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[发明专利]一种基于Gm-boosting的超级源随器-CN202310882227.2在审
发明人：严君杰;刘奇明 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Gm‑boosting的超级源随器，该超级源随器由共漏级前馈通路、共源极反馈回路以及在反馈回路上添加的Gm‑boosting结构构成，反馈回路中的MOS管的负反馈减小超级源随器的输出电阻以提高输出级的带载能力，所述Gm‑boosting结构用于降低超级源随器的输出电阻。本发明构造结构简单，能够在不影响则电路整体结构和性能的情况下进一步提高输出级的带载能力，也可应用于多极点电路中来把非主极点推到更高频。
一种基于 gm boosting 超级源随器

[发明专利]全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路-CN202011435367.8有效
发明人：叶韦廷;蔡建泓 -专利权人：财团法人成大研究发展基金会;奇景光电股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明是一种全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，包含第一串接支路，用以产生偏压电流，其包含连接于第一连接节点且串接的第一电流源与二极管连接形式的第一N型电晶体；第二串接支路，其包含串接的第二电流源、二极管连接形式的第二N型电晶体及第三N型电晶体，其中第二N型电晶体设于第二电流源与第三N型电晶体之间，且第二N型电晶体与第三N型电晶体连接于第二连接节点；第三串接支路，其包含串接的第三电流源与二极管连接形式的第四N型电晶体，连接于输出节点以提供参考电压；及放大器，其非反向节点连接至第一连接节点，反向节点连接至第二连接节点。第三N型电晶体的临界电压大于第二N型电晶体的临界电压。
全金属氧化物半导体场效应电晶体电压参考电路

[发明专利]电压调节电路以及电流限制电路-CN202210486389.X在审
发明人：李铭富 -专利权人：盛群半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调节电路以及电流限制电路。电压调节电路包括误差放大器、输出晶体管以及电流限制电路。误差放大器反应于输出电压的变动来提供控制信号。输出晶体管接收输入电压，并反应于控制信号以及输入电压来调节输出电压。电流限制电路包括感测电路、箝位电路以及控制信号箝制电路。感测电路依据输出电流提供感测电流。箝位电路依据输入电压的电压值与至少一箝位电压值的比较结果来提供箝位电流。控制信号箝制电路反应于感测电流和箝位电流的电流值来箝制控制信号的电压值，使得流经输出晶体管的输出电流限制值与输入电压值呈现负相关。
电压调节电路以及电流限制

[发明专利]可编程修调比特实现电路及驱动电路-CN202210762006.7有效
发明人：徐剑;徐京伟 -专利权人：华大半导体有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种可编程修调比特实现电路及驱动电路，包括：脉冲产生电路，被配置为产生脉冲时钟信号，以提供至锁存电路；锁存电路，被配置为采用脉冲时钟信号将可编程电流输入信号的比特位进行锁存；电流镜电路，被配置为提供脉冲产生电路和锁存电路的驱动电流；以及可编程驱动电流实现电路，被配置为根据锁存的比特位调节电流。
可编程比特实现电路驱动

[发明专利]基于LDO的动态电流响应电路、动态电流控制方法及芯片-CN202210450839.X有效
发明人：李杰 -专利权人：思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LDO的动态电流响应电路、动态电流控制方法及芯片，响应电路包括：用于对LDO上的负载电流进行追踪而获得追踪电流的负载电流追踪单元；用于提供恒定电流IB的基准电流单元、控制单元和动态电流产生电路。恒定电流IB与追踪电流相比较并输出控制电压VC；在控制单元基于控制电压VC的控制下，动态电流产生电路基于恒定电流IB输出供LDO的误差放大器工作的工作电流IEA。根据本发明的基于LDO的动态电流响应电路，通过恒定电流IB与追踪电流的比较输出控制电压VC，通过控制单元基于控制电压VC控制动态电流产生电路，使得动态电流产生电路基于恒定电流IB输出供LDO的误差放大器工作的工作电流IEA。
基于 ldo 动态电流响应电路控制方法芯片

[发明专利]一种数字信号生成电路-CN202211257024.6有效
发明人：王驰;符阳;文豪;高一格 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种数字信号生成电路，所述电路包括数控电流源、电流镜、第一电阻器、第二电阻器、第一缓冲器链、第二缓冲器链、输出下拉晶体管和输出上拉晶体管，其中，所述数控电流源用于根据指令产生电流信号；所述电流镜用于对所述数控电流源输出的电流信号进行镜像转换；所述第一电阻器将经过的电流信号转换为第一电压信号；所述第二电阻器将经过的电流信号转化为第二电压信号；所述第一电压信号在所述第一缓冲器链驱动输出下拉晶体管的栅极，第二电压信号通过第二缓冲器链驱动输出上拉晶体管的栅极，由此在输出下拉晶体管和输出上拉晶体管之间输出高压数字信号。
一种数字信号生成电路

[发明专利]一种带定电流反馈的JFET高压稳压电路-CN202310920157.5在审
发明人：詹易霖;刘圭;李国勋;黄英杰 -专利权人：深圳市迪浦电子有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种带定电流反馈的JFET高压稳压电路，其特征在于，所述电路包括：高压JFET管、输入失配运放、分压电阻串、威尔逊电流镜，其中，所述高压JFET管的漏极接高压输入端，所述高压JFET管的源级作为输出端，且所述高压JFET管的源级连接分压电阻串读的第一端，所述高压JFET管的栅极与所述输入失配运放的输入端相连；所述分压电阻串的第二端与所述威尔逊电流镜的第一端相连，且所述分压电阻串与所述输入失配运放的输出端相连，所述威尔逊电流镜的第二端接地。
一种电流反馈 jfet 高压稳压电路

