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[实用新型]挖孔桩护壁机构-CN202320098338.X有效
发明人：周小波;郑官胜;刘建民;李青岭;焦现卿;毛国芝 -专利权人：河南省华兴网络科技有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： E02D5/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了挖孔桩护壁机构，包括护壁板，还包括设置在护壁板的两侧便于与相邻护壁板进行连接的连接机构，所述连接机构包括固定连接在护壁板一侧的T型块，所述护壁板的另一侧开设有T型槽，所述T型块与T型槽相匹配设置，所述T型槽上设有用于对相邻两个护壁板在连接后进行限位的限位机构。本实用新型通过连接机构的设置，在限位机构的限位作用下，将相邻的两个护壁板进行了连接限位，无需使用其他工具，操作简单，实施便捷，提高了对护壁板拼装的效率，同时，也保证了两个相邻护壁板连接时的密封性，避免混凝土在浇注时的溢出。
挖孔桩护壁机构

[发明专利]一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构及工艺制备方法-CN202211742055.0在审
发明人：魏晓光;吴沛飞;张丙可;单云海;李玲;朱涛;严静融;周行;何荧锋;李青岭;武婧敏;阎海亮;白雪;孙俊敏;葛欢 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构，所述栅极结构包括如下模块：(1)注入增强型的JFET区，通过高温注入形成；(2)JFET区中心的沟槽栅氧，通过碳化硅热氧形成，与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接；(3)沟槽栅氧周围设置与JFET区类型相反的PN保护结，通过高温注入形成；(4)JFET区上方设置栅氧层，通过碳化硅热氧形成，与JFET中心沟槽栅氧实现无界面连接，与下方JFET区通过原子级硅氧键连接。本发明基于JFET耗尽过程中的电场变化，提供了一种新型的栅结构，并提供了一套可行性的工艺流程，实现了设计结构的工艺验证。
一种提高耐压通流功率器件栅极结构工艺制备方法

[外观设计]陶瓷杯（荆棘火）-CN202330401889.4有效
发明人： 李青岭 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：陶瓷杯（荆棘火）。2.本外观设计产品的用途：用于茶饮的器具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
陶瓷荆棘

[外观设计]陶瓷杯（星落）-CN202330402601.5有效
发明人： 李青岭 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：陶瓷杯（星落）。2.本外观设计产品的用途：用于茶饮的器具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
陶瓷星落

[外观设计]陶瓷杯（小蜡烛）-CN202330402610.4有效
发明人： 李青岭 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：陶瓷杯（小蜡烛）。2.本外观设计产品的用途：用于茶饮的器具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
陶瓷蜡烛

[发明专利]一种肖特基二极管的元胞结构-CN202310392327.7在审
发明人：朱涛;张丙可;魏晓光;李嘉琳;李玲;周行;赵万利;葛欢;常树丞;阎海亮;李青岭 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种肖特基二极管的元胞结构，属于半导体技术领域，元胞区平面区域包括高掺杂区、肖特基势垒接触区和高肖特基势垒接触区；所述高掺杂区为P型或N型；所述高肖特基势垒接触区不在所述高掺杂区；所述高肖特基势垒接触区与所述肖特基势垒接触区相邻；所述肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基接触的肖特基势垒高度低于所述高肖特基势垒接触区同基底形成的肖特基势垒。本发明通过在常规肖特基势垒接触区域之间引入高肖特基势垒接触区域，减少其漏电流，同时此区域面积较小且易穿通，对正向导通压降的影响较小。
一种肖特基二极管结构

[发明专利]一种手术床-CN202310378406.2在审
发明人：郭进军;李青岭;彭洪;赖苏何 -专利权人：郭进军
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： A61G13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种手术床，属于手术床技术领域。包括台面，所述台面包括设置于一端的头板，所述头板的外侧设有固定于头部上的头箍，所述头箍上设有便于对患者头部万向转动和限位的转动限位机构；所述转动限位机构包括安装体，所述安装体内设有球形安装槽，所述球形安装槽内设有卡接的球体，所述球体的上部与球形安装槽的内侧面贴合，所述球体的下部与球形安装槽内侧面之间设有安装间隙，所述球体的内部中空，且其上端设有中空固定管，所述中空固定管的一端与球体连通，所述中空固定管的另一端与头箍的外表面固定连接。本技术方案用以解决现有技术中设置于手术床上用以对患者进行头部定位和调整的机构结构复杂，难以应用于手术床上的问题。
一种手术床

[发明专利]一种医用器械清洗消毒机-CN202310214615.3在审
发明人：郭进军;李青岭;胡峻;赖苏何 -专利权人：郭进军
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明属于医疗器械技术领域，具体涉及一种医用器械清洗消毒机，包括箱体，箱体设有箱门，箱体内左右两侧均设有圆环，两个圆环之间连接环形网板，环形网板由第一弧形网板以及第二弧形网板构成，第二弧形网板连接有转轴，转轴转动装配在两个圆环之间，转轴设有旋转机构；右侧圆环转动装配在箱体右壁，左侧圆环中部固定有圆形板，圆形板通过转动轴转动装配在箱体左壁，转动轴连接有圆盘，箱体固定有电机；通过一个电机带动环形网板的正向或反向转动，便可以实现对医用器械的消毒以及清洗，与热风机的配合可对清洗完成的器械进行烘干，该装置集消毒、清洗与烘干一体化，清洗消毒效率高，降低工作人员劳动强度。
一种医用器械清洗消毒

