专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶圆的承载方法及相关装置-CN202310900083.9在审
  • 蔡德敏;李朝军 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-24 - H01L21/683
  • 本申请提供晶圆的承载方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品,所述方法包括:获取所述晶圆的形貌信息;根据所述形貌信息,获取晶圆检测设备上的载物台所需的载物信息,所述载物信息包括以下至少一种:载物台尺寸、真空环的数量、真空环在所述载物台上的位置和大小、气孔的数量、气孔的排布方式;根据所述载物信息,设置所述晶圆检测设备的载物台,并将所述晶圆装载于所述载物台。本申请根据需要调整载物台的载物信息,以适应不同尺寸、厚度和形态的晶圆的检测需求。
  • 承载方法相关装置
  • [发明专利]氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质-CN202310933061.2在审
  • 蔡德敏;徐锦海 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-24 - C30B33/10
  • 本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括:获取氮化镓单晶的初始状态信息,初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息;基于预设的第一参数信息,将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀,第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度,容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液;基于初始状态信息和/或第一参数信息,检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件;当满足第一结束条件时,基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀,以得到腐蚀后的氮化镓单晶。腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀,具有废品率低等优点。
  • 氮化镓单晶腐蚀方法电子设备存储介质
  • [发明专利]缺陷诊断方法及相关装置-CN202310900092.8在审
  • 蔡德敏;李朝军 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-13 - H01L21/66
  • 本申请提供缺陷诊断方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品,应用于多个衬底,所述方法包括:针对每个所述衬底,执行以下处理:对所述衬底进行缺陷检测,获取所述衬底的衬底缺陷检测结果;对所述衬底进行气相外延,生成所述衬底对应的外延片;对所述外延片进行缺陷检测,获取所述外延片的外延缺陷检测结果;根据所述衬底缺陷检测结果和所述外延缺陷检测结果,获取所述衬底的缺陷影响类别,所述衬底的缺陷影响类别用于表征所述衬底的缺陷对外延片的影响程度。本申请通过分别对衬底和外延片进行缺陷检测,确定衬底缺陷对外延片的缺陷影响类别。
  • 缺陷诊断方法相关装置
  • [发明专利]一种自补给液镓的方法-CN202210780215.4有效
  • 蔡德敏 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2022-07-04 - 2023-10-13 - C30B29/40
  • 本发明公开了一种自补给液镓的方法。本发明在反应腔体资源区内设置一液镓自补给装置,为镓舟提供稳定镓液流量。在液镓自补给装置中设计高温区、低温区以及介于两者之间的填充有惰性气体的中间区,通过高温区提供热量,惰性气体受热膨胀,由于气体膨胀后产生压强差,低温区向下匀速移动,从而推动液镓稳定流出。避免了现有技术采用HVPE的方法制备单晶GaN厚膜衬底时,由于镓舟中的镓液与HCl的化学反应导致镓液液面下降,从而影响了单晶GaN厚膜衬底的良率的情况。
  • 一种补给方法
  • [发明专利]尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及HVPE反应器-CN202110823107.6有效
  • 徐琳;蔡德敏;金超 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2021-07-21 - 2023-06-02 - B01D53/00
