专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种无损伤等离子体表面改性装置和方法-CN202310498989.2在审
  • 崔伟胜;张若兵 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2023-05-06 - 2023-08-29 - H05H1/24
  • 一种无损伤等离子体表面改性装置和方法,包括高压电极、直流脉冲电压电极及多孔地电极;其中,高压电极与多孔地电极之间施加交流电压或脉冲电压以生成等离子体,等离子体中的电子、离子和自由基可穿过多孔地电极;其中,直流脉冲电压电极与多孔地电极之间施加指向多孔地电极的脉冲电场,在脉冲持续时间,电子在电场作用下向待处理样品轰击,在样品表面形成激发态和/或未成键粒子,而脉冲间隙时间,吸附在样品表面的电子与多孔地电极之间会形成指向样品的反向电场,离子和/或自由基运动到样品表面,与样品表面的激发态和/或未成键粒子发生键合,从而在接枝形成基团时避免对样品表面造成物理刻蚀损伤。
  • 一种损伤等离子体表面改性装置方法
  • [发明专利]一种离子注入剂量测量方法-CN202310488061.6在审
  • 崔伟胜;张若兵 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2023-04-28 - 2023-08-01 - G01T1/02
  • 一种离子注入剂量测量方法,用于在离子注入装置对被处理物完成离子注入后的离子注入剂量的测量,该装置包括交流高压电极、直流负电压电极以及多孔地电极,被处理物放置在直流负电压电极朝向多孔地电极设置的阻挡介质上;测量方法包括:获取在直流负电压电极上施加的电压值,以及直流负电压电极与被处理物离子注入后上表面电荷层之间的电容值;根据电压值和电容值计算注入被处理物的电荷量;根据电荷量确定离子注入剂量。本发明通过离子注入前后的系统稳态参数计算离子注入剂量,无需测量离子注入过程中的暂态参数,解决了传统离子注入测量方法需对注入电流实时高精度检测,技术要求难度大、成本高的问题,可极大降低离子注入技术的应用成本。
  • 一种离子注入剂量测量方法
  • [发明专利]一种高压脉冲电源及其控制方法-CN202310443154.7在审
  • 张若兵;庄力;赵子新;王竞泽 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2023-04-24 - 2023-07-14 - H03K3/02
  • 本发明公开了一种高压脉冲电源及其控制方法,包括驱动电路、压变电压器、输入采样电路、输出采样电路、控制器,其中,驱动电路与压变电压器串联连接;驱动电路用于根据控制信号将直流电压逆变为谐振电压,并将谐振电压用于输入压电变压器;输出采样电路用于采集压电变压器输出的电压;输入采样电路用于采集输入到压电变压器谐振支路的电流;控制器用于接收输出采样电路采集的电压和输入采样电路采集的电流,生成并发送控制信号至驱动电路,对压电变压器的工作频率加以控制,使其跟踪压电变压器谐振支路的谐振频率;压电变压器用于输出脉冲波形。保持压电变压器的输出接近于脉冲波形,实现较高的输出电压,并减小高压脉冲电源的体积。
  • 一种高压脉冲电源及其控制方法
  • [发明专利]一种小型化触屏高压脉冲电源-CN201611249724.5有效
  • 张若兵;张星;张科;李爽;汪珊珊 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2016-12-29 - 2023-07-07 - G05B19/042
  • 本发明涉及一种小型化触屏高压脉冲电源,包括:人机交互触摸屏主机,与该主机串行通讯的FPGA控制器,依次连接的高压直流电源模块、脉冲成型模块和脉冲整形升压模块,各模块由FPGA控制器分别控制,该脉冲整形升压模块输出端作为脉冲电源的输出端;以及连接于脉冲电源的输出端和负载之间的自适应匹配模块;FPGA控制器根据负载的特性数据,自动调节该匹配模块中的可变电容和/或可变电感,使脉冲电源输出端与负载匹配运行。本电源可以产生脉冲宽度1μs‑100μs,重复频率可调节高达100kHz,输出峰值电压0‑100kV的可调节重复频率高压脉冲。本电源运行稳定,具有高精度、抗干扰、结构紧凑等特点。
  • 一种小型化高压脉冲电源
  • [发明专利]一种大尺度等离子体射流生成装置及方法-CN202310479541.6在审
  • 张若兵;崔伟胜;柴立 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2023-04-28 - 2023-06-30 - H05H1/26
  • 一种大尺度等离子体射流生成装置及方法,该装置包括射流管和射流腔室,射流管的出口位于射流腔室内,射流腔室具有排气结构和环境气体进气结构,环境气体进气结构用于向射流腔室内引入环境气体,射流管喷出的工作气体在射流腔室内形成向射流管的出口处流动的环流,且环境气体流入射流腔室后在环流的作用下向射流管出口处流动,改变射流管出口附近的气体组份及流场分布,从而形成大尺度等离子体射流。本发明通过设置射流腔室以及在射流腔室增加环境气体进气结构,在形成气体环流的同时改变射流管出口附近的气体组分,形成大尺度等离子体射流,提升等离子体作用于被处理物时的处理面积,降低应用成本。
