[发明专利]一种双异质结单极性晶体管的器件结构在审
| 申请号： | 201910666385.8 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110310989A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 朱敏;邹新波;杨杨 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/20;H01L29/205 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;柏子雵 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连。本发明公开的是一种基于双异质结的垂直型器件，可实现常关型器件的特性，同时不易受表面电荷的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 发射区 集电区 基区 双异质结 单极性晶体管 器件结构 垂直器件结构 双异质结结构 垂直型器件 表面电荷 竖直布置 肖特基结 背对背 单极性 发射极 集电极 可互换 输运 | ||
【主权项】：
1.一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海科技大学，未经上海科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910666385.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置和制造半导体装置的方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 半导体装置和制造半导体装置的方法-201910234924.0
- J·P·约翰;J·A·柯奇斯纳 - 恩智浦美国有限公司
- 2019-03-27 - 2019-10-08 - H01L29/737
- 本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。提供一种半导体装置包括：非本征基极区；第一电介质间隔件，其在所述非本征基极区的与发射极窗口区相邻的侧壁的至少一部分上；本征基极区；基极连接区，其耦合所述本征基极区和所述非本征基极区；集电极区，其位于所述本征基极区之下并且具有位于所述基极连接区之下的外围；以及第二电介质间隔件，其将所述基极连接区与所述集电极区的至少所述外围分开；其中所述第二电介质间隔件横向延伸超过所述第一电介质间隔件以位于所述发射极窗口区之下。还提供一种用于制造半导体装置的方法。
- 一种双异质结单极性晶体管的器件结构-201910666385.8
- 朱敏;邹新波;杨杨 - 上海科技大学
- 2019-07-23 - 2019-10-08 - H01L29/737
- 本发明提供了一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连。本发明公开的是一种基于双异质结的垂直型器件，可实现常关型器件的特性，同时不易受表面电荷的影响。
- 集成电路-201920215739.2
- A·高蒂尔;J·博雷尔 - 意法半导体（克洛尔2）公司
- 2019-02-20 - 2019-10-08 - H01L29/737
- 本公开的实施例涉及一种集成电路。双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征基极区域接触，并且包括带有隔离侧壁的开口。晶体管的集电极区域被设置在隔离侧壁之间。
- 半导体装置-201910146109.9
- 黑川敦;佐野雄一 - 株式会社村田制作所
- 2019-02-27 - 2019-09-03 - H01L29/737
- 本发明提供一种能够抑制热应力的半导体装置。半导体装置具有：半导体元件，具有包括设置于化合物半导体基板的集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管、以及分别与集电极层、基极层及发射极层接触的集电极电极、基极电极及发射极电极；保护层，设置于半导体元件的一个面；发射极再布线层，经由设置于保护层的接触孔与发射极电极电连接；以及应力缓和层，在与化合物半导体基板的表面垂直的方向上，设置于发射极再布线层与发射极层之间。
- 双极晶体管设备和对应的制造方法-201910127913.2
- A·高蒂尔;J·博雷尔 - 意法半导体（克洛尔2）公司
- 2019-02-20 - 2019-08-27 - H01L29/737
- 本公开的实施例涉及双极晶体管设备和对应的制造方法。双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征基极区域接触，并且包括带有隔离侧壁的开口。晶体管的集电极区域被设置在隔离侧壁之间。
- 一种HBT器件-201822240136.6
- 高怀;常颖;毕谈;蔡士琦;丁杰 - 苏州英诺迅科技股份有限公司
- 2018-12-28 - 2019-07-26 - H01L29/737
- 本实用新型公开了一种能够改善器件自热效应的HBT器件。该结构是在传统HBT器件结构的基础上，对次集电区采用浓度渐变的方式进行掺杂。具体包括：发射区、基区、集电区的工艺不变，从而保证基本的电特性不变，而重掺杂的次集电区其掺杂浓度采用渐变增加的方式实现，以集电区掺杂浓度为基准，从上往下依次增加至最大掺杂浓度。相比于现有技术，本实用新型提供的HBT器件在大电流偏置状态下，集电结耗尽区更容易向次集电区延伸，从而使得电场峰值更低，进而有效减小热源的产生，从根本上解决所有HBT射频电路热效应严重的问题，具有重要的现实意义。
