[发明专利]一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法有效
| 申请号： | 202010579367.9 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933684B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 耿开远 | 申请（专利权）人： | 济宁东方芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/74;H01L21/223;H01L21/332 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 张贤 |
| 地址： | 272100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可控硅隔离墙和短基区同步扩散结构及方法，属于半导体器件技术领域，包括短基区、高阻区、阴极区和台面槽，台面槽的上方设有玻璃钝化层，短基区的外侧设有背面开槽区，背面开槽区内设有镓层，通过背面开槽以及槽内扩镓形成隔离墙，隔离墙和短基区同质，隔离墙和短基区同步形成，镓层扩散浓度和深度相同，使用镓作为导电介质，通过背面开槽加槽内扩镓形成隔离墙，扩散温度低，时间短，避免了常规的深结长时间高温扩散大大减少了工步，解决了现有技术中出现的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 隔离 短基区 同步 扩散 结构 方法 | ||
【主权项】：
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