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[实用新型]一种路桥设计用图纸吊挂结构-CN201921823645.X有效
发明人：姜东华 -专利权人：姜东华
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： A47B97/02 文献下载
摘要：本实用新型属于路桥设计技术领域，尤其为一种路桥设计用图纸吊挂结构，包括底座，所述底座的顶部固定连接有可调式支撑杆，并且可调式支撑杆的顶部固定连接有外壳，所述外壳的底部开设有通孔，所述通孔内穿插连接有幕布本实用新型，通过连接装置、电机、收卷辊、软磁条、幕布、可调式支撑杆以及移动装置之间的相互配合，因此便能够进行调节图纸的展示高度，且在弹簧弹力的作用下，可保证幕布时始终处于绷紧的状态，便于相关用作人员进行研讨，同时工作人员还可使用不同尺寸以及形状的软磁条在图纸上进行标记，还能够避免留下痕迹，给设计人员的工作提供一定的便利。
一种设计图纸吊挂结构

[实用新型]一种道路桥梁浅层裂缝修补装置-CN202320168411.6有效
发明人：王浩然;袁洋;杨亮;刘少权;刘全越 -专利权人：黑龙江省林业设计研究院
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： E01C23/09 文献下载
摘要：本实用新型属于道路桥梁养护技术领域，具体涉及一种道路桥梁浅层裂缝修补装置，包括修补装置主体，修补装置主体的输出端安装有软连接管，软连接管远离修补装置主体一端的外侧安装有固定块，固定块的外侧螺纹连接有灌浆管
一种道路桥梁裂缝修补装置

[发明专利]一种BJT器件结构及其制作方法-CN202010729800.2在审
发明人：郭新;周晓君;王海涛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明提供一种BJT器件结构及其制作方法，P阱、将P阱隔离为发射区下方的P阱和基区的P阱；发射区下方的P阱上设有第一N+区；基区的P阱上设有P+区；第一N+区上表面设有环绕第一N+区边缘的SAB环形层，该SAB环形层向外延伸至第一STI区上表面；第一N+区上表面、SAB环形层内设有至少一个SAB块型结构；环绕基区的集电区，集电区与所述基区之间设有将基区和集电区相互隔离的第二STI区；集电区由位于衬底上的本发明通过发射极区域增加SAB区域，电流的集边效应会使部分发射极电流聚集在SAB区域硅表面处，中和部分基区电流，降低基区复合电流，达到增加双极型晶体管电流增益的效果。
一种 bjt 器件结构及其制作方法

[发明专利]一种新型绝缘栅双极性晶体管-CN202110873522.2在审
发明人：何艳静;詹欣斌;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：包括：集电极结构，包括：自下而上依次生长形成的集电极、P+集电极区以及N+缓冲区；N‑漂移区，位于N+缓冲区之上；表面结构，位于N‑漂移区之上，表面结构包括：两个沟槽栅极，沟槽栅极延伸至N‑漂移区；P基区以及浮空P基区，P基区位于沟槽栅极的内侧，浮空P基区位于沟槽栅极的外侧；沟槽发射极，位于P基区中；第一N+发射极以及P+发射极，位于沟槽栅极内侧；第一N+发射极和P+发射极依次交替设置在垂直于平面的z方向上；第二N+发射极，位于沟槽发射极的两侧；顶部发射极，覆盖P基区、浮空P基区、沟槽栅极、第一N+发射极和P+发射极、沟槽发射极以及第二N+发射极，且顶部发射极连接沟槽发射极。
一种新型绝缘极性晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201410356503.2有效
发明人：张炜;韩雁;张斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区、背P+集电极区、背N+集电极区、N+发射极区、栅氧化层、发射极、P‑缓冲层、栅电极和集电极，N型基区由依次层叠的N+扩散残留层、N‑基区和N+缓冲层组成，N+扩散残留层和N+缓冲层从N‑基区的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N‑基区上设置了N+残留层，有效地提高了N型正面的离子掺杂浓度，有效地提高了器件对电流的处理能力，从而降低了器件的导通饱和压降；而在背面依上而下设置的N+缓冲层、P‑缓冲层、背P+集电极区、背N+集电极区构成了嵌入的NPN晶体管，起到了一个少子的快速通道的作用，帮助少子能尽快地扫出N‑基区，从而减少了器件的关断时间与关断损耗。
绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种场限环-负斜角复合终端结构-CN201310695943.6有效
发明人：王彩琳;王一宇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：，将有源区外围区域作为终端区，有源区和终端区共同的n^-衬底下方设置有n型FS层，在n型FS层下方设置有p⁺阳极区及阳极；有源区中，n^-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设有阴极；p⁺基区上方设有门极，并且整个门极环绕在所包围的阴极n⁺发射区的周围；在终端区的n^-衬底内，在主结外侧设了至少一个
一种场限环斜角复合终端结构