- 一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管-201610961615.X
- 李风浪;李舒歆 - 上海微舵集成电路设计有限公司
- 2016-11-04 - 2019-06-11 - H01L29/737
- 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种锗硅三极管的制造方法以及锗硅三极管，本发明通过锗硅本征基区、P型多晶硅非本征基区、第二绝缘介质区同时沉积，同时刻蚀的方式简化工艺过程，同时发射区与本征基区的接触面积可以通过发射区与本征基区接触的厚度调节，接触面积相对于受制于光刻版的影响时可进一步减小，三极管性能可进一步提高。
- 一种共射共基异质结双极型晶体管-201810213533.6
- 刘洪刚;袁志鹏 - 苏州闻颂智能科技有限公司
- 2018-03-09 - 2019-06-07 - H01L29/737
- 本发明公开了一种共射共基异质结双极型晶体管，设于封装基板上，封装基板上设有热沉，共射共基异质结双极型晶体管包括具有第一基极、第一发射极、第一集电极的共基极异质结双极型晶体管和具有第二基极、第二发射极、第二集电极的共发射极异质结双极型晶体管，以及用于连接第一发射极和第二集电极的热分流桥、用于连接第一基极的第一焊盘和第一铜柱、用于连接第一集电极的第二焊盘和第二铜柱、用于连接第二基极的第三焊盘和第三铜柱、设于第二发射极上方的第四铜柱，共射共基异质结双极型晶体管倒装于封装基板上，第四铜柱焊接于热沉上。本发明一种共射共基异质结双极型晶体管，具有高增益、高线性度、高温度稳定性。
- 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法-201510309494.6
- 张连;张韵;王军喜;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
- 2015-06-08 - 2019-05-17 - H01L29/737
- 本发明提供一种降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法，其中降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构，其包括：一衬底；一n型集电区，其制作在衬底上；一p型组分渐变基区，其制作在n型集电区上；一n型发射区，其制作在p型基区上。本发明通过特殊的结构设计，使基区电阻率大大降低，从而提高器件性能。
- 一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法-201811107608.9
- 庄秉翰;蔡文必;孙希国;王江;魏鸿基;梁玉玉 - 厦门市三安集成电路有限公司
- 2018-09-21 - 2019-04-02 - H01L29/737
- 本发明提供了一种磷化铟高速双异质结双极结构晶体管的制作方法，包括如下步骤：1)外延片制备:以磷化铟作为生长衬底，在磷化铟的表面生长缓冲层A、剥离层、发射极层、基极层、集极层；2)准备一硬度高于磷化铟的永久性衬底；将备制好永久性衬底和外延片相互贴合形成试片；3)在永久性衬底的表面通过蚀刻穿孔工艺蚀刻永久性衬底、金属面、集极层、基极层、发射极层；4)通过开孔对剥离层进行湿法腐蚀，使得磷化铟生长衬底与试片分离；5)在永久性衬底上完成DHBT芯片结构的制作。上述的制作方法，运用穿孔工艺搭配湿法腐蚀将磷化铟衬底快速地与永久性衬底分离开来,解决当前在大面积晶圆尺寸上分离的困难与瓶颈。
- 高热稳定性超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管-201610617990.2
- 金冬月;赵馨仪;张万荣;郭燕玲;陈蕊;王利凡 - 北京工业大学
- 2016-07-30 - 2019-03-05 - H01L29/737
- 本发明公开了一种具有高热稳定性的超结应变Si/SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，其上分别外延生长弛豫Si1‑yGey次集电区、弛豫Si1‑yGey集电区、应变Si1‑xGex基区和应变Si发射区。所述晶体管通过在弛豫Si1‑yGey集电区引入与应变Si1‑xGex基区平行的超结p型层达到改善集电结空间电荷区电场分布、降低峰值电子温度、抑制碰撞电离和提高器件击穿电压的目的。同时，超结p型层的引入，将有效降低弛豫Si1‑yGey集电区的掺杂浓度和声子散射几率、提高弛豫Si1‑yGey集电区热导率。所述晶体管兼具大电流增益和高击穿电压特性，且内部温度分布显著降低，特征频率温度敏感性得到改善，可在较宽的工作温度范围内实现高热稳定性工作。
- 异质接面双极性电晶体-201410344152.3
- 邱瑞斌;蔡绪孝;许龙豪;林正国 - 稳懋半导体股份有限公司
- 2014-07-18 - 2019-02-26 - H01L29/737
- 本发明异质接面双极性电晶体，其包括：一长条形基极平台、一长条形基极电极、两个长条形射极、一个长条形集极以及两个长条形集极电极，其中前述之长条形基极电极系沿前述之基极平台之长轴设置于前述之基极平台之上，且前述之基极电极之中央处或邻近中央处设有一基极导孔；前述之两个长条形射极系分别位于前述基极平台上、前述基极电极之两侧，且前述之射极区中的每一个其上方设有一长条形射极电极；前述之集极系位于前述基极平台之下；而前述之两个长条形集极电极系分别位于前述集极之上、前述基极平台相对之两侧。
