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[发明专利]一种氢网络节氢中确定过程执行顺序的方法-CN201710228838.X有效
发明人：王焕云;潘春晖;潘文博;马力;常炳双;辛健;周自成 -专利权人：沧州师范学院
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：本发明属于氢网络技术领域，公开了一种氢网络节氢中确定过程执行顺序的新方法，首先运用源物流分配方法将当前源物流分别来满足各个未执行过程，依次按外部源物流用量或净化后源物流用量最大的过程首先执行的原则来确定过程的执行顺序；将确定的过程执行顺序与设计固定净化后氢浓度模型和给定杂质移除率模型氢网络的迭代法相结合，分别设计两种模型的多杂质氢网络。本发明的设计方法可使外部源物流用量最小化，对于前一种模型，外部源物流用量、净化后源物流用量和燃料气排放量分别降低了1.60％、3.71％和2.00％；对于后一种模型，在净化后源物流杂质浓度略低的情况下，
一种网络节氢中确定过程执行顺序方法

[发明专利]尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及HVPE反应器-CN202110823107.6有效
发明人：徐琳;蔡德敏;金超 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01D53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种尾气中镓源回收装置，回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器；腔体内壁顶面为弧形；回收装置内部的温度为300‑800℃；本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE反应后尾气经过本发明中的尾气中镓源回收装置处理后，能够富集尾气中的镓源，并进行回收，同时回收后的镓源中不含有氯化铵等杂质或含有极少杂质。本发明中的尾气处理装置能够很好的分离尾气中的镓源和氯化铵等杂质，实现尾气中高纯镓源的回收。本发明中的HVPE反应器具有镓源回收装置，能够很好的回收HVPE反应中进入尾气中的镓源，提高原料的使用率，降低生产成本。
尾气中镓源回收装置处理 hvpe 反应器

[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法-CN201610239717.0在审
发明人：王新 -专利权人：晶科华兴集成电路（深圳）有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该晶体管包括由上到下的金属层、隔离层、氧化层、外延层和衬底层，外延层由该外延层的上表面向下依次设有N杂质源区和P杂质体区，P杂质体区内设有P杂质注入区，外延层设有沟槽和源电极接触孔，沟槽的底壁和侧壁设有栅氧化层，沟槽内填充多晶硅层，沟槽的深度小于外延层的厚度，源电极接触孔贯穿隔离层和氧化层、并延伸至P杂质注入区，金属层包括栅电极金属和源电极金属，该沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，能够降低生产成本，并能减小芯片面积和栅极通道电阻
沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

