“非晶化”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3033941个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶化非晶Si膜的方法-CN200510072664.X无效
发明人：崔哲柊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种晶化非晶Si膜的方法。这种晶化非晶Si膜的方法包括：向形成在衬底上的非晶Si膜中掺入预定的金属离子，以及，对掺有金属离子的非晶Si膜退火以晶化该非晶Si膜。根据该晶化非晶Si膜的方法，可以用更低的能量晶化非晶Si膜，且晶化的Si膜的表面粗糙度可以得到改善。
晶化非晶 si 方法

[发明专利]一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法-CN200810240124.1无效
发明人：周志文;曾祥斌;宋佩珂 -专利权人：广东志成冠军集团有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种实时检测非晶硅薄膜金属诱导晶化的方法，在非晶硅薄膜晶化过程中实时采集非晶硅薄膜的电压电流值，并以此计算出非晶硅薄膜晶化过程中的电阻值，根据电阻值和退火时间实时绘制电阻-时间曲线，通过实时绘制的电阻-时间曲线判断非晶硅薄膜的晶化进程。本发明实施简单，并且可以在非晶硅薄膜晶化的过程中反映其晶化程度。
一种实时监测非晶硅薄膜金属诱导方法

[发明专利]非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201410764284.1有效
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化
非晶硅结晶方法化硅膜半导体装置制造

[发明专利]一种Finemet非晶合金的微波晶化退火工艺-CN201910456408.2在审
发明人：丁松;王占勇;刘敏;王泽民;王斌君;周鼎;周冰 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C21D1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种Finemet非晶合金的微波晶化退火工艺，其特征在于，对准备进行微波晶化退火的Finemet非晶合金做综合热分析测试，根据综合热分析测试曲线分析确定非晶的晶化温度以及微波晶化退火的功率和加热时间，进行微波热感应加热；碳化硅粉末作为辅热材料，将其均匀覆盖Finemet非晶合金材料，利用微波加热对Finemet非晶合金进行晶化退火。本发明利用微波加热选择性强、升温、保温、降温可控性强的优势对Finemet非晶合金进行晶化退火。在不同的加热功率和加热时间下，获得纳米晶结构或纳米晶与非晶的混合结构，经微波晶化退火后的合金具有良好的力学性能及软磁性能。
退火非晶合金微波晶化晶化加热热分析测试退火工艺微波加热纳米晶非晶合金材料碳化硅粉末混合结构加热功率均匀覆盖力学性能曲线分析软磁性能可控性热材料热感应非晶与非保温合金微波

[发明专利]一种大块非晶合金纳米化方法-CN03133630.2无效
发明人：张甲;董盼;王建强;全明秀;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料组织纳米化技术，具体为一种通过压力晶化法使大块非晶合金纳米化方法。通过压力晶化法大块非晶合金纳米化，具体步骤如下：1)用电弧炉将母合金反复熔炼；2)采用铜模铸造法制成mm级大块非晶；3)首先对该非晶合金加压，压力为3－5GPa，然后对大块非晶加热，加热温度为450～550℃，然后保温，保温时间为10－60min，自然冷却至室温后，卸掉压力，得到完全纳米级结构晶体或纳米晶/非晶复合结构。本发明通过压力晶化法得到的完全纳米级结构晶体或纳米晶/非晶复合结构晶体致密、无界面污染。
一种大块合金纳米方法

[发明专利]一种非晶纳米晶模块化叠合片、磁元件及其制备方法-CN201611151660.5在审
发明人：徐厚嘉;杨操兵;张亮;周晓锋 -专利权人：上海量子绘景电子股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01F3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶纳米晶模块化叠合片、磁元件及其制备方法，其中，所述非晶纳米晶模块化叠合片至少包括：m层依次叠合的非晶纳米晶磁材片，相邻两层所述非晶纳米晶磁材片之间均通过一中间胶水层连接，其中，m为大于1且小于10的自然数；所述非晶纳米晶模块化叠合片适于通过将m条相同带宽的淬火态非晶纳米晶磁材片相互叠合并卷绕成环，经过晶化、退火并含浸胶水形成所述中间胶水层后铺展开，然后根据所需磁元件的长度切断，经过压合平整本发明的非晶纳米晶模块化叠合片具有与所需磁元件相同的外形结构，能够通过将n个非晶纳米晶模块化叠合片组装成为较大的磁元件整体。
纳米晶非晶磁元件叠合片模块化磁材外形结构胶水层制备退火胶水淬火态成环冲切叠合含浸晶化卷绕两层压合固化铺展带宽平整组装合并

