“导通态电流”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3380024个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]MOS管的通态损耗获取方法、装置、存储介质以及电子设备-CN202111004817.2在审
发明人：廖胜峰;任文 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F30/18 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种MOS管的通态损耗获取方法、装置、存储介质以及电子设备，方法包括：构建MOS管通态损耗计算模型；MOS管通态损耗计算模型包括MOS管的通态损耗与温度系数、导通电压和导通电流的关系函数，MOS管在各个工作温度下的导通电压和导通电流的关系函数以及MOS管的温度系数函数；获取待测MOS管的工作参数；拓扑电路参数用于指向待测MOS管的导通电流；将待测MOS管的工作参数输入至MOS管通态损耗计算模型，根据拓扑电路参数、待测MOS管的工作温度、以及待测MOS管的工作温度对应的导通电压和导通电流模型、待测MOS管的工作温度对应的温度系数，获得待测MOS管的通态损耗。本申请实施例可使计算出的MOS管的通态损耗更加准确。
mos 损耗获取方法装置存储介质以及电子设备

[发明专利]一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201410005377.6有效
发明人：张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱;王彬 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明由于将集成纵向沟道SOI LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。
一种梳状栅纵向沟道 soi ldmos 单元

[发明专利]驱动电路-CN200710096629.0有效
发明人：邱郁文 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：开关耦接于电平移位器与缓冲器之间，上述开关在电平移位器进行转态时不导通，并在电平移位器完成转态后导通。因此，电平移位器与缓冲器进行转态的时间不同，可避免同时导通大电流而影响电平移位器的转态能力。
驱动电路

[实用新型]集成梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201420006480.8有效
发明人：张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：常规SOILDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本实用新型由于将集成纵向沟道SOILDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。
集成梳状栅纵向沟道 soi ldmos 单元

[发明专利]flash型FPGA的本征态电流控制电路-CN202111582300.1在审
发明人：曹正州;单悦尔;季振凯;祝洁;孙佩;胡恩泽 -专利权人：无锡中微亿芯有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K19/1778 文献下载
摘要：本发明公开了一种flash型FPGA的本征态电流控制电路，涉及flash型FPGA领域，该本征态电流控制电路包括导通开关管和利用p_flash开关单元的本征弱导通状态设计的开关管控制逻辑，导通开关管连接在flash型FPGA的内核地与芯片地之间，在flash型FPGA的第一次上电过程中，开关管控制逻辑在p_flash开关单元的内部残留电荷作用下、输出无效电平使导通开关管关断，使得内核地处于浮空状态，阻止内核电源到内核地产生大电流
flash fpga 电流控制电路

[发明专利]一种可控硅维持电流补偿电路-CN201410481813.7有效
发明人：李镇福;罗世伟 -专利权人：英飞特电子（杭州）股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种可控硅维持电流补偿电路，本发明通过对通态电流或整流电路的输出电压进行采样及微分处理得到微分信号，当通态电流的变化率或整流电路的输出电压的变化率较大时，依据微分信号产生一个相应大的补偿电流，当通态电流的变化率或整流电路的输出电压的变化率较小时，在此时补偿一个相应小的补偿电流，使得负载电流和补偿电流之和大于维持电流，从而避免可控硅非正常关断。本发明考虑了可控硅导通时的冲激和震荡引起的维持电流变化的情况，并依据冲激和震荡动态调整补偿电流的大小，所以本电路在通态电流存在冲击和震荡时解决LED灯闪的问题，并提高补偿电路的使用效率。
一种可控硅维持电流补偿电路

[实用新型]一种可控硅维持电流补偿电路-CN201420541550.X有效
发明人：罗世伟;李镇福 -专利权人：英飞特电子（杭州）股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可控硅维持电流补偿电路，通过对通态电流或整流电路的输出电压进行采样及微分处理得到微分信号，当通态电流的变化率或整流电路的输出电压的变化率较大时，依据微分信号产生一个相应大的补偿电流，当通态电流的变化率或整流电路的输出电压的变化率较小时，在此时补偿一个相应小的补偿电流，使得负载电流和补偿电流之和大于维持电流，从而避免可控硅非正常关断。本实用新型考虑了可控硅导通时的冲激和震荡引起的维持电流变化的情况，并依据冲激和震荡动态调整补偿电流的大小，所以本电路在通态电流存在冲击和震荡时解决LED灯闪的问题，并提高补偿电路的使用效率。
一种可控硅维持电流补偿电路

[发明专利]半导体器件-CN201310293438.9有效
发明人：冈本康宏;井上隆;中山达峰;根贺亮平;金泽全彰;宫本广信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：利用这种构造，可以防止导通态电流在y轴方向（负方向）上在单元电极中流动。此外，在相应的单元电极中，可以防止在y轴方向（负方向）上流动的导通态电流的电流密度增加。结果，可以提高欧姆电极的电迁移阻抗。
半导体器件

