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[实用新型]一种基于双控模式下的事故排风系统-CN202321290541.3有效
发明人：方庆;刘先成;胡九宇;刘朝晨;陈亮;韩文武;王宇;赵路;张坤;朱峰;陈立乐;刘永;田志;马曙光;赵昆龙 -专利权人：安徽中烟工业有限责任公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于双控模式下的事故排风系统，包括：主电源开关QF1、手自动旋钮SB4、手动控制电路、智能控制电路、电源指示灯、运行指示灯、故障指示灯、热继电器KH1、事故排风电机、事故排风管道；其中，手动控制回路包括：交流接触器KM1、手动启动按钮、手动停止按钮、运行指示灯、热继电器KH1、事故排风电机；智能控制模式回路包括：主开关QF1、主开关QF2、智能定时开关、交流接触器KM2、热继电器KH1、手自动选择旋钮、事故排风电机。本实用新型能通过手自动模式结合，从而能实现多功能、智能化的事故排风。
一种基于模式事故系统

[实用新型]一种可拆卸穿戴式风扇-CN202320920012.0有效
发明人：田志;杨广 -专利权人：深圳市锐舞数码科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可拆卸穿戴式风扇，包括电源组件、第一风扇组件以及第一连接带，电源组件包括第一壳体以及设置于第一壳体内的电池、电路板，电池与电路板电连接，第一风扇组件包括第二壳体以及设置于第二壳体内的第一风机，第一连接带内设有第一导线，电路板通过第一导线与第一风机电连接，第一连接带的两端分别可拆卸连接于电源组件的一端、第一风扇组件的一端。本实用新型能够提高穿戴式风扇产品的穿戴可靠性以及舒适性，且便于连接带的清洗和更换；此外能够便于更换电源组件以达到持久续航的目的，还可根据需要增加或减少风扇组件的数量，实现不同场景的使用需求。
一种可拆卸穿戴风扇

[发明专利]力控系统温度补偿装置及方法-CN202310770503.6在审
发明人：韩乐;郑林卫;郑劼;王哲来;田志 -专利权人：宁波尚进自动化科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种力控系统温度补偿装置及方法，力控系统包括压力值输入模块、主控模块、音圈电机、压力输出机构，主控模块内存有预设温度和基准音圈电流计算函数，根据输入的目标焊接压力计算基准音圈电流并发给音圈电机。温度补偿装置包括温度采集模块、配置文件数据库、补偿控制模块；配置文件数据库内存有反映焊接压力与音圈电机温度、音圈电流映射关系的拉格朗日插值多项式函数；补偿控制模块根据接收到的当前温度和目标焊接压力，调用配置文件数据库计算目标音圈电流，并获取基准音圈电流，作绝对差值得到温度补偿电流，发给音圈电机补偿。本发明可改善输出焊接压力随着环境温度变化的波动范围，提高输出稳定性和精度。
系统温度补偿装置方法

[发明专利]高压器件及其制造方法-CN202310789814.7在审
发明人：田志;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压器件及其制造方法，通过在漏极区设置第一隔离结构和第二隔离结构，在器件导通时，漏极区的电流沿着第一隔离结构和第二隔离结构的底部流动，可以使漏极区的电流的横向路径得到扩展，并且由于第二隔离结构的底表面高于第一隔离结构的底表面，使得第二隔离结构的底表面与第一隔离结构的底表面之间呈台阶状，可以减少隔离结构的底部的角度对漏极的电流的影响，并且可以增加电流的密度，从而改善器件的可靠性。
高压器件及其制造方法

[发明专利]电力运行维护支撑装置-CN202310300447.X在审
发明人：张建;程旭;李宁;何明亮;张晓霞;田志;郭立国;高冰;张宇琦;宋奎琦;徐向阳;卢景才 -专利权人：国网河北省电力有限公司衡水供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了电力运行维护支撑装置，属于杆塔维护技术领域，包括：卡件、伸缩缸和控制泵。卡件用于安装在杆塔上。伸缩缸用于固定在操作者上，并且伸缩缸与卡件可拆卸连接。控制泵与伸缩缸连通，控制泵用于改变伸缩缸的长度。伸缩缸借助卡件用于支撑操作者，且控制泵通过伸缩缸用于改变操作者与杆塔之间的距离。本发明提供的电力运行维护支撑装置通过控制泵和伸缩缸的配合，使操作者能够与杆塔保持一定的距离，从而方便了对杆塔的维护，更为重要的是，降低了劳动强度，保证了安全性。
电力运行维护支撑装置

