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[发明专利]具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法-CN202111533149.2有效
发明人：王曦;李娜;蒲红斌;封先锋;胡继超;王浩 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT，在第一外延层上表面，自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区；第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结；第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结；第三短基区外侧裸露的第一外延层上表面嵌有阳极终端结；还包括第一阳极发射区与阳极钝化层、各个欧姆金属、中心阳极、逆导阴极、门极；第一外延层的下表面从边缘向中心依次覆盖有三个缓冲层及两个阴极隔离结，还包括各个欧姆金属
具有通流能力 sic hej ltt 制造方法

[发明专利]一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件-CN202010620956.7有效
发明人：徐焕新;陈芳林;陈勇民;操国宏;蒋谊;潘学军;邹平;孙永伟 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区
一种功率半导体器件制作方法

[发明专利]台面型反向阻断二极晶闸管芯片-CN201210267739.X无效
发明人：邓爱民;保爱林 -专利权人：绍兴旭昌科技企业有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：包括P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区及N2阴极发射区，在N1长基区一侧设有P1阳极发射区并形成第一PN结，在N1长基区另一侧设有P2短基区并形成第二PN结，在P2短基区上还设有N2阴极发射区并形成第三
台面反向阻断二极晶闸管芯片

[实用新型]半导体器件-CN201920904236.6有效
发明人：王英杰;饶晓俊 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，在半导体衬底的第二表面引出第二电极端；外延层，位于半导体衬底的第一表面上；基区，自外延层表面延伸至外延层中；发射区，自基区表面延伸至基区中以引出第一电极端；第一掺杂区，自外延层表面延伸至外延层中，第一掺杂区与基区被外延层分隔；第二掺杂区，位于外延层中，分别与基区、第一掺杂区接触；以及电导通路径，用于将第一掺杂区与外延层电连接，其中，半导体衬底、外延层以及发射区的掺杂类型为第一掺杂类型，基区、第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
半导体器件

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201110388997.9有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在外基区中包括有以发射区的外侧边缘为自对准边界的自对准注入的锗或碳杂质以及P型杂质。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明通过在外基区中注入锗或碳杂质，能减少外基区的P型杂质的横向扩散，从而能减少外基区的宽度，提高器件的最大振荡频率。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管-CN201610488399.1有效
发明人：郭飞;申华军;汤益丹;张有润;白云;杨成樾;宋凌云;柏思宇;彭朝阳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
一种碳化硅双极结型晶体管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN96109556.3无效
发明人：山崎亨 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-08-29 - 公布日： 2000-03-01 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种半导体器件有一层属于第一导电类型的外延层形成在一块属于第二导电类型的半导体衬底上，一层属于第二导电类型的基区形成在外延层上，它从外延层的表面扩展并包含内基区和外基区，一层属于第一导电类型的发射极区形成在内基区内，以及一个属于第一导电类型的基座集电极区形成在紧靠基区下方的外延层的相应部位中，其中的基座集极区包括多个基座集电极区，它们沿衬底深度的方向依次排列，并且它们的杂质浓度沿衬底深度的方向改变。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]带悬浮发射区的功率晶体管-CN201120257627.7有效
发明人：严研;刘绪强 -专利权人：江苏东光微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区（3），基区（3）内设有发射区（2），在基区（3）内，基区（3）和发射区（2）之间设有悬浮发射区（1）；发射区（2）的结深为10±2μm；悬浮发射区当基区电流流向发射区时，悬浮发射区对电流的流向进行了适当地疏导，通过提高电流分布的均匀性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的“热斑”效应所导致器件的失效，从而有效地提高了产品的可靠性。
悬浮发射功率晶体管

[实用新型]一种低导通压降的晶闸管芯片-CN201621257549.X有效
发明人：王民安;郑春鸣;黄永辉;王志亮;汪杏娟;王日新 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低导通压降的晶闸管芯片，包括N型长基区，P型短基区，P型阳极区，N+阴极发射区及设置在N+阴极发射区四周的沟槽；所述位于N+阴极发射区下方的P型短基区的厚度为位于沟槽位置处P型短基区厚度的本实用新型通过减少N+阴极发射区下方P型短基区的厚度，从而降低晶闸管芯片的导通压降，且能够保证耐压值不变，可广泛应用于晶闸管芯片领域。
一种低导通压降晶闸管芯片

[发明专利]一种砂桩联合高真空击密法软基处理施工工法-CN201810953012.4在审
发明人：丁新红;刘柏林;毛忠良;雷正敏;邓文庆;张成钢;闫登峰;陈晓莉 -专利权人：中铁第五勘察设计院集团有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： E02D3/00 文献下载
摘要：本发明涉及岩土工程技术领域，公开了一种砂桩联合高真空击密法软基处理施工工法，包括：选取软基处理区域，并将砂桩垂直插入待处理的软基区域；在砂桩中插入排水管；将排水管与真空泵连接，在砂桩顶部铺设中粗砂垫层；进一步拓展了砂桩、“高真空击密法”技术处理软土地基条件的适用范围，施工工期短、造价较低、处理后地基承载力较高。
砂桩中粗砂垫层排水管软基处理高真空地基承载力施工工法立体排水通道不均匀沉降真空泵连接地基沉降复合地基技术处理软土地基施工工期岩土工程抽真空孔隙水密实度碾压机真空泵土层夯实碾压强夯软基垂直排水联合铺设拓展

