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[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710588496.2有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物材料及半导体器件-CN201710165341.8有效
发明人：山崎舜平;中岛基;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。
氧化物材料半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201611144591.5有效
发明人： 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201710578536.5有效
发明人： 本田达也;小俣贵嗣;野中裕介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201710111075.0有效
发明人： 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710111162.6有效
发明人： 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910603519.1在审
发明人：秋元健吾;本田达也;曾根宽人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请的发明名称为“半导体器件及其制造方法”。本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。
氧化物半导体膜半导体器件栅极绝缘膜导电膜制造沟道形成区域薄膜晶体管制造工序低成本结晶化氧化锌衬底覆盖申请

[发明专利]半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置-CN201210461422.X有效
发明人：山崎舜平;本田达也;平石铃之介;金村大志;太田将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置，在作为活性层使用氧化物半导体膜的半导体元件中实现稳定的电特性。该半导体元件包括：基底膜，该基底膜为至少表面具有结晶性的氧化物膜；基底膜上的具有结晶性的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的至少与氧化物半导体膜重叠的栅电极；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极，其中，基底膜含有铟及锌。通过采用上述结构，氧化物半导体膜的结晶状态反映基底膜的结晶状态，因此，氧化物半导体膜在膜厚度方向上的大范围具有结晶性。从而，可以使具有该膜的半导体元件的电特性稳定。
半导体元件制造方法以及使用装置

[发明专利]半导体器件-CN201610085692.3有效
发明人： 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
氧化物半导体膜半导体器件第一区域绝缘膜栅电极导通态电流电连接晶体管漏电极源电极

[发明专利]半导体器件-CN201610085679.8有效
发明人： 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
半导体器件

[发明专利]氧化物半导体膜以及半导体装置-CN201510496344.0有效
发明人：山崎舜平;津吹将志;秋元健吾;大原宏树;本田达也;小俣贵嗣;野中裕介;高桥正弘;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a‑b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
氧化物半导体以及装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210401500.7有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201210078793.X有效
发明人： 本田达也;小俣贵嗣;野中裕介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物材料及半导体器件-CN201180060652.9有效
发明人：山崎舜平;中岛基;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：目的在于提供一种适用于被包括于晶体管或二极管等中的半导体的材料。另一个目的在于提供一种包括晶体管的半导体器件，其中介于氧化物半导体膜及与该氧化物半导体膜接触的栅极绝缘膜之间的界面处的电子态状况良好。再者，另一个目的在于通过对将氧化物半导体膜用于沟道的晶体管提供稳定电特性，制造高可靠性的半导体器件。半导体器件使用包括c‑轴取向的晶体的氧化物材料形成，当从表面或界面方向看时该晶体具有三角形或六角形原子排列，并绕着c‑轴旋转。
氧化物材料半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510518307.5在审
发明人：秋元健吾;本田达也;曾根宽人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请的发明名称为“半导体器件及其制造方法”。本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。
半导体器件及其制造方法

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