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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金刚石传感器单元及金刚石传感器系统-CN202280011208.6在审
发明人：西林良树;中西裕美;出口洋成;林司;辰巳夏生 -专利权人： 日新电机株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种金刚石传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；照射部，向金刚石照射激发光；检测部，检测来自金刚石的色心的放射光；以及光波导，传输激发光及放射光。
金刚石传感器单元系统

[发明专利]金刚石磁传感器单元及金刚石磁传感器系统-CN202280010841.3在审
发明人：西林良树;中西裕美;出口洋成;林司;辰巳夏生 -专利权人：住友电气工业株式会社;日新电机株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种金刚石磁传感器单元，包括：传感器部，包括具有色心的金刚石，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；以及检测部，检测来自金刚石的色心的放射光，检测部检测通过不向金刚石照射电磁波而由激发光照射部向金刚石照射激发光从而产生的放射光，所述金刚石磁传感器单元能够包括导电部件，所述导电部件与传感器部间隔10mm以上而配置，传播电磁波。
金刚石传感器单元系统

[发明专利]电抗器的温度上升试验方法-CN202080107933.4在审
发明人：前地洋明;桑田稔 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：电抗器的温度上升试验方法包括将具有试验频率及试验电流值的试验电流通入电抗器的步骤，所述试验电流带来基于基波电流通电时的铜损(Wcu21)及高次谐波电流通电时的铜损(Wcu22)的目标铜损(Wcut)、以及基于基波电流通电时的铁损(Wfe21)及高次谐波电流通电时的铁损(Wfe22)的目标铁损(Wfet)。
电抗温度上升试验方法

[发明专利]电源系统-CN201880056896.1有效
发明人：宇田怜史;河崎吉则;西村庄治 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明是一方面满足FRT必要条件，一方面使用共同的分散型电源来同时实现无停电电源功能及负荷平准化功能的电源系统，其包括：分散型电源(2)，连接于用以自商用电力系统(10)对重要负荷(30)供电的电力线(L1)；切换开关(3)，设置在电力线(L1)上使电力线(L1)开闭；阻抗元件(4)，在电力线(L1)上与切换开关(3)并联连接；电压检测部(5)，检测较切换开关(3)更靠商用电力系统(10)侧的电压；以及控制部(6)，当电压检测部(5)的检测电压变为稳定值以下时开放切换开关(3)，将分散型电源(2)与商用电力系统(10)经由阻抗元件(4)加以连接；且分散型电源(2)继续进行包含逆潮流的运转。
电源系统

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN202180063924.4在审
发明人：酒井敏彦 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，包括：等离子体处理工序，使用包含氮及氧的混合气体作为工艺气体来对半导体层的表面进行等离子体处理；以及绝缘层形成工序，使用包含SiF4、氮、氧及氢的混合气体作为工艺气体，通过等离子体CVD法，在所述等离子体处理后的半导体层之上形成绝缘层。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202180064165.3在审
发明人：松尾大辅;安东靖典 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了可对沿着天线的长边方向的等离子体密度分布进行细微调整，实现等离子体密度分布的进一步均匀化，本发明的等离子体处理装置包括：真空容器(1)；天线(2)，设置于真空容器(1)的外部，流通高频电流(IR)；以及高频窗(9)，将形成于真空容器(1)的面向天线(2)的位置的开口(10x)堵塞，且天线(2)包括高频电流(IR)的流通方向彼此反向的去路导体(21)及返路导体(22)，所述等离子体处理装置还包括距离调整机构(10)，所述距离调整机构(10)对去路导体(21)及返路导体(22)的相对距离进行局部调整。
等离子体处理装置

[发明专利]氧化物半导体的成膜方法及薄膜晶体管的制造方法-CN202180064311.2在审
发明人：松尾大辅 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种成膜方法，为通过使用等离子体对靶材进行溅镀而将氧化物半导体膜形成于基板上的方法，所述成膜方法中，通过变更所述基板与所述靶材之间的距离来控制所述氧化物半导体膜的结晶性。
氧化物半导体方法薄膜晶体管制造

