像素中没有像素在与一个或多个第一像素中的任何一个像素相同的列中。由此，提供了改进的组件。
组件电子设备接近传感器

[发明专利]用于∑-Δ模数转换器的光电二极管电流兼容输入级-CN202310349932.6在审
发明人： I·托多罗瓦;J·M·雷纳 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：用于∑‑Δ模数转换器电路的输入级电路，其接收数模转换器生成的反馈信号和模拟电流输入信号以生成施加到积分器电路的差信号。单一位量化电路量化所述积分器电路的输出以生成施加到所述数模转换器的输入的位信号。输入级电路包括通过非重叠的第一时钟信号和第二时钟信号控制的开关输入电容器。
用于转换器光电二极管电流兼容输入

[发明专利]用于切割衬底元件的方法-CN202310289148.0在审
发明人： M·查佩龙;W·哈利迪;J·加尼厄 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司;意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B28D1/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于切割衬底元件的方法。在一种方法中，提供衬底元件，其中每个衬底元件具有在角点处相交的第一侧面和第二侧面。拾取衬底元件，并且然后被对准地放置在支撑设备上。然后执行切割操作，其中衬底元件中的每个衬底元件沿着具有共有第一方向的切割线来切割，该共有第一方向与衬底元件中的每个衬底元件的第一侧面和第二侧面交叉，以在每个衬底元件上创建第三侧面。衬底元件中的每个衬底元件的第三侧面在对应的角点处与第一侧面和第二侧面相交。
用于切割衬底元件方法

[发明专利]透射分束器-CN202110057312.6有效
发明人： T·戈帕尔·克里什南;C·汤森 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G02B27/30 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及透射分束器。本公开涉及一种包括传感器的电子设备，该传感器具有被配置为提供多个准直光束的透射模块。透射模块包括光源和透射分束器。透射分束器包括多个小透镜。透射分束器被配置为：接收来自光源的一个或多个光束并且折射该一个或多个光束，以形成多个准直光束。
透射分束器

[发明专利]用于控制照明源的驱动电流的装置-CN202011415242.9有效
发明人： J·K·莫雷 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H05B47/11 文献下载
摘要：一些实施例涉及用于控制照明源的驱动电流的装置。一种装置包括：照明源，该照明源被配置成用于当被以大于阈值电流的电流驱动时发光；驱动器电路，该驱动器电路被配置成用于以可控电流驱动该照明源，该驱动器电路至少由第一输入值控制；至少一个照明检测器，该至少一个照明检测器被配置成用于检测由该照明源发射的光；以及监测电路，该监测电路被配置成用于接收来自该照明检测器的输出并且提供该第一输入值。
用于控制照明驱动电流装置

[发明专利]稀疏显示激光雷达-CN202310040729.0在审
发明人： A·阿斯曼 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01S7/51 文献下载
摘要：本公开涉及稀疏显示激光雷达。一种对光进行采样的系统，包括光敏像素阵列和内容显示器。内容显示器包括内容显示像素阵列；以及掩蔽像素阵列，其单独可选择以在非透明状态与透明状态之间切换，掩蔽像素阵列与光敏像素阵列对准，使得能够通过选择掩蔽像素阵列的状态来选择光敏像素以接收通过内容显示器的光。
稀疏显示激光雷达

[发明专利]基于单光子雪崩二极管的范围检测装置-CN202110371371.0有效
发明人： J·K·莫雷;庄彩新 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及基于单光子雪崩二极管的范围检测装置。其包括：单光子雪崩二极管参考阵列，被配置成用于经由内部耦合路径接收来自照明源的光；单光子雪崩二极管返回阵列，被配置成用于经由外部自由空间路径接收来自该照明源的光；校准脉冲发生器，被配置成用于生成校准信号脉冲；读出电路系统，被配置成用于接收：该参考阵列经由参考信号路径的输出；该返回阵列经由返回信号路径的输出；以及该校准脉冲发生器经由校准信号路径的输出，该校准信号路径包括基本上遵循该参考信号路径的第一信号路径，其中该读出电路系统被配置成用于基于该校准脉冲发生器经由该校准信号路径的该输出来确定该参考信号路径与该返回信号路径之间的延迟差值。
基于光子雪崩二极管范围检测装置

[发明专利]串行总线系统和方法-CN202211615533.1在审
发明人： J·雷纳;S·M·阿帕西奥;B·T·萨拉奇 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本申请涉及串行总线系统和方法。本公开涉及一种辅助设备，该辅助设备包括：第一端口，从主设备的第一端口接收时钟信号；以及第二端口，被连接至主设备的第二端口。时钟信号针对每个位传输，确定连续的第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段。在每个位传输的所述第一阶段、第二阶段和第四阶段期间，辅助设备将其第二端口置于高阻抗状态。在从辅助设备到主设备的每个数据位传输的所述第三阶段期间，当被传输位具有第一值时，辅助设备对其第二端口进行放电，并且当被传输位具有第二值时，将其第二端口置于高阻抗状态。
串行总线系统方法