[发明专利]杆塔载荷预警方法、装置、终端及存储介质-CN202310354385.0在审
发明人：程旭;刘彬;李宁;李丹煜;卢景才;杨知;田志;杨加伦;王晓瀛;汉京善;柳锦龙;王剑;王鹏;张思航;张建;郭立国 -专利权人：国网河北省电力有限公司衡水供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G08B21/18 文献下载
摘要：本发明涉及杆塔防护技术领域，尤其涉及一种杆塔载荷预警方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先获取多个因素数据集；然后对多个因素数据集进行特征提取和加权处理获得因素向量；接着确定与因素向量距离最小的类中心作为目标类中心；最后根据目标类中心、影响类的类半径以及因素向量与目标类中心之间的距离，确定载荷预警等级。本发明基于因素数据集采用相关性分析的方法确定特征滤波向量，基于滤波向量提取有用的特征，并基于特征构建线性载荷模型，通过载荷模型确定各个特征的系数，构架因素向量，最后通过归类的方法，根据所属类确定预警等级，因此，预警等级划分更科学，更有依据，从而解决了外部因素带来的风险量不容易被确定的问题。
杆塔载荷预警方法装置终端存储介质

[发明专利]一种氮-镍-铜掺杂的碳材料及其制备方法与应用-CN202310818792.2在审
发明人：王莎莎;田志;任斌;许跃龙;翟作昭;朱红萍;赵九平 -专利权人：河北省科学院能源研究所;河北宝力工程装备股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明属于橡胶添加剂技术领域，本发明公开了一种氮‑镍‑铜掺杂的碳材料及其制备方法与应用。制备方法包括如下步骤：(1)将碳源、氮源、羟基活化催化剂、交联剂、造孔剂和水混合，经水热反应得到半固体凝胶；(2)将半固体凝胶、铜源、镍源和水混合，经水热反应得到凝胶；(3)将凝胶顺次进行冷冻干燥和碳化得到氮‑镍‑铜掺杂的碳材料。本发明所得氮‑镍‑铜掺杂的碳材料作为橡胶补强剂制备得到的橡胶止水带具有优异的力学性能和耐候性，可以满足更高要求橡胶制品的应用。
一种掺杂材料及其制备方法应用

[发明专利]输电线路舞动破坏风险评估方法、装置、终端及存储介质-CN202310250855.9在审
发明人：程旭;李丹煜;李宁;刘彬;刘兆威;张宏杰;王红军;李晨;王鹏;张国强;田志;汉京善;姜昂;白龙;卢景才 -专利权人：国网河北省电力有限公司衡水供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06Q10/0635 文献下载
摘要：本发明涉及输电线路维护技术领域，尤其涉及一种输电线路舞动破坏风险评估方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先获取多个因素集；然后根据所述多个因素集以及多个历史覆冰数据包，获取表征未来覆冰情况曲线的覆冰数据集；接着根据线路结构、气象预测数据以及所述覆冰数据集，确定表征导线舞动强度曲线的舞动数据集；最后根据所述气象预测数据以及所述舞动数据集，确定输电线路的风险。本发明实施方式采用滤波算子分析影响覆冰情况的因素，因此可以发现包括累积量、变化量影响覆冰情况的因素；通过舞动数据和气象条件构建向量，通过归类到此前采用聚类方法获得的风险类，评估舞动带来的风险。
输电线路舞动破坏风险评估方法装置终端存储介质

[发明专利]一种高压输电线用自动悬挂传输装置-CN202310250541.9在审
发明人：程旭;刘兆威;谢达;卢景才;李宁;佘凯;王晓瀛;李安昌;高冰;何明亮;田志;徐宽红;李涛;侯乃谦 -专利权人：国网河北省电力有限公司衡水供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压输电线用自动悬挂传输装置，属于输电线检修设备技术领域，包括悬挂夹钳、滑轮、第一软绳，闭锁机构、锁紧夹钳、撞销和第二软绳；悬挂夹钳包括支架和两个相对设置的悬挂钩，滑轮安装在支架的底部；第一软绳绕设在滑轮上，第一软绳的一端固定在绝缘软梯上；闭锁机构包括两个连杆，两个连杆通过转轴转动连接，转轴上开设有导向通孔；锁紧夹钳包括两个位于悬挂夹钳内侧且交叉布置的锁紧钩，两个锁紧钩分别与两个悬挂钩固定连接，两个锁紧钩的上端配合夹持撞销；第二软绳穿过导向通孔与撞销固定连接。本发明提供的一种高压输电线用自动悬挂传输装置，解决了与输电线挂摘不便的问题，提高了工作效率，降低了作业风险。
一种高压输电线自动悬挂传输装置

