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[发明专利]一种具有精确振荡频率输出的振荡器电路-CN202311011502.X在审
发明人：赵镱翔;苟超;彭克武;陈波;宋敏 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及一种具有精确振荡频率输出的振荡器电路，包括：电阻分压电路、电流源产生电路和振荡信号产生电路；所述电阻分压电路用于根据电源电压产生两个固定电平决定作为所述振荡信号产生电路的震荡信号产生的反转阈值；所述电流源产生电路用于为后级提供稳定的偏置电流；振荡信号产生电路用于产生精确稳定的时钟信号。本发明的振荡器电路占用面积较小、振荡频率受电源电压波动影响小、占空比精确，满足电压监控芯片对稳定时钟信号的需求。
一种具有精确振荡频率输出振荡器电路

[发明专利]一种带控制端的低温漂电压基准电路-CN202311065336.1在审
发明人：杨曼琳;严纲;吴昊;王妍;叶雅倩;杨潇雨;姜俊逸;赵之昱;廖轰 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请提供一种带控制端的低温漂电压基准电路，包括：开启模块，用于辅助电路的开启，并在所述电路达到平衡态时停止作用；偏置模块，用于提供自偏置电流以及偏置电压；带隙核模块，用于基于所述偏置电压产生基准电压，并基于所述基准电压产生与绝对温度正相关的温度系数控制电压；曲率补偿模块，用于基于电流镜的方式对所述自偏置电流进行拷贝，以根据所述自偏置电流和所述温度系数控制电压生成补偿电流，并通过控制端控制所述补偿电流接入所述带隙核模块对所述基准电压进行温漂补偿。本申请的电路可做成通用模块，集成于对基准温度系数要求不同的AD/DA转换器中。
一种控制低温电压基准电路

[发明专利]一种双斜率单斜ADC比较器电路及一种双斜率单斜模数转换器-CN202310706615.5在审
发明人：黄文刚;周翔宇;廖潇辉;周亮;彭超 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03M1/34 文献下载
摘要：本发明涉及比较电路，特别涉及一种双斜率单斜ADC比较器电路及一种双斜率单斜模数转换器，比较器电路包括多个反相器、比较器、D触发器、电容以及场效应管；本发明提出的比较器结构与现有技术相比不仅减少面积，并且减少功耗。
一种斜率单斜 adc 比较电路转换器

[发明专利]一种采用差分转单端跨阻结构的对数放大器-CN202310907294.5在审
发明人：周远杰;何峥嵘;王国强;王成鹤;裴洪松;范国亮;杨阳;胡云兰;徐佳丽;黄治华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，特别涉及一种采用差分转单端跨阻结构的对数放大器；包括主放大结构和差分转单端跨阻结构；其中主放大结构包括6个级联的限幅放大器，且每一个限幅放大器的输出连接一个整流器，每个整流器的输出与差分转单端跨阻输出结构相连；差分转单端跨阻输出结构包括多个电阻和多个NPN管；通过差分转单端跨阻输出结构可以实现差分电流转单端电压。
一种采用差分转单端跨阻结构对数放大器

[发明专利]一种高效整流器及其制造方法-CN201610150194.2有效
发明人：陈文锁;张培健;钟怡;王林凡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效整流器及其制造方法；所述高效整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第二导电类型体区、第一导电类型增强层、场介质层、栅介质层、栅电极层、上电极金属层和下电极金属层；所述高效整流器属于超势垒整流器类型，其采用只增加一次离子注入方式形成的增强层能够对MOS沟道区和位于体区间的类似JFET区进行杂质浓度调节，从而该高效整流器具有制造工艺简单和超低VF的优点。
一种高效整流器及其制造方法