[发明专利]一种半导体离子注入机的智能化作业的系统和方法-CN202310269494.2在审
发明人：阎海亮;李玲;魏晓光;朱涛;李青岭;李嘉琳;王锐;杨霏;汪玉;王鑫 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：一种半导体离子注入机的智能化作业系统和方法，所述系统包括：半导体离子注入机、KVM切换器、搭载RPA流程自动化模块的远程操控服务器或电脑；所述离子注入机能够对半导体工艺进行离子注入，被单独操作运行作业；所述KVM切换器用于把离子注入机切换到远程操控端服务器或电脑，通过网络通讯将离子注入机和远程操控端的服务器或电脑串联起来，远程操控服务器或电脑通过KVM切换器控制离子注入机的远程界面；所述RPA流程自动化模块搭载到远程操控端服务器或电脑，包括OCR文字识别单元、流程编辑单元、CV视觉处理单元、Dashboard单元。本发明大幅降低了人工工作的强度和时长、作业时的辐射风险，提升半导体离子注入机的作业效率。
一种半导体离子注入智能化作业系统方法

[发明专利]晶片传送装置、晶片处理系统及方法-CN201710795387.8有效
发明人：陈建志;李仁铎;余瑶民;李青岭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶片传送装置，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。
晶片传送装置处理系统方法

[发明专利]比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品-CN202211734844.X在审
发明人：魏晓光;朱涛;焦倩倩;董佳俊;王锐;阎海亮;李嘉琳;李青岭;李玲;金锐;杨霏 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品，包括：在清洗后的SiC晶圆表面沉积介质膜；在所述介质膜表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行预处理，形成具有预设图案的光刻胶膜，基于所述光刻胶膜对所述介质膜进行腐蚀处理，去除光刻胶膜，形成具有预设图案的介质膜；基于所述介质膜沉积金属层，在预设温度中对金属层进行激光退火处理；通过金属腐蚀液对激光退火后的金属层进行腐蚀处理，得到比接触电阻检测样品。本发明通过在进行光刻处理后的具有预设图案的介质膜上沉积金属层，然后优化了比接触电阻检测样品的制备过程，提升比接触电阻金属区退火均匀性，从而得到较准确的欧姆接触比接触电阻，从而有效的评估激光退火欧姆接触工艺效果。
接触电阻检测样品制备方法

[外观设计]陶瓷杯套件（夏花）-CN202330132503.4有效
发明人： 李青岭 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：陶瓷杯套件（夏花）。2.本外观设计产品的用途：用于茶饮器具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：使用状态参考图。5.其他需要说明的情形套件说明：套件1为杯，套件2为盘。
陶瓷套件夏花

[发明专利]一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构-CN202211350789.4在审
发明人：焦倩倩;朱涛;董佳俊;王锐;李青岭;李嘉琳;阎海亮;杨霏;李玲;魏晓光;王鑫;金雨楠 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底减薄碳化硅芯片制备方法及碳化硅背面结构，包括：基于两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行打磨减薄处理后得到碳化硅减薄损伤层；对碳化硅减薄损伤层进行抛光处理；在抛光处理后的碳化硅晶圆背面采用激光退火制备欧姆接触层，并在所述欧姆接触层上沉积金属加厚层；对碳化硅晶圆正面进行机械划片，将所述碳化硅晶圆裂片分离成单个小芯片。本发明先通过两种规格的磨轮对碳化硅晶圆背面进行减薄处理，再对减薄得到的碳化硅减薄损伤层进行抛光处理，可有效降低晶圆翘曲释放应力，从而降低碎片率，为后续采用机械划片提供了可能，避免了使用激光划片存在工艺不稳定和芯片良率低的问题，进一步的提高了整个工艺的稳定性和芯片良率。
一种衬底碳化硅芯片制备方法背面结构

[发明专利]一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法及相关设备-CN202211118561.2在审
发明人：董佳俊;李青岭;赵万利;李旭晗;王锐;常树丞;魏晓光;金锐;汪玉;王鑫 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加碳化硅台阶金属层覆盖厚度的方法，所述方法包括如下步骤：金属淀积，对完成介质层台阶蚀刻的碳化硅晶圆进行溅射形成金属层；反溅射，采用氩离子轰击所述金属层以消除台阶间的封口；重复所述金属淀积和反溅射直至碳化硅台阶覆盖厚度达到设计要求。本发明通过反溅射对台阶上部和台阶间槽口的金属层进行刻蚀以达到清除台阶间槽口的金属层以避免槽口过早闭合；通过多次金属淀积和反溅射的循环加工实现了提高台阶底部填充厚度避免槽口封闭的有益技术效果。
一种增加碳化硅台阶金属覆盖厚度方法相关设备

[实用新型]一种通信线缆自动铺设布线装置-CN202222158030.8有效
发明人：刘书民;蒋福维;李青岭;刘建民 -专利权人：河南省华兴网络科技有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H02G1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通信线缆自动铺设布线装置，涉及通信线缆技术领域，具体为种通信线缆自动铺设布线装置，包括电线杆，所述电线杆的一侧设置有双排轮板，所述双排轮板的另一侧设置有单排轮板，所述双排轮板的上下方设置有被动滚轮，所述单排轮板的中部设置有主动滚轮，所述主动滚轮的一侧固定连接有抱闸减速电机。通过被动滚轮、主动滚轮、抱闸减速电机和滑块的配合设置，使该通信线缆自动铺设布线装置具备了不需要工人爬到电线杆上固定通信线缆且效率高工作强度低的效果，通过电磁铁、减速马达和锁紧套的配合设置，使该通信线缆自动铺设布线装置具备了不需要工人高空手动拧紧螺钉且效率高不存在安全隐患的效果。
一种通信线缆自动铺设布线装置

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