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[发明专利]一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管-CN201610075444.0有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州市梦之谷科技发展有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。
肖特基二极管硅片层导电填充空心棒铝面阴极二氧化硅层阴极金属层阳极管脚平面式管脚反向耐压运输过程漏电流橡胶塞折断弹出减小折弯去除耗尽

[实用新型]一种弯角恒流二极管-CN201620108817.5有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种弯角恒流二极管，包括合金电极、硅晶体、焊锡层、外壳、支架和弯角引线，焊锡层另一面设置在硅晶体的底部，焊锡层设置在支架上，以上结构包裹在外壳的内部，合金电极设置在外壳的顶部，弯角引线分为两根，一根设置在合金电极上，另一根设置在外壳的底部，该实用新型的弯角恒流二极管，其结构简单，能够有效节约成本，在支座过程中能够大幅度减少使用人工。
一种弯角二极管

[实用新型]一种沟槽式MOS肖特基二极管-CN201620108833.4有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面，该实用新型的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用。
一种沟槽 mos 肖特基二极管

[实用新型]一种TVS二极管-CN201620108827.9有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TVS二极管，涉及二极管封装技术领域，包括TVS二极管本体、锁扣榫，所述锁扣榫设于TVS二极管本体的右端，TVS二极管本体左侧设有与锁扣榫配合的凹槽，凸起设于TVS二极管本体的上下两侧，TVS二极管本体外部涂有一层涂膜，TVS二极管本体内部涂有ZnS超薄膜，外表面为磨砂面，本实用新型突破二极管单个使用的局限，可采取多个二极管的串联使用，且使用过程中方便拿取不易滑落，更加能够满足人们的需要。
一种 tvs 二极管

[实用新型]一种银面高压平面式MOS肖特基二极管-CN201620108815.6有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
一种高压平面 mos 肖特基二极管

[实用新型]一种肖特基二极管-CN201620108818.X有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管，涉及二极管领域，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧，该种肖特基二极管可广泛适用于各种保护二极管的使用场合，且可快速切换，值得推广。
一种肖特基二极管

[实用新型]一种GPP整流二极管-CN201620109444.3有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GPP整流二极管，涉及二极管领域，包括p型半导体电极、n型半导体电极以及所述p型半导体电极与n型半导体电极相互烧结而成的结界面，结面上附着有GPP芯片， p型半导体电极与n型半导体电极分别连接有p极弱电检测装置和n极弱电检测装置，本实用新型可防止电压电流过大烧毁二极管，内部电容单位相当于小型的纽扣电池，用来维护别的元器件保持电流通路一直存在，所述弱点监测装置能够检测出电压和电流情况，便于知晓电路的导通，且该装置散热性也较好。
一种 gpp 整流二极管

[实用新型]一种灯泡电源一体化系统-CN201620108825.X有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灯泡电源一体化系统，包括LED模块、电源模块、校正模块和保护模块，所述LED模块为PN结的二极管，所述电源模块与LED模块连接，所述电源模块为LED模块提供电流和电压，所述校正模块为电压互感器和电流互感器，所述电压互感器和电流互感器对电源模块提供的电流和电压进行整流，所述保护模块对电源模块和校正模块的参数进行监测，从而实施保护。所述灯泡电源一体化系统结构简洁、成本低廉，所述电压互感器为电容式电压互感器，可以将高电压按比例转换成低电压，减少LED模块的过载现象，延长使用寿命，所述保护模块包括电压传感器、电流传感器和温度传感器，可以对电压、电流和温度进行全方面的监控以及保护，从而延长使用时长，该灯泡电源一体化系统具有结构简洁、成本低廉以及使用寿命长的优点。
一种灯泡电源一体化系统

[实用新型]一种机车整流器-CN201620108829.8有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种机车整流器，包括整流器外壳、整流组、接插口和散热器，整流组共四个，位于整流器外壳内，整流组两两串联后再并联，包括整流管、快速熔断器和保护电容，整流管包括外壳、凸台、管芯、银片、钼片和瓷环，凸台位于外壳内，管芯位于外壳凸台内，银片位于管芯外层，钼片位于银片外层，瓷环位于凸台两端，整流管与快速熔断器相串联，整流管和快速熔断器与保护电容相并联，接插口位于整流器外壳两端，与整流组相连，散热器位于整流器外壳两边。本实用新型有成本低、结构小、散热好、使用寿命长优点，具有广阔的市场前景。
一种机车整流器

