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[发明专利]金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管-CN202311094893.6在审
发明人：柳月波;赖灿雄;廖文渊;杨少华;王宏跃;贺致远 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本申请涉及一种金属电极结构及其制备方法、肖特基势垒二极管，金属电极结构包括基材，所述基材的表面形成有间隔布置的第一圆柱体和第二圆柱体，所述第二圆柱体的顶面分别形成有缺口窗和欧姆接触电极，所述第一圆柱体的顶面形成有第一肖特基接触电极，所述缺口窗的底面形成有第二肖特基接触电极；以及肖特基电极空气桥，所述肖特基电极空气桥的一端与所述第一肖特基接触电极电连接，所述肖特基电极空气桥的另一端与所述第二肖特基接触电极电连接；其中，所述第一肖特基接触电极和所述第二肖特基接触电极均为圆形。能显著减小圆形金属电极的边缘电容对总电容的影响，进而提升器件的截止效率。
金属电极结构及其制备方法肖特基势垒二极管

[发明专利]样气采样装置及气密封元器件内部气氛分析设备-CN202111226491.8有效
发明人：赵昊;彭泽亚;吴谋智;赵振博;周斌;赖灿雄;秦杰 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种样气采样装置及气密封元器件内部气氛分析设备。样气采样装置包括上压块和下压块，上压块设有进气通道，下压块设有用于储存样气的样气腔，下压块与上压块连接，进气通道与样气腔连通，样气腔的体积大小可调；或上压块设有用于与下压块可拆卸连接的连接部，当上压块通过连接部与下压块连接时，进气通道与样气腔连通。气密封元器件内部气氛分析设备包括该样气采样装置。使用样气采样装置进行气体采样时，将下压块与上压块连接以使进气通道与样气腔连通，标准样气通过进气通道进入样气腔内部以使样气腔中储存一定体积的标准样气，气密封元器件内部气氛分析设备的取样装置伸入样气腔，即可获取一定体积的标准样气进行下一步的校准。
采样装置密封元器件内部气氛分析设备

[发明专利]MEMS器件真空度测量方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310446718.2在审
发明人：董显山;黄鑫龙;路国光;周斌;赖灿雄;黄钦文;苏伟 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种MEMS器件真空度测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：获取MEMS器件在真空封装条件下的品质因数；获取MEMS器件在不同气压条件下的品质因数；根据不同气压条件下的品质因数进行拟合，得到拟合方程；基于拟合方程以及真空封装条件下的品质因数进行计算，得到MEMS器件的腔内真空度。整个方案通过测量MEMS器件在不同气压条件下的品质因数，根据不同气压条件下的品质因数进行拟合，得到拟合方程，拟合方程可以准确描述气压与品质因数之间的相关关系，进而根据拟合方程以及真空封装条件下的品质因数进行计算，可以准确地得到MEMS器件的腔内真空度。
mems 器件真空测量方法装置计算机设备存储介质

[外观设计]元器件内部气氛分析仪-CN202330192858.2有效
发明人：周斌;赖灿雄;董显山;彭泽亚;古文刚;黄云;李键坷;肖庆中;罗捷 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：元器件内部气氛分析仪。2.本外观设计产品的用途：用于各种气密封装元器件内部气氛含量测试分析。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
元器件内部气氛分析

[发明专利]分光膜、选择性分光镜、光学设备及分光方法-CN202111502085.X有效
发明人：柳月波;赖灿雄;杨少华;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种分光膜、选择性分光镜、光学设备及分光方法。上述分光膜通过设置成交替层叠的二氧化硅膜层和氮化硅膜层，使其对850nm的光具有高反射率，同时对1550nm的光具有高透射率，对波长为850nm的光和1550nm的光具有高选择性，可用于在空间上分隔开这两种波长的光。选择性分光镜包括镜片基体以及分光膜，分光膜设置在镜片基体上。当光通信系统同时采用波长为850nm和1550nm的两种光在同一光路中进行传输时，上述选择性分光镜可以在接收段将这两种光在空间上分离开，有利于后端接收器分别识别加载于不同波段光束上的信号。
分光选择性分光镜光学设备方法

