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[发明专利]一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法-CN201710890566.X有效
发明人：陈文锁;黄彬;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层、掩蔽介质层、欧姆接触区和上电极层。该欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器具有制造工艺简单、优化电性特征和耐受过流能力的特点。
一种欧姆接触肖特基超级整流器及其制作方法

[发明专利]一种高效整流器及其制造方法-CN201610150194.2有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效整流器及其制造方法；所述高效整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第二导电类型体区、第一导电类型增强层、场介质层、栅介质层、栅电极层、上电极金属层和下电极金属层；所述高效整流器属于超势垒整流器类型，其采用只增加一次离子注入方式形成的增强层能够对MOS沟道区和位于体区间的类似JFET区进行杂质浓度调节，从而该高效整流器具有制造工艺简单和超低VF的优点。
一种高效整流器及其制造方法

[发明专利]一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法-CN202010884582.X有效
发明人：朱坤峰;张广胜;杨永晖;钟怡;崔伟;谭开洲;黄东;钱呈;杨法明;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。
一种基于 bicmos 工艺硅锗异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种HBT结构及其制造方法-CN202310625337.0在审
发明人：易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，提供了一种HBT结构及其制造方法，结构包括：硅基衬底；集电区耐压区，深N阱注入于硅基衬底；外延集电区，外延于集电区耐压区上；多个集电区接触区，间隔设置于集电区耐压区背离硅基衬底的一侧；多个隔离浅槽，设置于各集电区接触区两侧；基区，外延于外延集电区上；发射区，外延于基区的发射区窗口中。本发明中，HBT结构不需要传统的掩埋层，通过隔离浅槽将集电区耐压区与集电区接触区相隔离，在横向和纵向都能有效承受压降；通过在集电区耐压区上外延集电区，并在外延集电区上形成基区得到非平面PN结，形成二维电场分布，能够获得较大的增益带宽积，还能够在有效提高集电结击穿电压的同时保持较高的特征频率。
一种 hbt 结构及其制造方法

[发明专利]一种肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法-CN201710854806.0有效
发明人：陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡;黄彬 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型势垒高度调节区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层和上电极层。所述第一导电类型势垒高度调节区和肖特基接触区均覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面、第二导电类型体区之上的部分表面、肖特基接触区之上的部分表面。所述栅介质层还覆盖于第一导电类型势垒高度调节区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层之上，所述上电极层还覆盖于肖特基接触区之上的部分表面。
一种肖特基接触超级整流器及其制作方法

[发明专利]高压功率半导体器件及其制造方法-CN202211028299.2有效
发明人：谭开洲;肖添;李孝权;徐学良;王颖;江永清;王育新;李光波;王鹏飞;裴颖;吴健;李儒章;王志宽;邱盛;张培健;张正元;刘玉奎 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电阻场板结构构成π型组合电阻场板结构，在施加电压时，各个紧耦合的第二电阻场板结构形成向四周开放式发散的均匀的三维电场分布，优化了终端区对有源区中空间耗尽区电荷的引导束缚效果，进而提高了整个功率半导体器件的耐压性能，且形成的三维电场存在缝隙缺口，能适当地保持电力线连续，不至于让电场过度集中，提高了终端区及整个高压功率半导体器件的结构稳定性。
高压功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种双极晶体管及其制备方法-CN202111414737.4有效
发明人： 张培健;魏佳男;易孝辉;税国华;洪敏;陈仙;罗婷;朱坤峰;张广胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，双极晶体管包括：衬底、设置在衬底上的外延层、设置在外延层中且位于外延层的顶部的基区、设置在基区中且位于基区的顶部的发射区、设置在外延层中并环绕基区的发射区和集电区。通过包围基区和发射结的环形集电极场板形成的双极晶体管结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，从而降低了Si/SiO2界面附近二氧化硅陷阱缺陷对载流子的俘获和释放过程，进而有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的产额，达到抑制器件低频噪声的作用。
一种双极晶体管及其制备方法