[发明专利]一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法-CN201710301648.6有效
发明人：唐昭焕;杨永晖;肖添;谭开洲 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外延层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电类型源区、栅介质层、多晶硅栅介质层、ILD介质层、接触金属层、金属层和钝化介质层。重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区位于颈区之下，可以复合很大一部分重粒子辐射产生的电子‑空穴对，降低栅氧化层中的峰值电场；具有实现简单、导通电阻低、抗SEGR能力强的优点，可以用于抗辐射加固功率VDMOS器件的设计及制造领域。
一种载流子寿命调节功率 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]宽带高速跟踪保持电路-CN202111544031.X有效
发明人：孙伟;王永禄;张磊;徐鸣远;朱璨;刘佳 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆吉芯科技有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带高速跟踪保持电路，其包括输入缓冲器、跟踪保持开关模块、输出缓冲器及时钟模块，基于增加串叠式放大单元和前馈辅助放大单元设计输入缓冲器，减小了共射电路三次谐波失真随频率增大指数增长的非线性，提高了线性度；基于跟随采样单元、时钟开关单元及箝位单元设计跟踪保持开关模块，在跟踪保持开关模块处于保持状态时，经由采样开关管的基极电阻，有效拉低了基极电位，并通过箝位单元将其基极电压固定为一固定值，减小了采样开关管的基座误差，提高了信号的建立时间，保证了信号带宽；通过采样延迟可调技术，基于多个时钟延迟单元及时钟选择单元设计时钟模块，得到延迟可灵活调节的时钟信号，有利于提高后级量化和比较精度。
宽带高速跟踪保持电路

[发明专利]轨到轨输入级电路及运算放大器-CN202210373560.6有效
发明人：杨永晖;朱坤峰;杨法明;刘玉奎;黄文海;黄东;钱呈;张金龙;王鹏飞;陈俊 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过输入差分对模块与尾电流源模块、电流镜模块的配合设计，使得输入差分对模块可以利用MOS管自身的体效应实现输入信号的轨到轨输入乃至超过电源轨范围输入，输入信号的电压范围宽，不需要设计恒定跨导匹配电路，能有效避免现有输入轨到轨运算放大器电路的输入级中需要使用两对类型不同的输入管、需要对输入管进行跨导匹配而多设计的恒定跨导匹配电路，所带来的电路及版图的规模面积增加，以及对称性、匹配性下降问题。
轨到轨输入电路运算放大器

[发明专利]一种DCDC输出电压自适应跟随的混合电路结构-CN202310808493.0在审
发明人：姚福林;程章格;刘文韬 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明涉及电源管理电路技术领域，尤其涉及一种DCDC输出电压自适应跟随的混合电路结构，包括DCDC电路与输入电源相连、自适应调节反馈电路、LDO电路相连，DCDC电路用于接收自适应调节反馈电路信号，根据自适应调节反馈电路信号将输入电压进行调节，为LDO电路供电；自适应调节反馈电路与DCDC压电、LDO电路相连，自适应反馈调节电路用于根据LDO电路的输出电压产生控制信号，传递给DCDC电路；LDO电路与DCDC电路、自适应反馈调节电路、输出负载相连，LDO电路将DCDC电路输出电压进行噪声抑制，给负载供电提供低噪声供电电源；本发明可实现低噪声供电的同时大幅提升供电电源整体效率。
一种 dcdc 输出电压自适应跟随混合电路结构

[发明专利]增益低温漂的真对数放大器-CN202310794770.7在审
发明人：刘登学;庞佑兵;马朝骥;杨超;杨帆;周志昊;肖田海;艾崭;张豪 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种增益低温漂的真对数放大器，所述增益低温漂的真对数放大器包括输入匹配网络、限幅放大器、连续检波式对数放大器、电压电流变换器、可调输出放大器及增益温漂补偿电路，本发明在传统真对数放大器的结构基础上，额外设计增益温漂补偿电路，通过增益温漂补偿电路为电压电流变换器提供增益温漂补偿电压，利用增益温漂补偿电压对视频信号进行补偿调节，能有效降低真对数放大器的增益温漂，使得真对数放大器的增益几乎不随温度变化，提高了真对数放大器的增益温度稳定性。
增益低温对数放大器

