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[发明专利]一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法-CN202011301550.9有效
发明人：张有润;罗佳敏;陈航;罗茂久;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：具体地说涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，所述晶闸管包括阳极、阴极和栅极三个电极，还包括P‑N‑P‑N四层结构，其中，所述P‑N‑P‑N四层结构包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅缓冲层、P型碳化硅缓冲层、P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、N+门极欧姆接触区以及P+碳化硅阳极区，其中，P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、P+碳化硅阳极区呈凹槽状。本发明所提出的碳化硅门极可关断晶闸管一方面增大了P+碳化硅阳极区的面积，另一方面增大了N型碳化硅短基区与P‑碳化硅长基区的接触面积，从而使得非平衡载流子注入与抽取增强，上层PNP晶体管的电流增益增大，因此有效增强了长基区的电导调制效应
一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法

[发明专利]一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法-CN200410099043.6无效
发明人：张健亮 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法：在衬底上形成硅外延层；在外延层上形成局部的厚氧化层作为器件之间的隔离；在非隔离区域注入P型杂质形成基区；在基区选定区域中再注入大剂量P型杂质形成非本征基区；在基区上面淀积一层SI₃N₄；去除位于非本征基区和发射区所在区域上面的SI₃N₄；湿法腐蚀去除发射区上的氧化层；淀积一层掺入N型杂质的多晶硅；杂质推进后就形成了发射区和基区；推进完成后，去除位于基区的氧化层；溅射并形成ALSI电极。
一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管制造方法

[发明专利]高速公路低湿水田软基区路基直填施工工艺-CN201910909585.1在审
发明人：李玉春;祖显威;朱克南 -专利权人：黑龙江农垦建工路桥有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： E01C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速公路低湿水田软基区路基直填施工工艺，该工艺是由下列工序所组成：施工准备(1)→测量放线(2)→挖排水沟渠(3)→填铺风化碎石(4)→冲击碾压(5)→找平(6)→第一层土工格栅(7)→路基填筑
高速公路低湿水田软基区路基施工工艺

[实用新型]一种道路桥梁设计用降噪装置-CN202120084997.9有效
发明人：张爱祥 -专利权人：张爱祥
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种道路桥梁设计用降噪装置，包括软框，软框的内壁设有条槽，条槽内装设有支撑条，软框内装设有隔音软层，软框的两端装设有穿套且穿套内装设有支撑筋，软框的一侧装设有支撑板，支撑板的两端装设有盖环且盖环套入穿套，下面位置的盖环上装设有底座，底座的底部装设有安装板且安装板内设有安装孔，条槽为方形凹槽结构，支撑条为方形条结构，支撑板和软框通过自攻丝相互固定。将弯曲好的支撑筋插入各个穿套内，而通过支撑筋的支撑，使得穿套和软框弯曲成与支撑筋相同的弯曲度，通过前后均匀设置的支撑条的支撑，使得软框不可上下弯曲，能够根据桥梁弯曲情况做适应性弯曲拼装，隔音效果好，美观性更高
一种道路桥梁设计用降噪装置

[发明专利]一种双异质结单极性晶体管的器件结构-CN201910666385.8在审
发明人：朱敏;邹新波;杨杨 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连
发射区集电区基区双异质结单极性晶体管器件结构垂直器件结构双异质结结构垂直型器件表面电荷竖直布置肖特基结背对背单极性发射极集电极可互换输运

[发明专利]一种晶体管的制作方法-CN201010235711.9有效
发明人：吴小利;唐树澍 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提出一种晶体管的制作方法，包括以下步骤：制作集电区；在所述集电区上制作基区；在所述基区上制作发射区；以所述发射区为掩膜，对所述基区进行离子注入，所述离子注入的能量范围为5-150keV，剂量范围为3e15-3e12cm-2，使得离子能够注入到所述基区以及所述集电区内，注入完成后进行扩散工艺，在所述基区以及所述集电区内形成掺杂区。
一种晶体管制作方法

[发明专利]一种抗辐射晶体管-CN202110803430.7有效
发明人：王博;王光磊;袁正刚;王宏;时功权;谈林乖;孟繁新;何静;洪杜桥;王贵 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供的一种抗辐射晶体管，包括集电区,集电区上生成有基区；基区上生成有发射区A，所述集电区的底部加工有合金层,所述基区上还加工有若干保护环，所述发射区A和保护环上设置有金属层，基区和保护环的上端通过封层封闭本发明通过控制基区，发射区A和集电区的杂质浓度，使得该晶体管收到辐射时，性能影响较小，当晶体管收到辐射时，由于各个区域的掺杂浓度互相有梯度，辐射给予的能量占比会越低，使得IC和IB的变化率在一定范围内，
一种辐射晶体管