[发明专利]等离子体控制系统以及计算机可读存储介质-CN201980020153.3有效
发明人：岩苔翼 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体控制系统以及计算机可读存储介质，等离子体控制系统包括：高频电源；第一天线，一端部与高频电源连接；第二天线，一端部与第一天线的另一端部连接；第一电抗可变元件，设置于第一天线与第二天线之间；第一电抗可变元件的第一驱动部；第二电抗可变元件，与第二天线的另一端部连接；第二电抗可变元件的第二驱动部；第一电流检测部，检测第二电抗可变元件的第二驱动部、以及第一天线的一端部的电流；第二电流检测部，检测第一天线与第二天线之间流动的电流；第三电流检测部，检测第二天线的另一端部的电流；以及控制装置，控制第一驱动部及第二驱动部。
等离子体控制系统以及计算机可读存储介质

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201880037318.3有效
发明人：松尾大辅;安东靖典;瀬戸口佳孝;岸田茂明 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN202180043421.0在审
发明人：酒井敏彦;安东靖典 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在作为沟道层而使用氧化物半导体的薄膜晶体管中，以低成本提供具有高可靠性的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，是在基板上依序层叠有栅电极、栅极绝缘层、包含氧化物半导体的沟道层、以及保护所述沟道层的表面的沟道保护层的底部栅极型的薄膜晶体管，其中所述沟道保护层包括含有氟的氧化硅膜，所述含有氟的氧化硅膜中O原子数(at％)相对于Si原子数(at％)的比即O/Si比为1.94以上。
薄膜晶体管

[发明专利]气体绝缘变压器、气体绝缘变压系统及电压推定方法-CN202080102331.X在审
发明人：芝崎将之;川渕芳树;澁谷大辅 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01F30/10 文献下载
摘要：本发明实现一种能够以高精度推定一次电压的气体绝缘变压器等。变压器包括：芯；二次绕组(12)，缠绕于芯；一次绕组(11)，与二次绕组同轴地缠绕于二次绕组的外周外；高压屏蔽罩(13)，覆盖一次绕组的外周；低压屏蔽罩(14)，与高压屏蔽罩相向；接地端子(23)；及电容器(21)，一端连接于低压屏蔽罩，另一端连接于接地端子。
气体绝缘变压器变压系统电压推定方法

[发明专利]溅射装置-CN201880016032.7有效
发明人：岸田茂明;松尾大辅 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C14/40 文献下载
摘要：本发明在使用等离子体的溅射装置中提高成膜的均匀性。本发明的溅射装置(100)使用等离子体(P)对靶(T)进行溅射而于基板(W)上成膜，且包括：真空容器(2)，经真空排气且供导入气体；基板保持部(3)，在真空容器(2)内保持基板(W)；靶保持部(4)，在真空容器(2)内保持靶(T)；多根天线(5)，沿着由基板保持部(3)所保持的基板(W)的表面而排列，且产生等离子体(P)；以及往返扫描机构(14)，使基板保持部(3)沿着多根天线(5)的排列方向(X)而往返扫描。
溅射装置

[发明专利]溅镀装置-CN202180019740.8在审
发明人：安东靖典;东大介 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C14/40 文献下载
摘要：本发明通过在真空容器的外部配置天线并缩短从靶材到被处理物的距离，从而可实现成膜速度或处理效率的提高，并且高效率地溅镀靶材。一种溅镀装置100，使用等离子体P来溅镀靶材T而在被处理物W进行成膜，且包括：真空容器1，经真空排气；天线5，设置在真空容器1的外部；介电质板6，设置在真空容器1的外壁1a的面向天线5的位置；以及靶材保持部3，在真空容器1内保持靶材T，靶材T设置在夹持介电质板6的位置中的一者或两者，其溅镀面Ta相对于介电质板6向与天线5相反的一侧倾斜延伸。
装置

[发明专利]天线机构及等离子体处理装置-CN202080095331.1在审
发明人：安东靖典;松尾大辅 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P5/02 文献下载
摘要：本发明能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体P的天线机构3，包括：天线本体31，流通高频电流；以及一条或多条调整电路32，与天线本体31邻接设置，调整电路32具有构成闭路的金属导体321、及构成闭路的电容器322。
天线机构等离子体处理装置

[发明专利]电容元件及等离子体处理装置-CN201980009942.7有效
发明人：李东伟;安东靖典 -专利权人： 日新电机株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01G5/06 文献下载
摘要：提供一种电容元件及等离子体处理装置。在使用液体物质来作为电介质的电容元件中，防止静电电容变化。电容元件包括：收纳容器，具有将作为电介质的液体导入的导入端口及将所述液体导出的导出端口，且由所述液体来装满；以及至少一对电极，设置于所述收纳容器内且彼此相向，并且在所述收纳容器的上壁形成有用以将此收纳容器内的气泡排出的开口部。
电容元件等离子体处理装置

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