- 半导体结构及其形成方法-201711290808.8
- 吴政宪;陈奕升 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2017-12-08 - 2018-12-11 - H01L29/737
- 结构包括：衬底，包括第一半导体材料；介电部件，嵌入在衬底中；以及第二半导体材料，嵌入在衬底中，第二半导体材料与第一半导体材料具有晶格失配，第二半导体材料具有两个上侧壁和两个下侧壁，两个上侧壁与介电部件接触，两个下侧壁与衬底接触，两个下侧壁非垂直于衬底的顶面，介电部件的最底部分低于两个下侧壁的最顶部分。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
- 化合物半导体装置-201510829130.0
- 佐佐木健次;黒谷欣吾;北原崇 - 株式会社村田制作所
- 2015-11-25 - 2018-10-26 - H01L29/737
- 本发明涉及一种化合物半导体装置。在包括由多个单位晶体管构成的HBT的化合物半导体装置中，使热阻降低。化合物半导体装置具备包括多个单位晶体管的异质结双极晶体管和与多个单位晶体管的发射极电连接的凸块，多个单位晶体管沿第1方向排列，凸块在多个单位晶体管的发射极上沿第1方向延伸配置，多个单位晶体管中的至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向与第1方向垂直的第2方向上的一侧偏移配置，多个单位晶体管中的其他至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向第2方向上的另一侧偏移配置。
- 一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法-201310632268.2
- 周伟;张伟;严利人;刘志弘;付军;周卫;王全 - 上海集成电路研发中心有限公司;清华大学
- 2013-12-02 - 2018-08-10 - H01L29/737
- 本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。
- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构-201510919059.5
- 张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2015-12-10 - 2018-07-24 - H01L29/737
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGaxAs材料。本发明结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本发明结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。
- 双极晶体管-201510578851.9
- 托尼·范胡克;维特·桑迪·恩;皮特鲁斯·H·C·马涅;蓬奇·伊沃;迪克·克拉森;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂 - 恩智浦有限公司
- 2015-09-11 - 2018-06-29 - H01L29/737
- 一种包括双极晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括双极晶体管的功率放大器。所述双极晶体管包括：包括横向延伸的漂移区的集电极。所述双极晶体管还包括：位于所述集电极上方的基极。所述双极晶体管还包括：位于所述基极上方的发射极。所述双极晶体管还包括具有与集电极的导电类型不同的导电类型的掺杂区域。掺杂区域在集电极下方横向延伸以在掺杂区域和集电极之间的接触区域处形成结。所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布。所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极‑基极结最近的那部分掺杂区域中最高。
- 具有提高的击穿电压-截止频率乘积的SiGe异质结双极晶体管-201380016089.4
- J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2013-03-25 - 2018-04-24 - H01L29/737
- SiGe异质结双极晶体管(HBT)(200)的击穿电压(BVCEO)和截止频率(fT)的乘积通过利用具有中空核的掺杂区域(210)增加超出约翰逊限制，其中所述中空核从基极(150)向下延伸至重度掺杂的掩埋集电极区域(120)。掺杂区域和掩埋集电极区域具有相反的掺杂剂类型。
- 衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法-201711098314.X
- 王冠宇;于明道;苗乃丹;周春宇;宋琦;王巍;袁军 - 重庆邮电大学
- 2017-11-09 - 2018-04-06 - H01L29/737
- 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si1‑yGey材料形成集电区引出端，y为自然数且0<y<1。通过在衬底上设置两个向上施加单轴应力的集电区引出端，提高了SiGe HBT器件的高速和高频特性。此外，根据实际需要，此种SiGe HBT器件结构可以灵活的选择衬底的晶面和晶向来施加单轴应力，为高频SiGe HBT的设计提供更大的自由度。