[发明专利]一种抗单粒子瞬态的异质结双极晶体管及制造方法-CN202310263036.8在审
发明人：易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种抗单粒子瞬态的异质结双极晶体管及制造方法，包括：提供衬底，在衬底中形成深N阱，在深N阱中形成深P阱；在深N阱与深P阱的侧面，形成第一浅槽隔离结构，在深P阱内部，形成第二浅槽隔离结构；在深P阱内部形成被第二浅槽隔离结构包围隔离的区域内形成集电区；在集电区上形成异质结双极晶体管。本发明所设计的衬底包括深N阱和深P阱，在该衬底上制造的异质结双极晶体管，当发生单粒子瞬态时，可减少集电区收集的电荷，并将集电区瞬态电流降低，提高集电区瞬态电流快速掉电的效率，降低抗单子瞬态的生产成本。
一种粒子瞬态异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管的制造方法-CN202310490087.4在审
发明人：陈仙;张静;唐新悦;张培健;洪敏;易孝辉;魏佳男;罗婷;仵韵辰;谭开洲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，在所述方法中，先形成梯形的牺牲结构，再形成第一掺杂多晶硅层，在牺牲结构的侧壁形成第一掺杂多晶硅层的倒斜面结构，后续刻蚀牺牲结构并形成梯形空腔，在空腔中外延生长，形成梯形的锗硅外延层，并在第一掺杂多晶硅层的表面上形成多晶锗硅层，侧壁处的多晶锗硅层呈斜面结构，使得第一掺杂多晶硅层侧壁处的倒斜面与多晶锗硅层外侧的斜面契合匹配，使得多晶锗硅层内侧的斜面与锗硅外延层侧壁处的斜面契合匹配，实现了基于锗硅外延层的内基区与基于第一掺杂多晶硅层的外基区的匹配连接，减少了锗硅外延层与第一掺杂多晶硅层之间的孔洞缝隙，增大了内基区与外基区的接触面积，降低了基区的总电阻。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]基于一维多尺度卷积特征提取的光斑检测与光束质量估算方法及装置-CN202310062761.9在审
发明人：宁鸿章;庹文波;李强;武春风;胡黎明;王凯;张倩;罗昱;代弋;王凯;张培健;雷景添 -专利权人：中国航天三江集团有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于一维多尺度卷积特征提取的光斑检测与光束质量估算方法及装置，上述方法包括噪声阈值标定、光斑检测、光束质量估算三部分，该方法首先对相机噪声阈值进行标定，排除系统噪声对光斑检测的干扰；然后将二维图像压缩到一维空间，利用多尺度一维卷积核，对光斑的尺寸及位置进行检测；最后利用图像检测得到的实际光斑尺寸与计算得到的理论光斑尺寸估算入射光束的光束质量。通过上述方式，有效抑制了背景噪声干扰，提升了光斑检测的精度和鲁棒性，提升了光斑检测的效率和抗干扰能力。上述过程中，通过采用噪声阈值标定技术和特征降维技术对图像进行处理，有效提升了光斑检测的效率、精度及抗干扰能力。
基于一维多尺度卷积特征提取光斑检测光束质量估算方法装置

[发明专利]一种超薄硅基芯片的柔性自对准封装方法及结构-CN202310310773.9在审
发明人：唐新悦;陈仙;张培健;洪敏;张静;易肖辉;魏佳男 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请提供一种超薄硅基芯片的柔性自对准封装方法及结构，该方法包括：提供基板，在所述基板上设置柔性衬底；对所述柔性衬底背离所述基板的一侧表面进行疏水处理，保留用于放置芯片的区域的亲水性，形成亲水区；在所述亲水区滴入去离子水，放入芯片以使所述芯片在所述去离子水的表面张力作用下定位到所述亲水区；加热去水后，在所述芯片上依次设置粘合层和金属层，通过所述金属层穿过所述粘合层与所述芯片的焊盘电连接，完成芯片封装。本申请通过在柔性衬底上设置亲水区，利用水的表面张力进行芯片定位，可快速准确的完成芯片对位。
一种超薄芯片柔性对准封装方法结构

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法-CN202310230132.2在审
发明人： 张培健;易孝辉;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;朱坤峰;谭开州;罗婷;张静;徐学良;付晓君;王鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，本发明采用赝埋层、基极接触面呈楔形和镍硅工艺，在衬底中形成赝埋层，在衬底的正面形成基极，基极的第一基区和第二基区接触面为楔形，在第一基区上形成楔形介电结构为侧面的沟槽，以楔形介电结构为掩膜进行离子注入，在第一基区的底部和赝埋层的顶部形成集电极，以介电结构为侧面的沟槽中形成发射极，采用镍硅工艺在发射极、基极及集电极形成欧姆接触的金属层。本发明在第一基区和第二基区采用楔形连接，增加了接触面积，减小基极电阻，通过在衬底中形成赝埋层以及镍硅工艺，减少埋层的形成，降低对热预算的需求，提升了工艺的复用性和可靠性。
一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种电荷收集方法及系统-CN202310160765.0在审
发明人：魏佳男;张培健;傅婧;罗婷;仵韵辰;石艳斌;陆科 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本申请提供一种电荷收集方法及系统，该方法包括：获取待测半导体器件，利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；基于单粒子效应敏感区域平面图构建多灵敏体积结构模型，并对多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，以及计算辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量；对每个子灵敏体积内的第一电荷收集量进行求和，得到辐射粒子入射待测半导体器件的电荷收集量。本申请可以构建重离子、α粒子等直接电离诱发单粒子效应的电荷收集模型，也可以构建质子、中子等次级粒子诱发单粒子效应的电荷收集模型，再通过电荷收集模型得到单粒子效应电荷收集量，增加了电荷收集模型的适用范围。
一种电荷收集方法系统

[发明专利]一种锗硅HBT发射区-基区结构的制作方法及结构-CN202310311056.8在审
发明人：易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请提供一种锗硅HBT发射区‑基区结构的制作方法及结构，所述方法包括：提供基区叠层；在所述基区叠层上氧化物牺牲层，并制作接触孔贯穿所述氧化物牺牲层；在所述氧化物牺牲层的接触孔处依次形成氮化物保护层、氧化物保护层以及发射区，其中所述发射区通过所述接触孔与所述基区叠层接触，所述氮化物保护层和所述氧化物保护层形成包裹所述发射区顶部和侧面的包裹结构，所述发射区顶部为所述发射区背离所述基区叠层的一侧；去除所述氧化物牺牲层和所述氮化物牺牲层，在所述基区叠层设置有所述发射区的一侧形成外基区。本申请突破光刻精度的限制缩小发射区尺寸。
一种 hbt 发射结构制作方法

[发明专利]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201610039763.6有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现，并且这种设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
一种薄硅层 soi 横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

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