  • 一种尺度等离子体射流生成装置方法
  • [发明专利]一种等离子体射流产业应用装置和方法-CN202310499427.X在审
  • 崔伟胜;张若兵 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2023-05-06 - 2023-06-30 - H05H1/24
  • 本发明公开了一种等离子体射流产业应用装置和方法,该装置包括连通在一起而形成一个气体循环系统的组分注入及调节腔、放电腔、压强平衡腔和气体循环动力装置,组分注入及调节腔用于向气体循环系统内注入工作气体及气体组分的实时调节,保持工作气体组分稳定,在放电腔内生成弥散状等离子体射流,压强平衡腔用于平衡气体循环系统内的压强,气体循环动力装置用于提供气体循环的动力,重复利用工作气体,避免常规开放环境等离子体射流生成时稀有气体损耗。本发明通过在封闭系统内注入工作气体并设置气体循环动力装置,大幅降低等离子体射流生成成本,为等离子体射流产业应用提供条件。
  • 一种等离子体射流产业应用装置方法
  • [发明专利]一种谐波电流快速采样方法-CN202211597550.7在审
  • 张若兵;庄力;赵子新;王竞泽 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2022-12-12 - 2023-04-18 - G01R19/00
  • 本发明公开了一种谐波电流快速采样方法,包括:A1、对用电器件的谐振支路电流在一个工作周期内进行六次电流采样,采样间隔相位为1/12,获得六个采样点的电流采样值;A2、确定所述六个采样点的电流采样值与基波、二次谐波、三次谐波的幅值及谐波与基波之间的相对相位的关系;A3、根据所述六个采样点的电流采样值与基波、二次谐波、三次谐波的幅值及谐波与基波之间的相对相位的关系,利用所述六个采样点的电流采样值,计算基波与谐波的幅值以及谐波与基波之间的相对相位。本发明不需要保证每次采样的初始相位相同,能够满足高采样频率条件下谐波电流分解的准确性和实时性。
  • 一种谐波电流快速采样方法
  • [发明专利]一种离子注入装置和方法-CN202210887666.8在审
  • 张若兵;崔伟胜 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2022-07-26 - 2022-11-11 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种离子注入装置和方法,所述离子注入装置包括相互平行设置的上电极、多孔电极和下电极,多孔电极位于所述上电极和所述下电极之间,上电极连接交流电压,多孔电极接地,下电极连接直流脉冲负电压,在上电极和多孔电极之间为等离子体生成区,在多孔电极和下电极之间为离子注入区。本发明实现了等离子体生成区和离子注入区的物理隔离,从而避免了等离子体物理刻蚀对被处理样品的表面损伤及化学结构改变。
  • 一种离子注入装置方法
  • [发明专利]非接触式交直流悬浮导体电位测量系统及方法-CN202110561041.8有效
  • 漆照;刘辉;张若兵;赵子新;王传帅;张震 - 山东中实易通集团有限公司
  • 2021-05-21 - 2022-11-11 - G01R19/00
  • 本公开提出了非接触式交直流悬浮导体电位测量系统及方法,包括:环境探测模块、非接触式电压测量模块及控制模块;环境探测模块,用于感应出在不同电场类型下的信号;非接触式电压测量模块,以一定频率通过非接触的方式在与被测导体连线方向往复振动,与被测导体之间的分布电容值随之变化,从而感应出的电荷量发生变化;控制模块被配置为接收环境探测模块的输出信号并自动识别出所处的电场类型,控制电机旋转使得非接触式电压测量模块工作,并基于该模块的反馈信号计算电压值。利用系统中的交直流电场测量模块探测现场环境中的电场类型,从而控制振动式电极片的振动与否,达到自动切换测量模式的目的。
  • 接触直流悬浮导体电位测量系统方法
  • [发明专利]三维等离子体射流自动控制系统-CN202210097793.8在审
  • 张若兵;赵子新;郭新正;王竞泽 - 清华大学深圳国际研究生院
  • 2022-01-27 - 2022-04-29 - H05H1/00
  • 本发明公开了三维等离子体射流自动控制系统,包括:上位机,供用户进行参数设置并下发参数信息;连接于上位机的主控制器,接收来自上位机的参数信息并据此产生控制信号;连接于主控制器的三轴导轨控制系统和高压电源状态控制器,三轴导轨控制系统具有由多个导轨单元组合搭建而成的三轴导轨模块,可供固定被处理样品或等离子体射流装置的射流管;三轴导轨控制系统被配置为在控制信号的控制下,控制三轴导轨模块带动被处理样品或射流管根据预设参数移动,以进行处理距离和/或处理区域可控的样品处理;高压电源状态控制器被配置为可与等离子体射流装置的电源参数控制端连接,以根据从上位机接收的参数信息进行等离子体射流装置的电源参数控制。
  • 三维等离子体射流自动控制系统

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