[实用新型]沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201620324480.1有效
发明人：王新 -专利权人：晶科华兴集成电路（深圳）有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该晶体管包括由上到下的金属层、隔离层、氧化层、外延层和衬底层，外延层由该外延层的上表面向下依次设有N杂质源区和P杂质体区，P杂质体区内设有P杂质注入区，外延层设有沟槽和源电极接触孔，沟槽的底壁和侧壁设有栅氧化层，沟槽内填充多晶硅层，沟槽的深度小于外延层的厚度，源电极接触孔贯穿隔离层和氧化层、并延伸至P杂质注入区，金属层包括栅电极金属和源电极金属，该沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，能够降低生产成本，并能减小芯片面积和栅极通道电阻
沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]一种短路耐量高的碳化硅器件及其制备方法-CN202310287239.0在审
发明人：刘涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种短路耐量高的碳化硅器件及其制备方法，短路耐量高的碳化硅器件包括衬底层、漂移层、基极层、源极区域、接触区域、沟槽、栅极氧化层、绝缘膜层、栅极电极、源极电极和漏极电极，衬底层、漂移层、源极区域由碳化硅掺杂第一导电类型杂质形成，基极层和接触区域由碳化硅掺杂第二导电类型杂质形成，在源极区域内形成简并半导体，碳化硅掺杂第一导电类型杂质形成，杂质的掺杂浓度高于源极区域，简并半导体的电阻率与温度呈正相关。在传统的碳化硅器件的基础上，在源极区域插入简并半导体，由于简并半导体的电阻率与温度呈正相关，当器件发生短路时，温度升高使得简并半导体电阻增大，从而减小了短路时的电流，能有效防止器件损坏。
一种短路耐量高碳化硅器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710444292.1有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体衬底，半导体衬底表面上形成有栅极堆叠结构；以栅极堆叠结构为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，以在栅极堆叠结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在栅极堆叠结构的至少一侧形成包围凹槽的缓冲扩散层；在凹槽内形成源极和漏极采用本发明的方法，在形成源极和漏极之前形成缓冲扩散层，在后续的退火工艺中缓冲扩散层中杂质的扩散带动源极和漏极区域的杂质扩散，使源极和漏极区域的杂质分布更加均匀，降低源极和漏极区域的PN结的电场分布梯度，同时还可以避免杂质的横向扩散，在控制横向短沟道效应的同时，降低了源极和漏极区域的结电容和结漏电流，提高了半导体器件良率和性能。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]一种用于调节阀智能定位器前级气源预处理的冗余系统-CN202122166115.6有效
发明人：杜斌斌;王中军;赵德渊;王平;郑志忠;张亚萍 -专利权人：青海盐湖元品化工有限责任公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于调节阀智能定位器前级气源预处理的冗余系统。包括卡套式三通接头、卡套式四通接头、卡套式气源球阀及可调节压力过滤器，通过一定顺序利用不锈钢气源管线及螺纹‑卡套式直通终端接头连接，气源球阀按一定要求开启和关闭操作，使得过滤减压器即可串联、可并联，也可单独使用可及时发现调节阀智能定位器前级气源里的杂质和水分，并对杂质(如水分、灰尘等)进行过滤。解决了调节阀智能定位器前级气源过滤减压器滤芯杂质过多，无法在线更换过滤芯及排除仪表风杂质的问题，大大提高了调节阀智能定位器的调节精度和使用寿命，保证了调节阀的安全稳定运行。
一种用于调节智能定位器前级气源预处理冗余系统

[发明专利]半导体装置-CN202010186755.0在审
发明人：松野吉德;谷冈寿一;折附泰典;滨野健一;花野尚慎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：具有：层间绝缘膜，其设置于衬底之上；栅极焊盘，其设置于该层间绝缘膜之上；源极电极，其在俯视观察时与栅极焊盘的一部分相对；线状的源极配线，其在俯视观察时与该栅极焊盘的一部分相对而不与该源极电极相对，源极配线与该源极电极连接；以及栅极配线，其设置于该层间绝缘膜之上，与该栅极焊盘电连接，该衬底具有：第1导电型的漂移层；以及高杂质浓度区域，其设置于该栅极配线和该栅极焊盘的正下方，该高杂质浓度区域的第1导电型杂质的浓度比该漂移层的第1导电型杂质的浓度大，在俯视观察时，该源极配线和该栅极配线提供将该源极电极包围的1个框。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202210619120.4在审
发明人：高山大希 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置具有基板、半导体层以及栅电极、源电极和漏电极，半导体层具有：电子渡越层，具备第一上表面；以及电子供给层，在电子供给层和电子渡越层形成有第一开口和第二开口，第一开口的底面和第二开口的底面位于比第一上表面向基板侧更深的位置，半导体层还具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域以及第二漏极区域，源电极设于第二源极区域之上，漏电极设于第二漏极区域之上，第二源极区域中的第一导电类型的杂质的浓度比第一源极区域中的第一导电类型的杂质的浓度低，第二漏极区域中的第一导电类型的杂质的浓度比第一漏极区域中的第一导电类型的杂质的浓度低。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法-CN201910370982.6有效
发明人：吴歆宇;韩伟华;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：源区、漏区，对称分布于一SOI衬底之上；一硅纳米线结构，位于SOI衬底之上，连接源区与漏区；一含杂质原子的硅纳米晶粒此外，该杂质原子晶体管还包括：绝缘介质薄膜层，制备于所述源区、漏区、硅纳米线结构及硅纳米晶粒的表面，用于作为绝缘和保护层；一栅极导电条，覆盖于所述硅纳米线结构之上的绝缘介质薄膜层之上；电极结构。本发明提出的基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，不仅能准确定义杂质原子的位置，还能提升杂质晶体管的工作温度。
基于纳米晶粒束缚杂质原子晶体管及其制备方法