[发明专利]激光表面晶化制备铁基非晶纳米晶软磁合金的方法-CN200510045640.5无效
发明人：陈岁元;刘常升;张滨;崔彤;马利霞;才庆魁 -专利权人：东北大学
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：一种激光表面晶化制备铁基非晶纳米晶软磁合金的方法，其特征在于利用CO₂激光和Nd:YAG脉冲激光诱导Fe基非晶带FeCuMSiB型和FeMB型合金表面层0.1～10μm范围产生定量α－Fe(Si)纳米晶化相，本发明方法能够在常温常压下，快速、可控、环保、低成本利用激光晶化法制备出铁基非晶纳米晶合金；通过选择不同的优化激光晶化工艺参数，制备出不同含量的纳米α－Fe(Si)晶化相加剩余非晶的双相组织结构材料；晶化层由纳米晶化相与非晶相组成，其厚度在0.1～10μm，纳米晶α－Fe(Si)的大小在1～30nm之间，制备材料的表面硬度提高、晶化脆性较低和综合磁性能得到了改善。
激光表面制备铁基非晶纳米晶软磁合金方法

[发明专利]非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片-CN201910657250.5有效
发明人：刘阳阳;付亚奇 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明提供了非晶纳米晶软磁材料及其制备方法和用途、非晶带材、非晶纳米晶带材及非晶纳米晶磁片。所述软磁材料包括非晶基体相，分布于所述非晶基体相中的纳米晶相，以及分布在所述非晶基体相和所述纳米晶相中的细晶粒子，所述非晶基体相包括Fe、Si和B，所述细晶粒子包括金属碳化物。所述制备方法包括：(1)将配方量的原料配好后，制备得到非晶合金；(2)在保护性条件下，对步骤(1)所述非晶合金进行两阶段晶化，冷却后得到所述软磁材料，第二阶段的晶化温度高于第一阶段的晶化温度。本发明提供的非晶纳米晶软磁材料能够平衡饱和磁感应强度和矫顽力，且磁损耗较低。
纳米晶软磁材料及其制备方法用途非晶带材晶带材磁片

[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法-CN201110307025.2无效
发明人：史亮亮 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：沉积非晶硅；利用激光扫描该非晶硅，使非晶硅初步晶化；对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。另外，在激光扫描非晶硅时，还可以在非晶硅上放置掩模。
一种多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种非晶合金构件的加工方法-CN201910479872.3有效
发明人：张宏伟;李正坤;张海峰;朱正旺;李宏;付华萌;王爱民;汤广全;李伟 -专利权人：中国科学院金属研究所;沈阳非晶金属材料制造有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶合金构件的加工方法，属于非晶合金加工技术领域。该加工方法包括：测量连续升温条件下非晶合金的玻璃化转变温度和晶化起始温度；测量等温条件下非晶合金的晶化起始时间；将非晶合金进行摩擦生热加工‑快速冷却，得到非晶合金产品。本方法利用非晶合金在过冷液相区粘滞阻力降低的特点对其进行加工，解决了非晶合金在室温下加工困难、加工周期长、成本高等问题，为非晶合金的加工和应用提供可行性。
一种合金构件加工方法

