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[发明专利]氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统-CN202010384551.8有效
发明人：周平华;李飞 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统，能够实现对氢离子注入剂量变化的检测，从而提高薄膜转移的质量，提高半导体器件的制备良率。其中，所述氢离子注入剂量检测方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内注入有氢离子，形成有氢离子注入层；检测所述氢离子注入层的厚度变化，并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化
氢离子注入剂量检测方法以及系统

[发明专利]离子注入方法以及离子注入装置-CN201310294160.7在审
发明人：二宫史郎;越智昭浩 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01J37/304 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置，其能够进行有效的离子注入。本发明的离子注入方法为基于混合式扫描的离子注入方法。该离子注入方法具有：预先设定离子注入时离子束的扫描速度以及物体的扫描速度的工序；及根据所设定的离子束的扫描速度以及物体的扫描速度而注入离子的工序。预先设定工序根据按照被离子照射的物体的表面形状而变化的离子束的各扫描振幅来设定多个离子束的扫描速度，以确保离子束的扫描频率恒定，并且设定与离子束的扫描速度对应的物体的扫描速度，以确保注入到物体表面的每单位面积的离子注入量恒定
离子注入方法以及装置

[发明专利]一种部分耗尽的绝缘层上硅MOS晶体管的制作方法-CN200910109443.3有效
发明人：张盛东;廖聪维;韩汝琦 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2009-08-15 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种PD SOI MOS晶体管的制作方法，包括在SOI硅片上定义有源区并形成栅电极后进行掺杂的过程，该过程包括：A.以栅电极为掩膜进行倾斜离子注入，注入的杂质类型为与SOI硅片硅膜层内本底杂质类型相同的第一类杂质；B.以栅电极为掩膜进行常规离子注入，注入的杂质类型为与所述第一类杂质类型相反的第二类杂质；C.在栅电极两侧形成侧墙层；D.以栅电极和侧墙层为掩膜进行倾斜离子注入，注入的杂质类型为第一类杂质，且设置离子注入能量大于步骤A中的倾斜离子注入能量；E.以栅电极和侧墙层为掩膜进行常规离子注入，注入的杂质类型为第二类杂质。
一种部分耗尽绝缘层上硅 mos 晶体管制作方法

[发明专利]一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法-CN201711222270.7在审
发明人：王弋宇;吴佳;周正东;张文杰;刘东;杨程;史晶晶;李诚瞻;吴煜东 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。
掩膜离子碳化硅材料第一层陡直性选择性离子注入高能离子碳化硅去除离子注入掩膜表面沉积高温离子光刻显影掩膜表面制备工艺光刻胶侧壁沉积光滑刻蚀面刻显影匀光清洗阻挡

[发明专利]离子注入浓度检测方法及不同离子机台离子注入浓度一致性的评测方法-CN201711236642.1在审
发明人：张磊;杜在凯;高永辉;侯婧文;周文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及离子注入浓度的检测方法，包括以下步骤对晶圆进行离子注入；刻蚀离子注入区的晶圆到目标深度，在该处形成一定厚度的氧化膜，根据氧化膜的生长速率判断该处的离子注入浓度。本发明的检测方法能够准确地判断离子注入浓度和不同深度的离子注入浓度的大小，并且能够用于判断不同的离子注入机台/程序的一致性。
离子注入浓度检测方法不同机台一致性评测

[发明专利]一种监控Ge离子注入质量的方法-CN201710146467.0有效
发明人：王梦慧;张立;赖朝荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
一种监控 ge 离子注入质量方法

[发明专利]一种通过SIMS对超低温离子注入设备监测的方法-CN202111594109.9有效
发明人：关天祺;王振辉;肖嘉星;孙世豪;张晓伟;雷晓刚;查泽奇;张欣;王亚;张彦彬;张林凯;刘金涛;郑皓文;侯爽 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供一种通过SIMS对超低温离子注入设备监测的方法，其适用于超低温离子注入设备；其包括晶圆W1在基准机台上进行离子注入、取样之后，利用二次离子质谱仪进行检测，以及包括晶圆W2在待测机台上进行离子注入、取样之后，利用二次离子质谱仪进行检测；此后将二者的检测结果进行处理、分析，进而判定待测机台的工艺环境是否合格。本发明方法可以定期监测，实现了对超低温离子注入过程中的水汽或二氧化碳等气体含量是否存在的监测；依据监测结果，可以调整机台工作状态。
一种通过 sims 超低温离子注入设备监测方法

[发明专利]离子注入方法及离子注入系统-CN202010000507.2有效
发明人：艾义明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入方法及离子注入系统，离子注入方法包括如下步骤：提供晶圆，晶圆内形成有若干个沟道孔，且位于晶圆中心区域的沟通孔与晶圆的表面相垂直，位于晶圆边缘区域的沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜小于90°的角度；使晶圆沿第一方向进行弧形往返运动，并沿第二方向向晶圆内进行离子注入，第一方向与第二方向相垂直。本发明的离子注入方法在沿第二方向进行离子注入过程中使晶圆沿垂直第二方向的第一方向做弧形往返运动，可以确保离子能够注入至各沟道孔的底部，使得各沟道孔底部的离子注入量相同，消除了晶圆不同区域内沟道孔相较于垂直于晶圆表面的方向倾斜程度不同而对离子注入效果造成的影响
离子注入方法系统