[发明专利]制造快闪存储装置的方法-CN200610054954.6无效
发明人：朴正焕;金泰均;李东基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：形成第一杂质区域作为该源电极/漏电极区域的一部分，该第一杂质区域距该基板的上表面具有第一深度，该具有第一导电类型的第一杂质区域具有第一杂质浓度。形成第二杂质作为该源电极/漏电极区域的一部分，该第二杂质区域距该基板的该上表面具有小于第一深度的第二深度，该第二杂质区域具有该第一导电类型，并且其具有大于该第一杂质浓度的第二杂质浓度。将第二导电类型的杂质注入该源电极/漏电极区域中。
制造闪存装置方法

[发明专利]具有改进结构并减小所占面积的半导体器件及其制造方法-CN97120420.9无效
发明人：马场俊 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 1997-10-09 - 公布日： 1998-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件,包括形成于半导体衬底的器件区中的源和漏,及杂质浓度高于器件区杂质浓度的电极缩回部分。电极缩回部分形成为与源和漏中的一个接连。邻近电极缩回部分的源或漏的电极共用作电极缩回部分的电极。
具有改进结构减小面积半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法-CN202111485440.7在审
发明人：吴洁君;王泽人;于彤军;朱星宇;赵起悦;韩彤;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得的源粉用于后继PVT法生长氮化铝单晶，SIMS测量发现，后续生长的AlN晶片氧杂质含量从6x1017cm‑3
一种用于降低氮化晶体杂质含量源粉预烧结方法

[发明专利]半导体器件与其制作方法-CN201811261431.8在审
发明人：罗军;毛淑娟;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供具有源区和/或漏区的锗基半导体预备体，源区和/或漏区的掺杂杂质为第一N型杂质；在源区和/或漏区的裸露表面上设置预外延层，预外延层包括基体材料和掺杂在基体材料中的第二N型杂质，基体材料包括非Ge的第IV族元素，第二N型杂质的掺杂浓度在1.0×10²⁰cm^‑3～9.0×10²¹cm^‑3之间；向预外延层中注入第三杂质，使得预外延层的远离半导体预备体的部分非晶化，形成外延层；在外延层的远离源区和/或漏区的表面上设置电极层；对设置有电极层的半导体预备体进行热处理，形成源接触和/或漏接触。该制作方法形成的源接触和/或漏接触的接触电阻较小。
外延层漏区源区基体材料半导体器件预备电极层漏接触源接触制作半导体掺杂第IV族元素锗基半导体热处理掺杂杂质接触电阻裸露表面非晶化申请

[发明专利]一种细雾化杂质源沉积杂质的扩散装置及方法-CN202211327848.6在审
发明人：袁渊 -专利权人：杭州西风半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明一种细雾化杂质源沉积杂质的扩散装置及方法，解决传统气体携带液态源扩散掺杂系统和直接喷射式沉积法的不均匀性的问题。进液雾化机构将溶剂进行第一次雾化进入集雾器，进气机构进气对一次雾化杂质源进行第二次雾化，二次雾化后杂质源通过喷头进行三次雾化。微调排气量和方向调节沉积位置。本发明通过三次雾化和微调，雾化后携源杂质更均匀的沉积在芯片进行高浓度P+高温掺杂，达到高的均匀性、重复性以保证大直径分立器件的电特性及特殊应用要求，显著提高了产品成品率。
一种雾化杂质沉积扩散装置方法