- 一种GaAsHBT器件外延结构-201720337277.2
- 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
- 2017-03-31 - 2018-01-19 - H01L29/737
- 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InzGa1‑zAs帽层，其中，若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层由下至上每层结构x的变化逐渐增大，且x的范围为0～0.3，因此，在保证电流增益β，提高工艺可靠度的同时，减小GaAs HBT开启电压Voffset，提高发射极注入效率；同时，空间隔离层的引入，有利于减少GaAsP型掺杂杂质可能扩散至AlxGa0.52‑xIn0.48P中使单个HBT器件同时满足微波放大器和高速开关的应用成为可能。
- 一种GaAs微电子集成器件的外延结构-201720336972.7
- 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
- 2017-03-31 - 2017-12-29 - H01L29/737
- 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs微电子集成器件的外延结构，由下至上依次包括衬底、N‑GaAs集电区层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N+‑GaAs帽层、器件隔离层、AlN层，该GaAs微电子集成器件的外延结构中采用N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层和P‑GaAs基区层，相比于传统的AlGaAs/GaAs，InGaP/GaAs相比，具有更大的导带能带差和价带能带差，使得AlxGa0.52‑xIn0.48P/GaAs HBT的电流增益较大，并有较好的温度稳定度。
- GaAsHBT器件-201510506104.4
- 陈一峰;李春江 - 成都海威华芯科技有限公司
- 2015-08-18 - 2017-11-10 - H01L29/737
- 本发明提供了一种GaAs HBT器件。该GaAs HBT器件包括衬底、N型GaAs集电区、P型GaAs基区、N型InGaP发射区、N型InGaAs帽层、介质层和TaN薄膜。N型集电区形成在衬底上，其表面划分为电极区域和非电极区域，所有区域形成有由下自上依次层叠的P型基区、N型发射区和N型帽层；在电极区域，P型基区两侧的N型集电区上形成有两个集电极金属电极，N型发射区两侧的P型基区上形成有两个基极金属电极，N型帽层上形成有发射极金属电极；在电极区域一侧的非电极区域，N型帽层上沉积有介质层，TaN薄膜沉积在介质层上。本发明能够集成信号传感和信号放大两个功能，从而有效减小传感器系统体积。
- 一种GaAsHBT器件外延结构-201720336819.4
- 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
- 2017-03-31 - 2017-11-10 - H01L29/737
- 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlyGa0.52‑yIn0.48P集电区层、P‑GaAs基区层、若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InzGa1‑zAs帽层，其中，若干层N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层由下至上每层结构x的变化逐渐增大，且x的范围为0～0.3，因此，在保证电流增益β，提高工艺可靠度的同时，减小GaAs HBT开启电压Voffset，提高发射极注入效率，使单个HBT器件同时满足微波放大器和高速开关的应用成为可能。
- 一种系统GaAsHBT器件外延结构-201720337523.4
- 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
- 2017-03-31 - 2017-10-31 - H01L29/737
- 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种系统GaAs HBT器件外延结构，由下至上依次包括GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InZGa1‑ZAs帽层，由N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层和P‑GaAs基区层形成的第一异质结结构中间插入有空间隔离层，由P‑GaAs基区层和N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层形成第二异质结结构，在保证电流增益β，提高工艺可靠度的同时，减小GaAs HBT开启电压Voffset，使单个HBT器件同时满足微波放大器和高速开关的应用成为可能。
- 一种GaAsHBT器件结构-201720337215.1
- 陈一峰 - 成都海威华芯科技有限公司
- 2017-03-31 - 2017-10-17 - H01L29/737