[发明专利]一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法-CN202010579367.9有效
发明人：耿开远 -专利权人：济宁东方芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，属于半导体器件技术领域，包括短基区、高阻区、阴极区和台面槽，台面槽的上方设有玻璃钝化层，短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和短基区同质，隔离墙和短基区同步形成，镓层扩散浓度和深度相同，使用镓作为导电介质，通过背面开槽加槽内扩镓形成隔离墙，扩散温度低，时间短，避免了常规的深结长时间高温扩散大大减少了工步，解决了现有技术中出现的问题
一种可控硅隔离短基区同步扩散结构方法

[发明专利]高击穿电压二极管及其形成方法-CN200780037252.X有效
发明人：高隆庆;邝普如 -专利权人：威世通用半导体公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：在中区层的上表面上形成具有第二导电类型的上基区层。在中区层的下表面上形成具有第二导电类型的下基区层。在上基区层的表面上形成具有第一导电类型的第一发射区。第一金属接触耦合到上基区层，以及第二金属接触耦合到下基区层。
击穿电压二极管及其形成方法

[发明专利]一种单向高压可控硅-CN201310435186.9在审
发明人：王国新 -专利权人：无锡市宏矽电子有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公布了一种单向高压可控硅，包括P型阳极区，所述P型阳极区上表面形成有N型长基区，所述P型阳极区下表面形成有阳电极；所述N型长基区上表面形成有P型短基区；所述P型短基区上表面局部依次形成有2个N+型发射区和3个N-型发射区，并且局部还设置有门级电极；所述N+型发射区和N-型发射区上表面设置有阳级电极；所述N型长基区和P型短基区上设置有内沟槽，所述内沟槽布置在所述门级电极、N+型发射区、N-型发射区和阳级电极的外围上
一种单向高压可控硅

[发明专利]含场板结构的横向双极型晶体管-CN201210330957.3在审
发明人：崔京京;张作钦 -专利权人：苏州英能电子科技有限公司
申请日： 2012-09-09 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及一种含场板结构的横向双极型晶体管，自下而上包括衬底，缓冲区，集电区，基区，发射区，分别在所述集电区和所述基区的上部边界处通过离子注入的方式形成欧姆接触区，分别在所述集电区、所述基区、所述发射区通过金属淀积的方式形成金属电极，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于，在所述集电区、所述基区、所述发射区外部设置有氧化层，在所述基区、所述集电区或者所述发射区中的一个或多个上设置有场板
板结横向双极型晶体管

[发明专利]降低栅源电容的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法-CN201710997735.X在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低栅源电源的屏蔽栅MOSFET结构及其制备方法，其在第一元胞沟槽内设置屏蔽栅结构，在第二元胞沟槽内设置沟槽栅结构；第一元胞沟槽的一侧上方设置第二导电类型第一基区，第一元胞沟槽与第二元胞沟槽间设置第二导电类型第二基区，第二元胞沟槽的一侧上方设置第二导电类型第三基区，第一导电类型源区、第二导电类型第一基区、第二导电类型第二基区、第二导电类型第三基区、沟槽内下层多晶硅体以及沟槽导电多晶硅均与源极金属欧姆接触，沟槽内上层多晶硅体与栅极金属欧姆接触
降低电容屏蔽 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片和制造方法-CN201910360164.8在审
发明人：俞荣荣;朱法扬 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片，包括N‑型长基区正面的P型短基区与N+型发射区连接成一体，N‑型长基区背面的背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连。制造方法：硅片检验、生长氧化膜、光刻隔离窗、隔离划片、双面注入铝、隔离扩散、双面注入硼、双面注入铝、P型短基区扩散、光刻发射区、发射区磷扩散、光刻钝化槽、钝化槽腐蚀、钝化槽保护、光刻引线区、双面蒸发电极
光刻钝化槽发射区划片高压可控硅长基区成品管单台面芯片隔离扩散内部空气生产效率失效问题树脂填充蒸发电极隔离窗隔离环焊锡膏良品率磷扩散氧化膜引线区硅片击穿反刻厚片受控溢料焊接制造背面合金测试腐蚀衔接生长检验

[发明专利]一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件-CN201910811760.3在审
发明人：张超;王成森;朱明 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，包含：N型衬底硅片；设置在N型衬底内部的P型穿通区；设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区，N型衬底，P型基区，N+发射区，P+基极欧姆接触区；设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区，P型背面短基区，N型长基区衬底，P型正面短基区，N型正面K区，所述P型背面短基区和P型正面短基区同时光刻及扩散形成
背面短基区衬底穿通可编程可控硅光刻基极欧姆接触区过压保护器件扩散衬底硅片过压防护发射区集成度扩散区深磷简易芯片

[发明专利]双极晶体管及其制备方法-CN202111414757.1在审
发明人：魏佳男;张培健;罗婷;陈仙;税国华;仵韵辰;易孝辉;洪敏;任芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，所述双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触，环形掺杂区环绕基区，环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接通过包围基区和发射结的环形掺杂区，以及与环形掺杂区电连接的环形集电极接触，形成了一个抗总剂量加固结构，该抗总剂量加固结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，降低了基区Si/SiO2界面附近的载流子复合率，抑制了基极电流的增加，提高了抗总剂量能力。
双极晶体管及其制备方法