[发明专利]多次离子注入的方法-CN201310066357.5有效
发明人：李志国 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提出一种多次离子注入的方法，在多次离子注入时通过限制相邻离子注入的排队时间降低每次离子注入后光阻收缩变形的程度，使所述光阻能够保护所述隔离层，进而防止离子注入区域不断扩大，避免注入的离子渗透入隔离层造成半导体器件失效
多次离子注入方法

[发明专利]寄生NPN晶体管制造方法及结构-CN200710093954.1有效
发明人：王乐;雷明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种寄生NPN晶体管制造方法及结构，通过在NPN晶体管的基区窗口内，采用轻掺杂工艺离子注入N型杂质，改变了NPN晶体管的结构，从而相当于在其中产生一个纵向PNP晶体管，从而实现可在不影响BCD在本发明中，所述离子注入N型杂质包括两次离子注入过程：一次为采用轻掺杂工艺离子注入P型杂质；还有一次为采用大角度工艺离子注入N型杂质。
寄生 npn 晶体管制造方法结构

[发明专利]带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机-CN202111115246.X在审
发明人：马欣新 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机，涉及等离子体源离子注入机。为了解决单真空室等离子体源离子注入机生产效率低的问题。本发明带准备室直线传递工件等离子体源离子注入机由准备室、注入室和工件转换室构成；或带准备室交叉传递工件等离子体源离子注入机由准备室、注入室和工件转换室构成；本发明设置专门的注入室始终保持高真空状态，可忽略预抽背底真空的时间，双室离子注入机能够大幅度缩短生产周期，准备室和注入室结构基本相同，在需要超长时间离子注入的场合，可单独使用。本发明适用于离子注入。
准备直线交叉传递工件等离子体离子注入

[发明专利]一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法-CN201410662340.0有效
发明人：庄彤;丁明建;李杰成;李锦添;杨俊峰 -专利权人：广州天极电子科技有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01C17/075 文献下载
摘要：本发明公开一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法，将需要注入氮离子的氮化钽薄膜电阻放置于离子注入设备的工件放置区，将离子注入设备抽真空达到1.0×10‑4‑1.0×10‑5Pa之间，向离子注入设备中充入纯度大于等于99.99%的高纯氮气，使离子注入腔体的真空度维持在0.1‑10Pa之间，启动注入电源，氮气电离，氮离子进入氮化钽薄膜，即完成注入，关闭离子注入电源，腔体继续充入氮气直到1.01×105Pa，打开腔体，取出薄膜电阻器；该离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法通过离子注入调控N原子的含量，从而达到控制氮化钽薄膜电阻器电阻值的目的。
一种离子注入调控氮化薄膜电阻阻值方法

[发明专利]基底处理装置及离子注入器的调整方法-CN202111563376.X在审
发明人：温炫博;陈松辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本公开提供一种基底处理装置及离子注入器的调整方法。该基底处理装置包含一离子注入器以及一处理器，该处理器与该离子注入器相关联。该离子注入器经配置以使用一离子束将多个离子注入到一基底中。该处理器经配置以监控该离子束的一初始注入轮廓并调整该离子注入器，以依据该初始离子轮廓以及一预期离子轮廓提供具有该预期注入轮廓的该离子束。
基底处理装置离子注入调整方法

[发明专利]离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法-CN201410098578.5有效
发明人：国子明;王毅;郭国超;姚雷;郝志 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法，其中，所述离子注入机的工艺能力的监控方法包括提供一裸片晶圆；在裸片晶圆上依次沉积氧化层和多晶硅层；对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆；测试测试晶圆的电阻值，并判断该电阻值是否符合控制要求；其中，进行离子注入时对离子注入机的聚焦电压进行了设置。在本发明提供的离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法中，通过在裸片晶圆上依次形成氧化层和多晶硅层，并对多晶硅层进行离子注入以形成测试晶圆，测试测试晶圆的电阻值能够对离子注入机的工艺能力实现有效地监控，而在离子注入时通过调节聚焦电压提高多晶硅栅极离子注入工艺的稳定性亦是本发明的内容之一。
离子注入工艺能力监控方法

[发明专利]一种合金钢表面强化方法和合金钢-CN201910636049.9在审
发明人：邢志国;王海斗;马国政;黄艳斐;郭伟玲;金国;董美玲;李彩云 -专利权人：中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种合金钢表面强化方法，包括：在氮气气氛下，先采用Ti靶材对合金钢基材进行一次离子注入，得到离子注入基材；再采用Cr靶材对所述离子注入基材进行二次离子注入，完成合金钢表面的强化处理。本发明利用金属Ti和Cr复合离子注入过程中产生的晶格畸变、合金钢表面较高的C浓度与注入离子间的合金化作用形成的陶瓷相以及表面引入压应力的作用，提高低碳合金钢表面的硬度，改善其耐磨性与抗疲劳性能。
合金钢表面合金钢基材离子低碳合金钢合金化作用抗疲劳性能耐磨性复合离子晶格畸变强化处理一次离子注入离子陶瓷相压应力靶材制备金属引入