专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种陶瓷传感器的新型封装装置-CN202310826093.2在审
  • 叶志明;洪敏 - 深圳市固勤科技有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-10-27 - G01D11/24
  • 本发明涉及一种陶瓷传感器的新型封装装置。该陶瓷传感器的新型封装装置涉及封装装置技术领域;该陶瓷传感器的新型封装装置包括基板和上封盖,所述基板和上封盖之间形成用于保护陶瓷传感器的外封装壳体,上封盖上一体设置有筒体,所述筒体的内部设置有散热孔,本发明散热孔的设置可使得陶瓷传感器的散热性有所增加,基板和上封盖之间采用胶装封装固定,采用胶装封装固定的方式同时兼顾了陶瓷传感器的散热性和防水性,基板和上封盖表面均具有胶装层实现防水和密封,且结构上的缝隙处均填充有胶装层,实现结构缝隙处的防水和密封,且胶装层凝固后可进一步固定基板和上封盖。
  • 一种陶瓷传感器新型封装装置
  • [发明专利]一种徽州传统聚落水系景观空间区域的测绘方法和系统-CN202310775312.9在审
  • 冀凤全;汪闽情;洪敏;聂玮 - 安徽建筑大学
  • 2023-06-28 - 2023-10-13 - G01C11/00
  • 本发明公开了一种徽州传统聚落水系景观空间区域的测绘方法和系统,涉及传统聚落景观测绘技术领域。本发明中,首先建立信号基站连并与无人机信号链接,然后将整个空间区域按照特点规划分区设计测绘路线,在测绘路线上均匀设置标记点,收集标记点处的水系深度信息设立水系深度信息标记杆以及信号发送装置,使无人机沿着测绘路线收集地形图片以及水系深度信息,最后通过收集到的信息制作出独立区域的三维模型,并将其拼接成整体,完成整个传统聚落区域内的水系景观的三维建模。本发明通过建立基站连接无人机,使用无人机收集不同的水系景观区域的测绘信息以及水系深度信息,通过收集的信息完成整个传统聚落区域内的水系景观的三维建模。
  • 一种徽州传统聚落水系景观空间区域测绘方法系统
  • [实用新型]一种手部注射托架-CN202321147442.X有效
  • 洪敏 - 南京市溧水区人民医院
  • 2023-05-13 - 2023-10-03 - A61M5/52
  • 本实用新型公开了一种手部注射托架,包括支撑座,支撑座的顶部固定连接有侧板,侧板的一侧开设有滑槽,滑槽的内部滑动连接有调节块,调节块的一侧固定连接有支撑板,支撑板与侧板滑动连接,支撑板的内部对称滑动连接有连接块,支撑板的顶部设有托板,托板的底部固定连接有连接座,连接座的外侧对称开设有与连接块配合使用的固定槽,侧板远离滑槽的一侧固定连接有放置箱;本实用新型所达到的有益效果是:通过设置了调节块、支撑板和托板实现了在注射时对患者的手部进行支撑的功能;通过设置了双向丝杆、连接块、连接座和固定槽实现了对托板进行快速的安装和拆卸的功能,从而对其进行清洗消毒,避免交叉感染,方便使用。
  • 一种注射托架
  • [发明专利]一种具备消毒功能的滑块分拣机的滑块机构-CN202210722583.3有效
  • 陈义强;陈天崚;陈云鹏;洪敏;刘强 - 安徽九鲤智能设备有限公司
  • 2022-06-20 - 2023-09-26 - B07C5/36
  • 本发明公开了一种具备消毒功能的滑块分拣机的滑块机构,包括滑块、横撑、连接块Ⅰ,连接块Ⅱ、滚轮、导向轴,所述滑块上设置有缸体,所述缸体上设置有单向进气阀和单向出气阀,所述缸体内部连接有滑板,所述单向出气阀连接有储气箱,所述储气箱的出口端连接有文丘里管,所述文丘里管的喉部通过吸管连接有消毒液;所述文丘里管的出口端连接有喷头。本发明改变滑块与横撑之间的接触方式,变滑动摩擦为滚动摩擦,摩擦阻力减小,滑块运行更流畅,大幅降低机械磨损和变形,机械效率高,延长装置使用寿命,降低冲击,降低噪音;且本发明利用滑板的惯性实现包裹的自动消毒与干燥,避免包裹上携带的传染性病菌传染给工作人员或者收货人员。
  • 一种具备消毒功能分拣机构
  • [发明专利]一种HBT结构及其制造方法-CN202310625337.0在审
  • 易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所
  • 2023-05-30 - 2023-09-22 - H01L29/737
  • 本申请涉及半导体集成电路技术领域,提供了一种HBT结构及其制造方法,结构包括:硅基衬底;集电区耐压区,深N阱注入于硅基衬底;外延集电区,外延于集电区耐压区上;多个集电区接触区,间隔设置于集电区耐压区背离硅基衬底的一侧;多个隔离浅槽,设置于各集电区接触区两侧;基区,外延于外延集电区上;发射区,外延于基区的发射区窗口中。本发明中,HBT结构不需要传统的掩埋层,通过隔离浅槽将集电区耐压区与集电区接触区相隔离,在横向和纵向都能有效承受压降;通过在集电区耐压区上外延集电区,并在外延集电区上形成基区得到非平面PN结,形成二维电场分布,能够获得较大的增益带宽积,还能够在有效提高集电结击穿电压的同时保持较高的特征频率。
  • 一种hbt结构及其制造方法

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