[发明专利]一种砂桩联合高真空击密法软基处理结构-CN201810953398.9在审
发明人：丁新红;刘柏林;毛忠良;雷正敏;邓文庆;张成钢;闫登峰;陈晓莉 -专利权人：中铁第五勘察设计院集团有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： E02D3/10 文献下载
摘要：本发明涉及岩土工程技术领域，公开了一种砂桩联合高真空击密法软基处理结构，包括：砂桩、排水管、真空泵以及中粗砂垫层，砂桩垂直插入待处理的软基区域，排水管插入砂桩内，排水管与真空泵连接，中粗砂垫层铺设于砂桩顶部本结构是在砂桩中增插入排水管，并与砂桩顶中粗砂垫层形成立体排水通道，砂桩不仅起到挤密和复合地基的作用，而且有效地加大了高真空井点降水的竖向排水通道直径，能够更加快速排出土体的孔隙水，加快软土的排水固结，进一步拓展了砂桩、“高真空击密法”技术处理软土地基条件的适用范围，施工工期短、造价较低、处理后地基承载力较高。
砂桩排水管高真空中粗砂垫层地基承载力软基处理立体排水通道竖向排水通道不均匀沉降真空泵连接地基沉降复合地基技术处理井点降水排水固结软土地基施工工期岩土工程孔隙水密实度有效地真空泵土层软基软土垂直铺设联合拓展

[实用新型]一种砂桩联合高真空击密法软基处理结构-CN201821351591.7有效
发明人：丁新红;刘柏林;毛忠良;雷正敏;邓文庆;张成钢;闫登峰;陈晓莉 -专利权人：中铁第五勘察设计院集团有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： E02D3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及岩土工程技术领域，公开了一种砂桩联合高真空击密法软基处理结构，包括：砂桩、排水管、真空泵以及中粗砂垫层，砂桩垂直插入待处理的软基区域，排水管插入砂桩内，排水管与真空泵连接，中粗砂垫层铺设于砂桩顶部本结构是在砂桩中增插入排水管，并与砂桩顶中粗砂垫层形成立体排水通道，砂桩不仅起到挤密和复合地基的作用，而且有效地加大了高真空井点降水的竖向排水通道直径，能够更加快速排出土体的孔隙水，加快软土的排水固结，进一步拓展了砂桩、“高真空击密法”技术处理软土地基条件的适用范围，施工工期短、造价较低、处理后地基承载力较高。
砂桩排水管高真空中粗砂垫层地基承载力软基处理立体排水通道竖向排水通道本实用新型不均匀沉降真空泵连接地基沉降复合地基技术处理井点降水排水固结软土地基施工工期岩土工程孔隙水密实度有效地真空泵土层软基软土垂直铺设联合拓展

[发明专利]一种可降低通态功耗的自关断晶闸管-CN200910071964.4有效
发明人：王颖;杨晓冬;曹菲;高松松 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明提供的是一种可降低通态功耗的自关断晶闸管，其内部结构为：一个PNPN型半导体主晶闸管，高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出阳极，在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3)，在P型基区层(3)上为高掺杂N型层(4)经金属层(4M)引出阴极，同时在P型基区层(3)经金属层(3M)引出门极；一个PNP型半导体晶体管，高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出发射极，在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3)，在P型基区层(3)上为高掺杂P型层(5)经金属层(5M)引出集电极。
一种降低功耗晶闸管

[发明专利]一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管-CN201810682926.1有效
发明人：刘斯扬;汤丽芝;李胜;张弛;魏家行;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管，其元胞结构包括：N型衬底，衬底表面的N型漂移区，在漂移区两端设置P型基区，各P型基区内分别设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层且所述栅氧层的两端分别延伸进入两侧的P型基区，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于P型基区表面内嵌有作为沟道的石墨烯条且石墨烯条的两端分别触及N+型源区与P型基区之间的边界和P型基区与N型漂移区之间的边界，在栅宽方向呈蜂窝状分布，器件的导电沟道仍由石墨烯构成，在维持基本不变的导通电阻和电流传输能力下，P型基区被石墨烯条间隔开来，增强辅助耗尽的作用，进一步减小器件整体关态漏电电流，提高击穿电压。
一种石墨沟道碳化硅功率半导体晶体管

[发明专利]一种抗闩锁IGBT器件-CN201610298120.3有效
发明人：杨飞;张广银;谭骥;沈千行;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗闩锁IGBT器件，其在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区内的第一导电类型源极区，所述第二导电类型基区、第一导电类型源极区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；在所述第二导电类型基区内还设有第一导电类型阻挡环，所述第一导电类型阻挡环位于第一导电类型源极区的外圈，第一导电类型阻挡环外部以及第一导电类型阻挡环与第一导电类型源极之间是第二导电类型基区
一种抗闩锁 igbt 器件