“李制勋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果40个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]显示面板的检测设备-CN202023136698.X有效
发明人： 李制勋 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种显示面板的检测设备，包括用于放置显示面板的承载平台，以及点灯检测装置和阵列基板检测装置，点灯检测装置通过第一支架与承载平台活动连接，阵列基板检测装置通过第二支架与承载平台活动连接，阵列基板检测装置包括调制器，调制器位于显示面板的上方，调制器与显示面板间隔，且调制器与显示面板之间的间距为L1，第一支架上设置有激光传感器，激光传感器用于检测显示面板上的异物，激光传感器发射的激光与显示面板之间的间距为L2，且L1＞L2。该结构有利于避免显示面板与调制器相对运动时异物与调制器或显示面板之间发生磨损。
显示面板检测设备

[发明专利]用于显示设备的氢陷阱层及显示设备-CN202010681668.2在审
发明人： 李制勋;庄景桑;山形裕和;张钧杰;K·金;叶柏均;张世昌;常鼎国 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及用于显示设备的氢陷阱层及显示设备。本发明描述了具有氢陷阱层的显示面板。该氢陷阱层可结合到多种位置中以吸除或阻挡进入氧化物晶体管的半导体氧化物层中的氢扩散。
用于显示设备陷阱

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN201510179608.X有效
发明人： 李制勋;金度贤;郑敞午 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所公开的薄膜晶体管阵列面板包括绝缘衬底、形成在绝缘衬底上的包括氧化物的沟道层。栅极绝缘层形成在沟道层上，栅电极形成在栅极绝缘层上。层问绝缘层形成在栅电极上，数据线形成在层问绝缘层上且包括源电极，其中数据线由第一导电层和第二导电层制成。漏电极形成在层问绝缘层上，且包括第一导电层和第二导电层。像素电极从漏电极的第一导电层延伸，钝化层形成在数据线和漏电极上。隔离片形成在钝化层上。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201310126339.1有效
发明人：林志勋;安秉斗;金建熙;朴埈贤;李制勋;朴在佑;金大奂;郑贤广;金在亨 -专利权人：三星显示有限公司;国民大学校算学协力团
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管包括：栅电极；设置为覆盖栅电极的第一绝缘层；半导体层，设置在第一绝缘层上，该半导体层包括第一侧表面部分；源电极，设置在半导体层上；以及漏电极，设置在第一绝缘层上，该漏电极包括第二侧表面部分。第一侧表面部分与第二侧表面部分接触。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN201310009134.5有效
发明人： 李制勋;宋俊昊;吕伦钟;鄭華棟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管包括：栅电极；栅极绝缘层，位于栅电极上或位于栅电极下；沟道区域，与栅电极交叠，栅极绝缘层插设在沟道区域与栅电极之间；以及源极区域和漏极区域，相对于沟道区域彼此面对，位于与沟道区域相同的层中，并且连接到沟道区域，其中沟道区域、源极区域和漏极区域包括氧化物半导体，其中源极区域和漏极区域的载流子浓度大于沟道区域的载流子浓度。
沟道区域栅电极薄膜晶体管漏极区域源极区域载流子薄膜晶体管阵列面板栅极绝缘层氧化物半导体彼此面对交叠制造

[发明专利]氧化物半导体-CN201210359296.7有效
发明人：安秉斗;李制勋;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;朴在佑;朴镇成;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭 -专利权人：三星显示有限公司;朴镇成;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。 1
氧化物半导体第一材料第二材料电负性减去自由

[发明专利]显示装置-CN201210247010.6有效
发明人：朴在佑;李制勋;安秉斗;朴世容;朴埈贤;金建熙;林志勋;李京垣;钉宫敏洋;三木绫;森田晋也;岸智也;田尾博昭;后藤裕史 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社神户制钢所
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。
显示装置

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管-CN201180037189.6有效
发明人：森田晋也;三木绫;岩成裕美;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。
薄膜晶体管半导体氧化物溅射以及

[发明专利]薄膜晶体管构造以及具备该构造的薄膜晶体管和显示装置-CN201280019557.9有效
发明人：前田刚彰;钉宫敏洋;宋俊昊;李制勋;安秉斗;金建熙 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。
薄膜晶体管构造以及具备显示装置

[发明专利]具有改善的电气特性的薄膜晶体管-CN201510765626.6在审
发明人： 李制勋;朱炳焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及具有改善的电气特性的薄膜晶体管。提出了具有均匀的电气特性和降低的功耗的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：半导体层；第一金属氧化物层，与半导体层接触并且具有比半导体层的导热率低的导热率；以及第二金属氧化物层，与第一金属氧化物层接触并且具有比第一金属氧化物层的导热率高的导热率。
具有改善电气特性薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物，具备上述氧化物的薄膜晶体管的半导体层和薄膜晶体管-CN201280012067.6有效
发明人：田尾博昭;三木绫;森田晋也;安野聪;钉宫敏洋;朴在佑;李制勋;安秉斗;金建熙 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。
薄膜晶体管半导体氧化物具备上述

[发明专利]半导体器件和薄膜晶体管-CN201210554742.X在审
发明人：安秉斗;林志勋;金建熙;李京垣;李制勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种多半导体氧化物TFT(sos-TFT)在电荷-载流子迁移率和/或阈值电压变化性方面提供了改进的电功能性。sos-TFT可以用来形成用于显示装置的薄膜晶体管阵列面板。示例sos-TFT包括：绝缘的栅极；第一半导体氧化物层，具有含有第一半导体氧化物的组分；第二半导体氧化物层，具有也包含半导体氧化物的不同组分。第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层具有各自的沟道区，所述沟道区受到施加到栅极的控制电压的电容性影响。在一个实施例中，第二半导体氧化物层包含第一半导体氧化物层中不含有的至少一种添加元素，其中，添加元素是镓(Ga)、硅(Si)、铌(Nb)、铪(Hf)和锗(Ge)中的一种。
半导体器件薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管-CN201180057012.2有效
发明人：三木绫;森田晋也;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
薄膜晶体管半导体氧化物溅射以及

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管-CN201180056933.7有效
发明人：三木绫;森田晋也;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗;金建熙 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。
薄膜晶体管半导体氧化物溅射以及

[发明专利]钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法-CN201210392573.4有效
发明人：安秉斗;延昇浩;朴世容;朴美蕙;宋夫燮;李泰权;朴埈贤;李制勋;朴在佑 -专利权人：三星显示有限公司;三星精密化学株式会社
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C09D183/06 文献下载
摘要：提供钝化层溶液组合物、薄膜晶体管阵列板及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的钝化层溶液组合物包括由以下化学式1表示的有机硅氧烷树脂。在化学式1中，R为选自具有1-约25个碳原子的饱和烃及不饱和烃的至少一种取代基，且x和y可各自独立地为1-约200，和其中各波浪线表示到H原子或到x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键、或到包括x硅氧烷单元或y硅氧烷单元或其组合的另一硅氧烷链的x硅氧烷单元或y硅氧烷单元的键。[化学式1]
钝化溶液组合薄膜晶体管阵列及其制造方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 40 条