[发明专利]防灯闪的单火线关态取电电路和防灯闪的单火线开关电路-CN201911013351.5在审
发明人：叶德火;杨连池;张国忠 -专利权人：厦门盈趣科技股份有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H05B47/10 文献下载
摘要：防灯闪的单火线关态取电电路和防灯闪的单火线开关电路。所述防灯闪的单火线关态取电电路包括蓄电电容、电流控制单元、过压导通单元和开关电源单元；所述蓄电电容用于将单火线的输入电压进行滤波蓄电；所述电流控制单元连接在所述蓄电电容的前端；所述过压导通单元连接在所述蓄电电容的后端；所述开关电源单元连接所述过压导通单元的输出端；所述第一阈值电压小于或等于所述第二阈值电压。所述防灯闪的单火线关态取电电路能够防止上电瞬间相应的灯发生闪烁。
单火线蓄电电容关态取电电路导通单元电流控制单元开关电源单元阈值电压开关电路输入电压输出端滤波上电蓄电闪烁

[实用新型]防灯闪的单火线关态取电电路和防灯闪的单火线开关电路-CN201921788401.2有效
发明人：叶德火;杨连池;张国忠 -专利权人：厦门盈趣科技股份有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H05B47/10 文献下载
摘要：防灯闪的单火线关态取电电路和防灯闪的单火线开关电路。所述防灯闪的单火线关态取电电路包括蓄电电容、电流控制单元、过压导通单元和开关电源单元；所述蓄电电容用于将单火线的输入电压进行滤波蓄电；所述电流控制单元连接在所述蓄电电容的前端；所述过压导通单元连接在所述蓄电电容的后端；所述开关电源单元连接所述过压导通单元的输出端；所述第一阈值电压小于或等于所述第二阈值电压。所述防灯闪的单火线关态取电电路能够防止上电瞬间相应的灯发生闪烁。
防灯闪火线关态取电电路开关电路

[发明专利]一种取电控制电路、智能控制开关及智能照明系统-CN201710562973.8在审
发明人：余孟;郭毅 -专利权人：宁波公牛电器有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：该取电控制电路包括开态取电模块、单向导通模块、储能控制模块以及多个第一开关模块；开态取电时，第一开关模块用于在第一相市电线路的控制下使得对应的负载所在回路导通；开态取电模块在至少一路负载所在回路导通时，控制第一相电流通过单向导通模块向储能控制模块充电；单向导通模块防止流过所在回路导通的负载的电流窜扰到所在回路关断的负载所在回路中。
一种控制电路智能控制开关照明系统

[发明专利]一种OTS材料、选通器单元及其制备方法-CN202010277520.2有效
发明人：武仁杰;朱敏;贾淑静;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变；并且该选通器单元具有驱动电流高、阈值电压较低
一种 ots 材料选通器单元及其制备方法

[发明专利]电路板的加热模块-CN200710000942.X无效
发明人：许哲嘉 -专利权人：研华股份有限公司
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路板的加热模块，包括一金属氧化物半导体场效晶体管、一直流电源、一电流感测器及一通态电阻控制器，该金属氧化物半导体场效晶体管具有一散热片可供将热量散发至外部，该直流电源提供一穏定电压予该金属氧化物半导体场效电晶体，该电流传感器供侦测流入该金属氧化物半导体场效晶体管的电流强度，该通态电阻控制器可依据该电流传感器所侦测的电流强度调整该金属氧化物半导体场效晶体管的通态电阻值，以使该金属氧化物半导体场效晶体管恒处于将导通而未导通的临界状态
电路板加热模块

[发明专利]一种振荡转移与固态开关相结合的直流断路器-CN202011199807.4有效
发明人：吴翊;王洪佑;时珊珊;王皓靖;刘舒;魏新迟;吴益飞;杨飞 -专利权人：西安交通大学;国家电网有限公司;国网上海市电力公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：一种振荡转移与固态开关相结合的直流断路器，由主电流回路、电流转移支路、能量吸收支路和控制系统组成。在小电流开断情况下，控制高速机械开关分闸与相应电力电子器件导通，电流在电弧电压作用下向电流转移支路转移，之后控制电力电子器件关断，电力电子组件两端电压上升，避雷器导通。当发生大电流短路故障时，控制高速机械开关分闸与电力电子器件导通。预充电电容向断口注入反向电流，断口电流过零熄弧，短路电流转移至电流转移支路并向电容充电，当电容电压大于避雷器导通电压时，避雷器导通。所述新型直流断路器具有结构简单，通态损耗小，全电流开断速度快等特点。
一种振荡转移固态开关相结合直流断路器

[发明专利]一种模块化多电平换流器功率模块的通态损耗计算方法-CN201710618791.8有效
发明人：王跃;尹诗媛;周晖;王璋;尹太元;段国朝 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H02M7/797 文献下载
摘要：本发明公开了一种模块化多电平换流器功率模块的通态损耗计算方法，包括以下步骤：1)根据MMC系统电气参数和运行参数求出桥臂电流；2)根据MMC系统电气参数和运行参数求出桥臂环流的二倍频分量，并对步骤1)中计算得到的桥臂电流进行修正；3)计算桥臂子模块内各器件的等值电流比例系数ρ，结合步骤2)得到的桥臂电流，计算出工频周期内器件的等效电流平均值和均方值；4)提取器件的导通特性参数，结合步骤3)中计算得到的器件等效电流平均值和均方值计算功率模块的通态损耗相比传统的损耗计算方法，本发明能够实现更精细、精确的通态损耗计算，为MMC子模块器件的结温评估和选型提供合理的依据。
一种模块化电平换流功率模块损耗计算方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条