[发明专利]金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法-CN201210215016.5无效
发明人：朱开贵;陈芳芳 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法。这种方法能够使得非晶硅薄膜的晶化微区形成点阵，可用于微器件的制造。该方法主要包括以下步骤：（1）金属点阵制备。首先在衬底材料上制备金属点阵。金属材料可以是Ni、Al、Au、Ag、Pd等可诱导非晶硅晶化的任意一种或几种金属。金属点阵的制备方法可以通过光刻的方法以光刻胶做掩模，然后镀金属薄膜，再将光刻胶去掉。（2）非晶硅薄膜制备。在制备了金属点阵的衬底上制备非晶硅薄膜。（3）通过退火的过程使得金属点阵区域的非晶硅晶化，得到非晶硅晶化点阵。
金属点阵诱导非晶硅薄膜方法

[实用新型]一种非晶纳米晶模块化叠合片及磁元件-CN201621370758.5有效
发明人：徐厚嘉;杨操兵;张亮;周晓锋 -专利权人：上海量子绘景电子股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01F3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非晶纳米晶模块化叠合片及磁元件，其中，所述非晶纳米晶模块化叠合片至少包括m层依次叠合的非晶纳米晶磁材片，相邻两层所述非晶纳米晶磁材片之间均通过一中间胶水层连接，其中，m为大于1且小于10本实用新型的非晶纳米晶模块化叠合片是由m层具有相同规格的非晶纳米晶磁材片与m‑1层中间胶水层相互交替叠合组成的模块化单元，通过对单个非晶纳米晶模块化叠合片实施机械加工形成所需磁元件的外形结构，从而使本实用新型的磁元件通过模块化单元快速组装而成，可同时避开甚至解决目前传统两种非晶纳米晶加工工艺方法中出现的难题，而且可以灵活快速有效地组装成所需要设计的磁元件成品。
一种纳米模块化叠合元件

[发明专利]一种非晶合金可调控的晶化方法-CN202110359263.1有效
发明人：柯海波;赵航;闫玉强;孙保安;汪卫华 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：一种非晶合金可调控的晶化方法，属于材料领域。非晶合金可调控的晶化方法包括：在10℃‑36℃及空气中，将超声波冲头与非晶合金样品紧密接触，然后超声波冲头对非晶合金样品进行超声作用，使非晶合金样品的至少部分非晶相转化为晶相；其中，超声作用的条件包括：该晶化方法操作简单且方便，且在数秒之内便能够使非晶合金至少部分非晶相转变为晶相，显著的提高加工效率，并且可根据实际的需求调节超声作用的参数，进而获得晶化程度不同的晶化合金基材料，满足不同的使用需求。
一种合金调控方法

[发明专利]一种高耐蚀耐磨铁基非晶纳米晶涂层及制备方法-CN200510086363.2无效
发明人：樊自拴;孙冬柏;孟惠民;俞宏英;王旭东 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：一种高耐蚀耐磨铁基非晶纳米晶涂层及制备方法，涉及铁基合金涂层，特别是涉及非晶纳米晶复合涂层的制备。本发明针对过去利用热喷涂技术制备单一的非晶涂层或纳米结构涂层存在的问题，利用纳米化技术提高材料耐磨性能、非晶化技术提高材料耐蚀性能的特点，将纳米化技术与非晶化技术相结合，提出由铁基多元素非晶态合金粉末作为喷涂粉末，利用超音速火焰喷涂方法，制备出非晶涂层，然后用热处理方法使其转变为既含有非晶结构又含有纳米结构的非晶纳米晶复合涂层，这种涂层具有优异的耐腐蚀和耐磨损综合性能。
一种高耐蚀耐磨铁基非晶纳米涂层制备方法

[发明专利]一种非晶合金金相腐蚀剂以及金相显示方法-CN200810067135.4有效
发明人：姜琳莉 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2008-05-08 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶合金金相腐蚀剂，所述腐蚀剂包括硝酸、盐酸、偏重亚硫酸盐、水。这种金相腐蚀剂，不会在非晶合金样品表面形成污染层，不会过度腐蚀非晶合金中的晶化相，有利于观察非晶合金中的晶化相，评价非晶合金品质。
一种合金金相腐蚀剂以及显示方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条