  • 本发明属于半导体材料技术领域。本发明公开了一种尾气中镓源回收装置,回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器;腔体内壁顶面为弧形;回收装置内部的温度为300‑800℃;本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE反应后尾气经过本发明中的尾气中镓源回收装置处理后,能够富集尾气中的镓源,并进行回收,同时回收后的镓源中不含有氯化铵等杂质或含有极少杂质。本发明中的尾气处理装置能够很好的分离尾气中的镓源和氯化铵等杂质,实现尾气中高纯镓源的回收。本发明中的HVPE反应器具有镓源回收装置,能够很好的回收HVPE反应中进入尾气中的镓源,提高原料的使用率,降低生产成本。
  • 尾气中镓源回收装置处理hvpe反应器
  • [实用新型]外延工艺用托盘-CN202221612965.2有效
  • 蔡德敏 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2022-06-24 - 2023-04-07 - H01L21/673
  • 本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种外延工艺用托盘,能够改善外延边缘过度生长的问题。所述托盘包括托盘本体和侧壁,所述托盘本体用于承托衬底,侧壁包括凸出设置于朝向所述衬底一侧表面的凸块,所述凸块的比热容低于所述托盘本体的比热容。上述技术方案通过优化传统托盘结构,通过高比热容材质,实施温度控制技术,实现外延生长过程中抑制边缘生长突起的缺陷。
  • 外延工艺托盘
  • [实用新型]一种气相沉积设备的气体组件及气相沉积设备-CN202222776884.2有效
  • 李增林;王国斌;徐琳;蔡德敏 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-03-28 - C23C16/455
  • 本实用新型公开了一种气相沉积设备的气体组件及气相沉积设备。本实用新型的气相沉积设备的气体组件包括:第一腔室、载气腔室和第二腔室。第一进气口设置于所述第一腔室顶部,且在第一腔室中设置筛子板,可有助于不易扩散的二族和/或三族源气体在第一腔室中均匀分布,同时,使得筛子板边缘筛子孔孔径大于中心筛子孔孔径,可进一步有助于二族和/或三族源气体的均匀扩散;载气进气口和第二进气口分别为设置于载气腔室和第二腔室侧壁上部的环形开口,可使得载气和进入第二腔室的四族、五族、六族源气体由各自气体腔室的四周均匀地进入腔室,从而提高腔室内气体的均匀性。
  • 一种沉积设备气体组件
  • [发明专利]一种用于乳仔猪的自动恒温喂奶系统-CN202210705391.1有效
  • 邓波波;蔡德敏;胡平;刘一帆;刘好雨 - 苏州登高生物科技有限公司
  • 2022-06-21 - 2023-03-21 - A01K9/00
  • 本发明涉及畜牧养殖技术领域,且公开了一种用于乳仔猪的自动恒温喂奶系统,包括盆体,所述盆体的底部开设有送奶管,所述盆体的中间固定连接有立柱,所述立柱的中间固定安装有加热棒,所述立柱下半段的侧壁开设有进奶孔,所述立柱上半段的一侧开设有出奶孔,所述立柱上半段的中间活动连接有封闭弹簧,所述封闭弹簧的顶端固定连接有旋转块,所述旋转块的顶端固定连接有转换块,并通过转换块活动连接有压盖。本发明通过在立柱内加设加热棒,对传输段停留的冷却奶液进行再此升温,保证了流出至盆体内的奶液始终为温热状态,无需提前排出传输段的冷奶,避免了因传输段停留的而冷却的奶液直接流出至盆体内,所导致乳仔猪食用后生病的问题。
  • 一种用于仔猪自动恒温喂奶系统
  • [发明专利]氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的方法及设备-CN202110862495.9在审
  • 蔡德敏;徐琳;张波;沈振华 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2021-07-29 - 2023-02-03 - C30B25/02
  • 本发明公开了一种氢化物气相外延法生长III‑V族化合物单晶的方法及设备。所述方法包括:将III元素源、氮源与载气输入HVPE反应腔室内,并依次经过所述反应腔室内的第一区域、第二区域、第三区域,分别将所述反应腔室第一区域、第二区域和第三区域的调节至第一温度、第二温度和第三温度,使所述III元素源与氮源于所述第一区域发生反应而形成III氮化物单晶,使III元素源与氢气于第二区域发生反应而形成III元素单质,使氮源与卤素氢化物于第三区域发生反应而形成铵盐。本发明实施例提供的一种氢化物气相外延法生长III族氮化物单晶的方法,提高了III族氮化物单晶的产量和纯度,并能回收III族元素单质,降低了III族氮化物单晶的制备成本。
  • 氢化物外延生长iii化合物方法设备
  • [发明专利]外延工艺用托盘-CN202210722466.7在审
  • 蔡德敏 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2022-06-24 - 2022-12-02 - H01L21/673
  • 本发明所要解决的技术问题是,提供一种外延工艺用托盘,能够改善外延边缘过度生长的问题。所述托盘包括托盘本体和侧壁,所述托盘本体用于承托衬底,侧壁包括凸出设置于朝向所述衬底一侧表面的凸块,所述凸块的比热容低于所述托盘本体的比热容。上述技术方案通过优化传统托盘结构,通过高比热容材质,实施温度控制技术,实现外延生长过程中抑制边缘生长突起的缺陷。
  • 外延工艺托盘

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