[发明专利]大功率半导体激光器合束模块的寿命评估方法及评估系统-CN202211680976.9在审
发明人：廖文渊;李树旺;牛皓;赖灿雄;杨少华;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率半导体激光器合束模块的寿命评估方法及评估系统，包括：提供待测大功率半导体激光器合束模块；获取待测大功率半导体激光器子模块在温度应力加速寿命试验条件下的加速因子；基于待测大功率半导体激光器子模块的寿命指标和加速因子，得到加速验证时间；基于加速验证时间对多个待测大功率半导体激光器子模块进行温度应力加速寿命试验；判断在加速验证时间内是否存在待测大功率半导体激光器子模块发生失效；若否，则确定待测大功率半导体激光器子模块的寿命符合寿命指标；若是，则确定待测大功率半导体激光器子模块的寿命不符合寿命指标；进而，在短时间内准确评估合束模块是否符合寿命指标，提高评估效率，降低评估成本。
大功率半导体激光器模块寿命评估方法系统

[发明专利]红外焦平面组件的敏感参数监测方法和装置-CN201811256122.1有效
发明人： 赖灿雄;肖庆中;杨少华;俞鹏飞;恩云飞;黄云;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本申请涉及一种红外焦平面组件的敏感参数监测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：当红外焦平面组件获取到的辐照输入符合稳定条件时，指示红外焦平面组件对提供辐照输入的辐射源进行预设帧数的探测；当红外焦平面组件的上级系统监测到红外焦平面组件通过探测得到的探测数据后，从上级系统获取探测数据；根据探测数据计算红外焦平面组件的敏感参数；保存敏感参数，继续执行当红外焦平面组件获取到的辐照输入符合稳定条件时，指示红外焦平面组件对提供辐照输入的辐射源进行预设帧数的探测的步骤。采用本申请的方案能够实现对红外焦平面组件进行在线的健康状态监测，实用性强。
红外平面组件敏感参数监测方法装置

[发明专利]晶粒转移设备及使用该设备转移晶粒的方法-CN201810007934.6有效
发明人： 赖灿雄 -专利权人：久元电子股份有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种晶粒转移设备，适用于将第一承载片上的多个晶粒转移至第二承载片，包含移动承载装置，及顶触装置。所述移动承载装置包括二相向间隔且可相对平移的承载部，分别用来供第一承载片与第二承载片设置，并让第一承载片上的晶粒位于第一承载片与第二承载片之间。所述顶触装置包括位于第一承载片反向晶粒的一侧的顶触件，所述顶触件能顶触第一承载片让对应的晶粒转移至第二承载片上。此外，本发明还提供一种使用前述晶粒转移设备转移晶粒的方法。省略设置吸取装置，直接通过所述顶触件直接顶触第一承载片让对应的晶粒直接转移至第二承载片的设置面上，能有效降低设备成本还能提高晶粒转移效率。
晶粒转移设备使用方法

[发明专利]转移设备-CN202110826938.9在审
发明人： 赖灿雄;陈光诚;陈扬杰;周维亮;汪秉龙 -专利权人：久元电子股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种转移设备包括：移动放置装置，其用于将第一承载片放置于第一承载区域和将第二承载片放置于第二承载区域，使得第一承载片和第二承载片相向间隔且可相对平移；按压件，其可移动地设置于第一承载区域的背离第二承载区的一侧，按压件用于沿预设移动方向按压第一承载片，使得第一承载片的待顶推的目标物的设置区域靠近第二承载片，预设移动方向为第一承载区域朝向第二承载区域的方向；以及顶推装置，其可移动地设置于第一承载区域的背离第二承载区的一侧，顶推装置包括顶推件，顶推件用于沿预设移动方向穿过按压件以顶推目标物，按压件包括侧壁，侧壁远离第一承载区域的一侧开设有第一缺口，第一缺口用于供顶推装置穿过。
转移设备

[发明专利]器件内部气氛取样夹具及含量测试装置-CN202210162860.X在审
发明人：周斌;郭陈润;赖灿雄;古文刚;黄云;董显山;彭泽亚;李键坷 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件内部气氛取样夹具及含量测试装置。该器件内部气氛取样夹具，包括：底座和样品台，底座上设有第一凹槽，第一凹槽的底壁设有供穿刺针穿过的第一穿刺孔；样品台放置在第一凹槽中，样品台上远离第一穿刺孔的端面设有第二凹槽，第二凹槽的开口处设有密封盖，密封盖与样品台端面密封抵接，第二凹槽与密封盖围成一个密封容纳腔，密封容纳腔用于放置待测器件，第二凹槽的底壁上与第一穿刺孔对应的位置设有供穿刺针穿过的第二穿刺孔，第二穿刺孔与第一穿刺孔连通，穿刺针能够依次穿过第一穿刺孔和第二穿刺孔插入待测器件中。上述的器件内部气氛取样夹具，不需要拆除样品台和底座更换待测器件，大大提高了批量测试器件内部气氛的效率。
器件内部气氛取样夹具含量测试装置