[发明专利]电流镜电路、芯片和电子设备-CN202310891258.4在审
发明人：杨洋;满雪成 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本申请涉及电流镜电路、芯片和电子设备，电流镜电路包括基准电流单元，用于产生基准电流信号并输出；电流反馈环路单元，包括电性连接的第一电流镜单元和第二电流镜单元，第一电流镜单元与基准电流单元电性的输出端电性连接，用于接收基准电流单元输出的基准电流信号，第一电流镜单元用于生成并输出第一偏置控制信号，第二电流镜单元用于生成并输出第二偏置控制信号；输出级晶体管单元，与第一电流镜单元和第二电流镜单元分别电性连接，用于接收第一电流镜单元输出的第一偏置控制信号和第二电流镜单元输出的第二偏置控制信号，根据第一偏置控制信号和第二偏置控制信号生成至少一目标电流源。上述电流镜电路确保了整个电流镜电路运行的稳定性。
电流电路芯片电子设备

[发明专利]输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片-CN202310694091.2在审
发明人：潘杰;李凡阳;原义栋;沈红伟;温立国;李梦姣 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;福州大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
输入偏置电流补偿电路双极型轨到轨运放以及芯片

[发明专利]一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构-CN201811633468.9有效
发明人：庄在龙 -专利权人：南京芯耐特半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构，能够达到用很少的电路去实现复杂的滤波功能，既适用于高速应用场合，又适用于低功耗场合，同时既能在差分模式下工作，也能在单端模式下工作。
一种负反馈跟随以及滤波器结构

[发明专利]低压差线性稳压器、电流控制方法及芯片-CN202210537438.8有效
发明人：李杰 -专利权人：思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压差线性稳压器、电流控制方法及芯片，低压差线性稳压器包括：第一电流镜、第九MOS管、电流采样电路以及基准电流电路。第一电流镜用于稳定低压差线性稳压器的输出电压VOUT，第一电流镜包括共栅连接的第一MOS管和第二MOS管；第九MOS管与第三MOS管和第一MOS管的连接；电流采样电路用于对流过第一MOS管的电流进行采样获得采样电流；基准电流电路用于提供一恒定电流IB；通过将恒定电流IB与采样电流进行比较，并输出VCTR信号至第九MOS管的栅极。根据本发明实施方式的低压差线性稳压器，在第二MOS管进入线性区后，通过将流过第一MOS管上的电流锁定为电流I，从而能够有效防止第一MOS管和第三MOS管因电流过大而损坏。
低压线性稳压器电流控制方法芯片

[发明专利]一种具有电阻补偿的带隙基准电路-CN201810384734.2有效
发明人：杨燕;赵健雄 -专利权人：成都信息工程大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本发明包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本发明通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本发明采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。
一种具有电阻补偿基准电路

[发明专利]信号转换电路及其偏压产生电路-CN202210259548.2在审
发明人：叶建祖;刘熙恩;谢依峻 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及信号转换电路及其偏压产生电路。本揭示内容提供一种信号转换电路。该信号转换电路包含相位内插器电路以及偏压产生电路。该相位内插器电路用以根据数字信号将多个输入时钟信号转换为输出时钟信号。该偏压产生电路电性耦接于该相位内插器电路，用以根据参考信息产生偏压电压，并用以输出该偏压电压至该相位内插器电路，从而使该输出时钟信号具有与该数字信号的多个位元组态中的一者对应的预设相位，其中该参考信息关联于该相位内插器电路因为制程变异而产生的变化。
信号转换电路及其偏压产生

[发明专利]偏置生成电路以及存储电路-CN202210238528.7在审
发明人：刘忠来 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种偏置生成电路以及存储电路，偏置生成电路包括：第一负载电路，第一负载电路耦接于工作电压和调整节点之间；偏置电路，接收工作电压并根据工作电压输出偏置电压；稳压电路，稳压电路耦接偏置电路的输出端并接收基准电压，用于根据偏置电压和基准电压调整调整节点的电压；第二负载电路，第二负载电路的一端与偏置电路的输出端耦接，另一端与调整节点耦接。本公开实施例至少有利于避免偏置电压受工作电压的影响，使得偏置电压处于稳定的数值范围内。
偏置生成电路以及存储

[发明专利]一种无内部补偿电容功耗恒定的LDO电路和方法-CN202210231988.7在审
发明人：易新敏;刘晓琳 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种无内部补偿电容功耗恒定的LDO电路和方法，所述电路包括：供电模块，基于供电电源和电流镜为LDO电路供电；偏置模块，基于偏置电流和电流镜实现电流偏置；输出分压反馈模块，基于分压电阻将输出分压反馈至运算放大器模块；输入分压反馈模块，基于分压电阻将输入分压反馈至运算放大器模块；运算放大器模块，基于输入分压反馈和输出分压反馈，通过设置失调电阻的值，使输出管始终处于饱和区，从而达到保持电路功耗恒定的目的。本申请提出了一种无内部补偿电容功耗恒定的LDO电路和方法，在取消内部补偿电容的同时，通过引入输入反馈，达到使LDO电路功耗恒定的目的。
一种内部补偿电容功耗恒定 ldo 电路方法

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