[发明专利]一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法-CN202010884582.X有效
发明人：朱坤峰;张广胜;杨永晖;钟怡;崔伟;谭开洲;黄东;钱呈;杨法明;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。
一种基于 bicmos 工艺硅锗异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种SIP集成电路可靠性试验批量监测系统及其测试方法-CN202310689793.1在审
发明人：陈相洪;史凡萍;吉星宇;黄晓宗;杨晓强;彭伟 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及SIP集成电路可靠性试验批量监测技术领域，具体涉及一种SIP集成电路可靠性试验批量监测系统及其测试方法，所述系统包括检测箱、测试母板GPIB程控模块、PC上位机以及电源，检测箱中包括对个工装载板，每个工装载板上安装有多个SIP集成电路和载板组件；测试母板包括FPGA信号控制模块、多通道信号切换以及供电控制模块；PC上位机包括RS232控制模块、JTAG控制模块、GPIB控制模块以及IO控制模块；本发明提供的监测系统具有SIP集成电路可靠性试验在线可编程多功能实时监测能力和32组多芯监测能力，可有效提升SIP集成电路可靠性试验的测试精度和试验效率，降低生产成本。
一种 sip 集成电路可靠性试验批量监测系统及其测试方法

[发明专利]一种扁平系列外壳限位装置及其使用方法-CN202310530580.4在审
发明人：王旭光;王伟名;蔡亚慧;李金龙;陶怀亮;王凤英;龙庆;刘胜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种扁平系列外壳限位装置及其使用方法，包括依次设置的第一层板、第二层板和第三层板，第一层板面向第二层板的一侧面上设置有朝向第二层板凸设的定位柱，在第二层板和第三层板上对应于定位柱的位置处形成有定位孔；在第二层板上形成有若干用于供陶瓷方框沿竖直方向活动穿过的放置通槽，第一层板抵靠于所述第二层板，第二层板和第三层板之间具有供金属引线伸入其中的间隙。通过第一层板、第二层板和第三层板之间的配合使用，在对外壳进行水平方向上的定位的同时，外壳内腔被第一层板挡住而保护外壳内腔的键合丝，避免键合丝在转运或操作人员手持外壳时键合丝被破坏，保证了电路外观，为后续的点焊工序提供便利。
一种扁平系列外壳限位装置及其使用方法

[发明专利]一种适用于大动态范围对数放大器的失调补偿结构-CN202210030106.0有效
发明人：周远杰;王成鹤;何峥嵘;裴洪松;范国亮;杨阳;胡云兰;徐佳丽;黄治华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，特别涉及一种大动态范围对数放大器芯片的失调补偿结构；所述失调补偿结构包括第一级限幅放大器，多级限幅放大器，跨导检测单元以及恒流源和反馈电流源；第一级限幅放大器分别连接差分信号的输入正端和输入负端，差分信号输出正端和输出负端连接多级限幅放大器的输入正端和输入负端；恒流源连接多级限幅放大器的输入负端，反馈电流源连接多级限幅放大器的输入正端；跨导检测单元连接多级限幅放大器的输出负端和输出正端；本发明通过跨导检测单元来获取输出正端和输出负端电压的差异结果，并通过反馈电流源生成反馈电流，以恒流源电流补偿反馈电流引起的第一级限幅放大器直流工作点变化，起到稳定限幅放大器工作的作用。
一种适用于动态范围对数放大器失调补偿结构

[发明专利]一种HBT结构及其制造方法-CN202310625337.0在审
发明人：易孝辉;张培健;陈仙;洪敏;魏佳男;唐新悦;罗婷;张静 -专利权人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路技术领域，提供了一种HBT结构及其制造方法，结构包括：硅基衬底；集电区耐压区，深N阱注入于硅基衬底；外延集电区，外延于集电区耐压区上；多个集电区接触区，间隔设置于集电区耐压区背离硅基衬底的一侧；多个隔离浅槽，设置于各集电区接触区两侧；基区，外延于外延集电区上；发射区，外延于基区的发射区窗口中。本发明中，HBT结构不需要传统的掩埋层，通过隔离浅槽将集电区耐压区与集电区接触区相隔离，在横向和纵向都能有效承受压降；通过在集电区耐压区上外延集电区，并在外延集电区上形成基区得到非平面PN结，形成二维电场分布，能够获得较大的增益带宽积，还能够在有效提高集电结击穿电压的同时保持较高的特征频率。
一种 hbt 结构及其制造方法

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