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201911255220.8有效
发明人：官郭沁;邹荣;田志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制造方法，在本发明提供的阻变存储器及其制造方法中，通过在半导体衬底表面形成第一电极，在所述第一电极上形成插层；在所述插层上形成阻变层；在所述阻变层上形成阻挡层以及在所述阻挡层上形成第二电极。所述插层能够与所述阻变层配合形成较好的器件性能，能够通过所述插层调制阻变存储器的初始电阻，从而能够增大所述阻变存储器的存储窗口，由此改善所述阻变存储器的工艺均匀性以及性能。
存储器及其制造方法

[发明专利]一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构-CN202010213145.5有效
发明人：田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构，凸出于有源区表面平行分布的多个鳍结构；鳍结构的左右两个侧壁及顶部覆盖有浮栅，覆盖部位为沿鳍结构长度方向的一部分；覆盖部分为分散结构；分散结构由自下而上多个等间隔分布的叠层组成；并且相邻两个鳍结构之间各自的侧壁共用一个分散结构。本发明的鳍型结构可以增加相邻浮栅极之间的距离，降低之间的耦合电容，降低相互单元之间的互扰，增加耦合率。有利于增加漏极电压，提高编程速度；有利于进一步降低栅极电压。结合约束鳍型结构的高编程效率可以为后续的闪存单元继续缩减提供更多的优化选择。
一种提高约束结构闪存单元耦合器件

[发明专利]楔焊键合头装置-CN202311030005.4在审
发明人：韩乐;田志;覃冰梅;郑林卫;王哲来;蔡金成 -专利权人：宁波尚进自动化科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种楔焊键合头装置，包括键合头座、上线夹机构、下线夹机构、劈刀。下线夹机构包括下线夹座、线夹片、驱动件，线夹片置于劈刀一侧且两者间形成穿线空隙。所述下线夹座包括用于固定线夹片的前座和用于固定驱动件的后座，前座与后座之间前后摆动连接；所述前座上沿前后方向固定穿设有驱动顶杆，所述驱动件输出端具有与驱动顶杆顶推接触的顶推状态和与驱动顶杆分离的自由状态，当驱动件输出端处于顶推状态时，前座相对后座摆动致使线夹片相对劈刀打开；所述下线夹机构还包括始终作用于前座上使前座具有反动摆动趋势的弹性件。本结构可提高线夹关闭力稳定性，提升键合机自动焊线的稳定性与可靠性。
楔焊键合头装置

[发明专利]一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件-CN202010164411.X有效
发明人：田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本发明提供了一次性可编程器件的制造方法及一次性可编程器件，包括：有源区、位于有源区一侧的浅沟槽隔离结构、位于有源区上的第一氧化硅层、位于浅沟槽隔离结构和第一氧化硅层上的栅极结构、位于栅极结构两侧的侧墙、依次位于栅极结构上的难熔硅化物层和第二氮化硅层，以及连接难熔硅化物层的接触孔，浅沟槽隔离结构表面高于所述第一氧化硅表面。阴极端放置在浅沟槽隔离结构区域，阳极端放置在有源区，由于浅沟槽隔离结构区域和有源区形成了台阶，难熔硅化物层也形成台阶，在台阶处难熔硅化物的晶粒尺寸与平面处存在差异，有利于阴极端金属离子的迁移，迁移后的金属离子不易重新返回阴极端，提高了可靠性。
一次性可编程器件制造方法

[发明专利]一种缓蚀性能优异的环保型无磷阻垢分散剂-CN202211348760.2有效
发明人：赵建林;赵宝文;田志;张阳光;闫美芳;高玉华;张兴;刘斌;国彤;陈健;朱红萍;赵九平 -专利权人：河北宝力工程装备股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C02F5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种缓蚀性能优异的环保型无磷阻垢分散剂，由质量比32‑47：10‑20：98‑102：8‑12的衣康酸‑甲基丙烯磺酸钠、聚环氧琥珀酸、葡萄糖酸钠和烷基醇酰胺组成。本发明的水处理药剂组分无磷，阻垢分散性能良好，且各组分之间的协同增效作用保证其在复杂水质中具有高缓蚀性能。
一种性能优异环保型无磷阻垢分散剂

[发明专利]闪存器件的制备方法-CN202310423647.4在审
发明人：王奇伟;舒宇飞;姚邵康;田志;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存器件的制备方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体结构，所述半导体结构分为存储区及逻辑区，所述存储区包括源区区域和漏区区域，且所述半导体结构包括形成有场氧的衬底及形成于所述衬底表面的栅极结构，其中，所述栅极结构包括栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层；步骤2)通过第一自对准刻蚀工艺回刻位于所述源区区域的所述栅极结构；步骤3)对通过步骤2)形成的结构进行自对准离子注入；步骤4)通过第二自对准刻蚀工艺回刻位于所述漏区区域的所述栅极结构。通过本发明解决以现有的方法制备闪存器件时易产生光刻胶残留问题。
闪存器件制备方法

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