- 本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs HBT器件结构，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑InGaP集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑InGaP发射区层、N‑GaAs发射区层、N+‑InZGa1‑ZAs帽层，由N‑InGaP集电区层和P‑GaAs基区层形成的第一异质结结构中间插入有空间隔离层，由P‑GaAs基区层和N‑InGaP发射区层形成第二异质结结构，在保证电流增益β和提高工艺可靠度的同时，减小GaAs HBT开启电压Voffset，使单个HBT器件同时满足微波放大器和高速开关的应用成为可能。
- 一种GaAsHBT功率器件-201610172324.2
- 周佳辉;郭嘉帅;钱永学;孟浩 - 上海翰微电子技术有限公司
- 2016-03-24 - 2017-10-03 - H01L29/737
- 本发明提供一种GaAs HBT功率器件，所述GaAs HBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAs HBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAs HBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。本发明能够有效改善GaAs HBT功率器件由于自热和热耦合引起的电流增益崩塌现象，提高工作效率。
- 具有由沟槽隔离限定的JFET宽度的半导体器件-201380042822.X
- B·胡;P·郝;S·彭迪哈卡 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2013-08-29 - 2017-09-05 - H01L29/737
- 本发明涉及一种具有结型场效应晶体管(JFET)(100)的半导体器件，其包括具有包括顶侧表面(106a)的第一类型半导体表面(106)的衬底(105)，以及在该半导体表面形成的第二类型顶部栅极(110)。第一类型漏极(120)和第一类型源极(115)在顶部栅极的相对侧上形成。第一深沟槽隔离区(125)具有围绕顶部栅极、漏极和源极的第一内沟槽壁(125a)和第一外沟槽壁(125b)，并且从顶侧表面垂直地延伸到深沟槽深度(139)。在半导体表面上形成的第二类型下沉区(135)在第一外沟槽壁之外横向地延伸。下沉区从顶侧表面垂直地延伸到第二类型深部，其既低于深沟槽深度也在横向上处于第一内沟槽壁之内，以提供底部栅极。
- 一种具有应变Si组合发射区的异质结双极晶体管及其制备方法-201710240009.3
- 张静;唐昭焕;谭开洲;陈仙;王健安;陈光炳;付东兵 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 2017-04-13 - 2017-08-15 - H01L29/737
- 本发明涉及一种具有应变Si组合发射区的异质结双极晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，所述异质结双极晶体管包括绝缘体上硅衬底、驰豫Si1‑xGex集电区、应变Si1‑yGey基区、N+区和发射区，所述发射区包括驰豫Si1‑xGex层和应变Si层。该异质结双极晶体管中发射区由于应变Si层的加入，使其与SOI应变CMOS能够全平面兼容，减小SOI SiGe BiCMOS的工艺复杂度与生产成本。同时，应变Si层会使发射区形成阻碍空穴运动的势垒ΔEv，增大载流子发射效率，从而提升器件的电流与频率性能，因此电学特性明显优于传统HBT器件，进一步，该异质结双极晶体管的有效寄生电容将比同等条件下体SiGe HBT中的寄生电容小，还具有漏电流小、抗衬底噪声和串扰能力强的优势。
- 自对准锗硅异质结双极型三极管器件及其制造方法-201310390404.1
- 周正良;陈曦;潘嘉 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2013-08-30 - 2017-08-08 - H01L29/737
- 本发明公开了一种自对准锗硅异质结双极型三极管器件，集电区包括位于有源区中的第一离子注入区、第二离子注入区和第三离子注入区；本征基区由形成于有源区上的锗硅外延层组成，外基区多晶硅在本征基区两侧且被氧化硅保护层包围，其位于浅槽场氧上方并与浅槽场氧接触，表面不低于有源区硅表面且低于锗硅外延层的表面，氧化硅保护层底部与浅槽场氧接触且表面高于锗硅外延层的表面；发射区由基区上部的N型发射极多晶硅组成。本发明还公开了该器件的制造方法。本发明可拉开发射极多晶硅和外基区多晶硅的间距以及选择性集电极离子注入区和外基区多晶硅的间距，降低发射极‑基极电容、基极一集电极电容和基极电阻，提高器件的特征频率及其它射频特性。
- 具有不同基极外形的异质接面双极晶体管的整合-201611137241.6
- 夫厚尔·杰恩;刘岂之 - 格罗方德半导体公司
- 2016-12-12 - 2017-08-04 - H01L29/737
- 本发明涉及具有不同基极外形的异质接面双极晶体管的整合，其包括用于异质接面双极晶体管的装置结构及制造方法。在基底的第一装置区上形成第一基极层。形成与该第一基极层界定第一接面之第一射极。在基底的第二装置区上形成第二基极层。形成与该第二基极层界定第二接面之第二射极。该第一基极层与该第二基极层有不同的厚度、组成、电活性掺质的浓度、或以上的组合。
- 专利分类