[发明专利]电子元器件瑕疵定位方法及存储介质-CN202011312737.9有效
发明人： 赖灿雄;阮泳嘉;陈选龙;杨少华;李树旺;廖文渊;黄云;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，公开了一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过第一成像技术对瑕疵点所在区域进行成像，获取电子元器件的第二瑕疵图像；根据第二瑕疵图像获取瑕疵点与标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对标志点进行成像，获取标志点的位置信息；根据相对位置信息以及标志点的位置信息确定瑕疵点的位置信息；根据瑕疵点的位置信息，通过第二成像技术对瑕疵点进行刻蚀，获取电子元器件的瑕疵点剖面形貌。本发明可以实现对表面具有明显损伤或表面无损伤形貌的电子元器件内部的瑕疵进行定位，且定位精度高。
电子元器件瑕疵定位方法存储介质

[发明专利]高宽比增大型焊点柱的制备方法、电子器件与红外探测器-CN202210434537.3在审
发明人：柳月波;赖灿雄;廖文渊;牛皓;颜佳辉;陈希宇;李树旺;杨少华;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。
增大型焊点柱制备方法电子器件红外探测器

[发明专利]光纤水听器阵列的可靠性确定方法、装置和计算机设备-CN202210429434.8在审
发明人：李树旺;赖灿雄;路国光;杨少华;黄云 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01H9/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种光纤水听器阵列的可靠性确定方法、装置和计算机设备，所述方法包括：根据获取的待分析光纤水听器阵列的阵列规模信息和复用方式，确定待分析光纤水听器阵列对应的基础节点的类型和各类型的基础节点的节点数目，进而得到待分析光纤水听器阵列对应的基础阵列；基于基础阵列的第一理论寿命指标和待分析光纤水听器阵列的第二理论寿命指标，得到指标映射系数；获取基础阵列实际试验得到的第一试验寿命指标，基于第一试验寿命指标和指标映射系数，得到待分析光纤水听器阵列的第二试验寿命指标，基于第二试验寿命指标，确定针对待分析光纤水听器阵列的可靠性。该方法可提高对光纤水听器阵列的可靠性分析结果的准确性。
光纤水听器阵列可靠性确定方法装置计算机设备

[发明专利]光电探测器寿命评估方法、装置-CN202210419899.5在审
发明人： 赖灿雄;杨少华;李树旺;高汭;肖庆中;廖文渊;柳月波;黄云;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种光电探测器寿命评估方法、装置。通过确定光电探测器的击穿电压以及位于光电探测器的工作电压与击穿电压之间的多个第一测试电压，在多个第一测试电压一一对应的多个光电探测器组中各光电探测器满足预设环境条件下，对各光电探测器施加对应的第一测试电压，按照预设的时间间隔，获取各光电探测器的暗信号值，进一步根据暗信号值以及预设失效暗信号值，确定各光电探测器的有效使用时长，从而根据有效使用时长以及多个第一测试电压，确定寿命评估模型，实现对待评估光电探测器的寿命评估。由于光电探测器在失效机理方面对电场更加敏感，可以加快光电探测器的失效退化，确定寿命评估模型，从而实现对光电探测器寿命的快速评估。
光电探测器寿命评估方法装置

[发明专利]预先老化方法-CN202011215483.9有效
发明人： 赖灿雄;杨少华;李树旺;肖庆中;廖文渊;黄云;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及微光探测器性能表征技术领域，公开了一种预先老化方法。对电子器件提供驱动条件使其处于正常工作状态，通过调节所述电子器件的增益电压以及对所述电子器件的输入光信号的光照强度进行调节，使所述电子器件连续工作在倍增寄存器接近饱和的状态，实现器件增益的快速老化，最终使所述电子器件达至增益稳定状态。对刚生产出来的所述电子器件进行预先老化，使其达至增益稳定状态后再投入实际生产使用。克服了所述电子器件在早期应用中增益稳定性不佳且测试结果偏差较大的问题，便于在连续信号采集应用中获得稳定成像效果。可为所述电子器件的研制生产和性能参数检测提供良好的技术支撑，使其具有良好的工程应用价值。
预先老化方法

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