[发明专利]一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管-CN201310122747.X有效
发明人：唐龙谷;冯江华;吴煜东;陈勇民;陈芳林 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外表面，门极金属电极设置在P+短基区外表面。本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
一种晶闸管阴极具有结构换流

[发明专利]一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管-CN201210442085.X有效
发明人：祝靖;曹鲁;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内设有N型阱区及P型基区，在P型基区内设有第一P型接触区和N型源区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有P型漏区，在N型外延层内设有由P型环形基区构成的P型基区阵列，所述P型基区阵列位于N型阱区与P型基区之间，在所述P型环形基区内设有第二P型接触区和
一种电流密度横向超薄绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管-CN201710404322.6有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。
一种载流子存储增强绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种双重载流子存储增强的IGBT-CN201710447466.X有效
发明人：黄铭敏 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）器件，其基区与漂移区之间有一个载流子存储区，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN在正向导通时，载流子存储区可使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强，而基区与发射极之间的二极管使少数载流子存储效果进一步增强。
一种双重载流子存储增强 igbt

[实用新型]微型功率晶体管-CN201721880635.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微型功率晶体管，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的方形柱状发射区，每个所述方形柱状发射区上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述方形柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；集电区上，基区外围处设有保护环结构，集电区、保护环、发射区、基区上设有石墨烯层；石墨烯层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。
发射区基区电极条集电区方形柱状微型功率晶体管本实用新型发射极金属基极金属石墨烯层高掺杂引线孔沉积等距离间隔排列发射极电极集电极电流基极电极基极引线阳极金属阴极金属低掺杂环结构绝缘槽外围处分隔背面

[实用新型]低反压功率晶体管-CN201621467544.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低反压功率晶体管，低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，所述晶圆片为磊晶矽晶圆片，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有孔，发射极引线由发射区金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有孔，基极引线由基区金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述集电区上，基区外围处设有保护环结构，所述集电区、保护环、发射区、基区上设有磊晶外延层；所述磊晶外延层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。
低反压功率晶体管

[实用新型]高反压功率晶体管-CN201621469011.5有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高反压功率晶体管，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述集电区上，基区外围处设有保护环结构，集电区、保护环、发射区、基区上设有碳纳米层；所述碳纳米层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。
高反压功率晶体管

[实用新型]微型功率晶体管-CN201621467543.5有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微型功率晶体管，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的方形柱状发射区，每个所述方形柱状发射区上设有发射区引线孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个所述方形柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；集电区上，基区外围处设有保护环结构，集电区、保护环、发射区、基区上设有碳纳米层；碳纳米层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。
微型功率晶体管

[实用新型]音响放大器用NPN型三极管-CN201922459012.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的圆柱状发射区，圆柱状发射区和四角的基区引线孔组成三极管晶圆片的晶格单元，所述三极管晶圆片呈轴对称结构；所述低掺杂N型集电区上，高掺杂P型基区外围处设有高掺杂N型保护环结构，所述低掺杂N型集电区、保护环、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上设有石墨烯层，所述石墨烯层与高掺杂P型基区、高掺杂N型保护环连接处向下凹陷，延伸至高掺杂N型保护环、高掺杂P型基区内。
音响放大器用 npn 三极管