[发明专利]包括显示屏幕和接近度传感器的组件-CN202211609326.5在审
发明人： J·汉南;A·卡利;M·E·吉隆;C·米拉内托;C·普雷蒙特 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司;意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体 (ALPS) 有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本公开涉及包括显示屏幕和接近度传感器的组件。本公开涉及一种用于电子设备的组件，该组件包括：显示屏幕，其包括以矩阵方案被布置的多个像素，矩阵方案包括在第一方向上定向的行和在第二方向上定向的列；以及接近度传感器，其包括至少一个光学发光器以及光学检测器，每个光学发光器被适配成通过该显示屏幕的一个或多个第一像素发射光束，该光学检测器被适配成通过该显示屏幕的一个或多个第二像素接收由该至少一个光学发光器发射并且在物体上反射的光束；其中一个或多个第二像素中没有一个与一个或多个第一像素中的任何一个在相同的行中，并且一个或多个第二像素中没有一个与一个或多个第一像素中的任何一个在相同的列中。
包括显示屏幕接近传感器组件

[发明专利]零功率传感器-CN201810023867.7有效
发明人： J·M·雷诺;L·斯塔克;F·卡克林 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明涉及一种零功率传感器。集成电路包括衬底以及在衬底上实现的至少一个光伏电池。至少一个光伏电池被配置为生成电源电压。电路在衬底上实现。电路由电源电压供电。至少一个光伏电池可以包括多个串联连接的光伏电池。
功率传感器

[发明专利]混合灰度图像增强-CN202211458261.9在审
发明人： B·D·斯特瓦特;R·赫格杜斯 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本公开涉及混合灰度图像增强。公开了一种用于增强图像的方法和图像增强设备。用于增强图像的方法包括：捕获包括多个像素的初始图像；以及针对多个像素中的每个像素执行逐像素去雾操作。该执行包括：针对多个像素中的每个像素，基于像素的颜色通道来生成混合灰度图像的值；针对多个像素中的每个像素，基于混合灰度图像来生成透射图的值；以及针对多个像素中的每个像素，基于透射图的值来生成经处理图像的输出颜色通道，经处理图像是初始图像的增强版本。
混合灰度图像增强

[发明专利]低功率芯片-CN201811188571.7有效
发明人： P·贝利 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及低功率芯片。一种功能电路，包括至少一个绝缘体上硅(SOI)晶体管和至少一个输出端子。偏置电路控制向功能电路供应的工作电压。偏置电路通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置至少一个SOI晶体管来禁用至少一个输出端子。
功率芯片

[发明专利]雪崩二极管和制造雪崩二极管的方法-CN201811250277.4有效
发明人： L·斯塔克 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及雪崩二极管和制造雪崩二极管的方法，该雪崩二极管包括：至少一个PN结；至少一个耗尽结构，该至少一个耗尽结构邻近PN结并且被配置为形成耗尽区；以及至少两个电极，该至少两个电极使该至少一个PN结极化。
雪崩二极管制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201710621655.4有效
发明人： L·斯塔克 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及电荷存储单元以及制造电荷存储单元的方法。一种可用于利用衬底材料中的第一沟槽和第二沟槽来制造电荷存储单元的方法。用掺杂材料填充该第一沟槽。用第二沟槽材料填充该第二沟槽。该方法包括使该掺杂剂从该第一沟槽扩散从而提供与该第一沟槽相邻的掺杂区。移除该第一和第二沟槽中的材料，并且用电容型深沟槽隔离材料填充这些沟槽中的至少一个沟槽以提供电容型深沟槽隔离。
半导体器件制造方法

[发明专利]SPAD关断电压的线性调节-CN202210803134.1在审
发明人： J·K·莫雷 -专利权人： 意法半导体(RD)有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及SPAD关断电压的线性调节。本文描述一种电子器件，其包括像素和关断电路。该像素包括：单光子雪崩二极管(SPAD)，其具有耦合到高电压节点的阴极和通过使能电路选择性地耦合到接地的阳极；以及钳位二极管，其具有耦合到SPAD的阳极的阳极和耦合到关断电压节点的阴极。所述关断电路包括：感测电路，其耦合在所述关断电压节点与接地之间且被配置为生成反馈电压；以及调节电路，其被配置为基于所述反馈电压将电流从所述关断电压节点吸收到接地，使得所述关断电压节点处的电压大体上维持恒定。
spad 断电线性调节

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