[实用新型]一种高压硅堆-CN201620108835.3有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压硅堆，所述底座和引线的材料是无氧铜，因为铜稍硬、极坚韧、耐磨损，而且其延展性、导热和导电性能都很好，所述引线表面上有一层镍，可起到防止氧化、生锈以及耐腐蚀的作用，所述灌封层为环氧树脂，环氧树脂不仅介电性能好，变定收缩率小，而且制品尺寸稳定性好、硬度高、柔韧性较好,所述硅堆本体内四周都填充环氧树脂层，可以对本体内的二极管起到很好的保护作用，该高压硅堆有电压高、使用寿命长、散热好的优点，具有广阔的市场前景。
一种高压

[实用新型]一种开放性贴片二极管-CN201620108828.3有效
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开放性贴片二极管，涉及二极管领域，包括晶粒、铜引线、跳线和环氧塑封体，所述铜引线包括引线一和引线二，所述晶粒通过环氧塑封体封装，所述晶粒为开放式晶粒，所述跳线的一端连接晶粒上表面，另一端连接引线二的内端面，所述引线一的内端面连接晶粒的下表面，所述晶粒、铜引线和跳线的连接均通过焊料焊接，该种开放性贴片二极管结构简单紧凑，体积小，易于加工且成本低，能够实现自动化焊接，值得推广。
一种开放性二极管

[发明专利]一种汽车整流器-CN201610075442.1在审
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车整流器，涉及电子技术领域，包括蓄电池、超级电容器和过电压保护模块，所述蓄电池、超级电容器和过电压保护模块之间依次串联连接，所述过电压保护模块包括过电压检测单元、保护信号产生单元和脉宽调制单元，过电压检测单元和保护信号产生单元串联连接，保护信号产生单元和脉宽调制单元串联连接，过电压检测单元根据开关电源的输出采样电压，判断所述开关电源输出是否过压；当过电压检测单元判断开关电源输出过压时，产生保护信号；然后，通过控制脉宽调制单元降低开关电源的输出电压，达到了保护电路动态响应快，控制精度高、电路保护及时，保护电池，避免电压过高，保证汽车线路安全。
一种汽车整流器

[发明专利]一种肖特基二极管-CN201610075438.5在审
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管，涉及二极管领域，包括上接触层、下接触层和钝化层，所述上接触层包括半导体基层和肖特基接触层，所述肖特基接触层包括半导体层和金属层，所述半导体基层、半导体层和金属层自上而下层叠设置，所述下接触层包括连接介质层和平面接触体，所述连接介质与金属层粘接，所述钝化层包裹于上接触层和下接触层的两侧，该种肖特基二极管可广泛适用于各种保护二极管的使用场合，且可快速切换，值得推广。
一种肖特基二极管

[发明专利]一种银面高压平面式MOS肖特基二极管-CN201610075435.1在审
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种银面高压平面式MOS肖特基二极管，所述银面高压平面式MOS肖特基二极管包括主芯片、导线、肖特基阴极头、肖特基阳极头和外壳，所述主芯片固定于所述外壳内部，所述肖特基阴极头和所述肖特基阳极头分别通过所述导线连接所述主芯片，所述外壳内部设有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基阴极头一部分可滑动地置于所述第一滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部，所述肖特基阳极头一部分可滑动地置于所述第二滑槽内，另一部分延伸至所述外壳外部。解决了传统的银面高压平面式MOS肖特基二极管，其阳极头和阴极头比较长，在运输或存放过程中容易折弯或折断，大大减少了其使用寿命的问题。
一种高压平面 mos 肖特基二极管

[发明专利]一种弯角恒流二极管-CN201610075439.X在审
发明人：黄仲濬;蒋文甄 -专利权人：泰州优宾晶圆科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种弯角恒流二极管，包括合金电极、硅晶体、焊锡层、外壳、支架和弯角引线，焊锡层另一面设置在硅晶体的底部，焊锡层设置在支架上，以上结构包裹在外壳的内部，合金电极设置在外壳的顶部，弯角引线分为两根，一根设置在合金电极上，另一根设置在外壳的底部，该发明的弯角恒流二极管，其结构简单，能够有效节约成本，在支座过程中能够大幅度减少使用人工。
一种弯角二极管

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